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公开(公告)号：CN113406355A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110276918.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了一种高抗静摩擦现象的MEMS惯性传感器。MEMS惯性传感器包括支撑结构和惯性结构。惯性结构包括至少一个惯性质量块、弹性结构和止动结构。弹性结构机械地耦合到惯性质量块和支撑结构以使得当支撑结构受到平行于第一方向的加速度时，惯性质量块能够在平行于第一方向的方向上运动。止动结构相对于支撑结构固定，并且至少包括一个主止动元件和一个次止动元件。如果加速度超过第一阈值，则惯性质量块紧靠主止动元件，并且随后围绕由主止动元件限定的旋转轴旋转。如果加速度超过第二阈值，则当惯性质量块紧靠次止动元件时，惯性质量块的旋转终止。
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公开(公告)号：CN112213520A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011048545.1
申请日：2017-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了高准确度且对温度和老化具有低灵敏度的MEMS加速度传感器。一种加速度传感器，具有：悬置区域(21)，该悬置区域相对于支撑结构(24)可移动；以及感测组件(37)，该感测组件耦合至该悬置区域并且被配置成用于检测该悬置区域相对于该支撑结构的移动。该悬置区域(21)具有在与各自的质心相关联的彼此不同的至少两个构型之间可变的几何形状。该悬置区域(21)由可旋转地锚定至该支撑结构(24)的第一区域(22)以及通过弹性连接元件(25)耦合至该第一区域(22)的第二区域(23)形成，该弹性连接元件被配置成用于允许该第二区域(23)相对于该第一区域(22)相对移动。驱动组件(40)耦合至该第二区域(23)，以便控制该第二区域相对于该第一区域的相对移动。
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公开(公告)号：CN107271721B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201710190187.X
申请日：2017-03-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 公开了高准确度且对温度和老化具有低灵敏度的MEMS加速度传感器。一种加速度传感器，具有：悬置区域(21)，该悬置区域相对于支撑结构(24)可移动；以及感测组件(37)，该感测组件耦合至该悬置区域并且被配置成用于检测该悬置区域相对于该支撑结构的移动。该悬置区域(21)具有在与各自的质心相关联的彼此不同的至少两个构型之间可变的几何形状。该悬置区域(21)由可旋转地锚定至该支撑结构(24)的第一区域(22)以及通过弹性连接元件(25)耦合至该第一区域(22)的第二区域(23)形成，该弹性连接元件被配置成用于允许该第二区域(23)相对于该第一区域(22)相对移动。驱动组件(40)耦合至该第二区域(23)，以便控制该第二区域相对于该第一区域的相对移动。
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公开(公告)号：CN106597014A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610857572.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明涉及应力敏感性降低的微机电传感器器件。一种提供有感测结构的MEMS传感器器件，包括：具有在水平面中延伸的上表面的衬底；悬置在衬底的上方的惯性质量；弹性耦合元件，弹性耦合元件弹性地连接到惯性质量，以便使得它们相对于衬底的惯性移动作为沿着属于水平面的感测轴的待检测量的函数；和感测电极，感测电极电容耦合到惯性质量，以便形成至少一个感测电容器，其电容值指示待检测量。微机电感测结构包括悬置结构，感测电极被刚性地耦合到悬置结构，并且惯性质量通过弹性耦合元件弹性地耦合到悬置结构；悬置结构通过弹性悬置元件被连接到相对于衬底固定的锚固结构。
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公开(公告)号：CN221100798U
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202322109237.0
申请日：2023-08-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/125
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电传感器设备。一种具有感测结构的微机电传感器设备，具有：衬底；惯性质量件，被悬置在衬底之上，并且通过弹性耦合元件被弹性耦合到转子锚固结构，以执行由于待感测量而引起的至少一次惯性移动；第一感测电极，被整体地耦合到惯性质量件，以能够由于惯性移动而移动；以及第二感测电极，相对于待感测量而被固定，面向第一感测电极并且电容耦合到第一感测电极以形成具有指示待感测量的值的感测电容。第二感测电极以悬置方式被布置在衬底之上；以及补偿结构，被配置为将第二感测电极相对于第一感测电极移动，并且在没有待感测量的情况下，改变第二感测电极和第一感测电极之间的面对距离，以便补偿感测结构的本体偏移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN218956620U
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202221901673.0
申请日：2022-07-21
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/14
Abstract: 本公开的各实施例涉及闭环微电子机械加速度计和电子系统。闭环微电子机械加速度计包括：半导体衬底；半导体面外感测块，面外感测块具有面向支撑体的第一侧和与第一侧相对的第二侧，其中面外感测块被连接到支撑体以围绕非重心的支点轴线振荡，非重心的支点轴线平行于第一侧和第二侧并且垂直于面外感测轴线；以及反馈电极，反馈电极电容性地耦合到感测块并且被配置为将相反的静电力和围绕支点轴线的扭矩施加于感测块，其中反馈电极包括面向面外感测块的第一侧的第一组反馈电极和面向面外感测块的第二侧的第二组反馈电极。由此，提供了改进的闭环微电子机械加速度计。
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公开(公告)号：CN215364899U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120565750.9
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及用于测量流体的特性的系统。基于科里奥利力的流量感测装置包括：硅基底；绝缘层，在所述基底的表面上；至少一个驱动电极，在所述绝缘层上；以及硅结构体，与所述驱动电极部分地重叠，所述结构体具有埋入通道。本公开的实施例提供了高性能和低成本特性的流量感测装置及包括用于测量流体特性的系统。
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公开(公告)号：CN214747920U
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202120409818.4
申请日：2021-02-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 实施例公开了微机电系统测斜仪。该微机电系统测斜仪包括基底、第一移动质量块和传感单元。传感单元包括第二移动质量块、多个弹性元件，弹性元件被插入在第二移动质量块与基底之间并且在与第一轴线平行的方向是柔顺的，以及多个弹性结构，多个弹性结构中的每个弹性结构被插入在第一移动质量块与第二移动质量块之间并且在与第一轴线和第二轴线平行的方向是柔顺的。传感单元进一步包括相对于基底固定的固定电极以及相对于第二移动质量块固定的移动电极，这形成了可变电容器。该MEMS测斜仪能够减小振动校正误差。
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公开(公告)号：CN217180964U
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202121832517.9
申请日：2021-08-06
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01P15/08 , G01P15/125
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电传感器器件以及电子系统。一种微机电传感器器件基底，具有第一表面，第一表面具有第一区域和第二区域，第二区域在横向方向上定位于第一区域的外部；移动结构，包括在顶部表面的第一区域处悬置于基底上方的惯性质量块；固定结构，包括在顶部表面的第一区域处悬置于基底上方的固定电极；至少一个感测电容器，包括电容耦合至固定结构的移动结构；单个整体式锚固件，在第二区域处耦合至基底，单个整体式锚固件耦合至移动结构和固定结构；以及多个连接元件，耦合至移动结构、固定结构以及单个整体式锚固件。利用本公开的实施例有利地提供了具有相对于外部刺激经改善的稳定性和减少的漂移的微机电传感器器件。
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公开(公告)号：CN211896030U
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202020027496.2
申请日：2020-01-07
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS设备和电子设备。具有跷跷板结构的MEMS设备包括可移动质量块，可移动质量块具有在平面中的面积、以及在垂直于该平面的方向上的厚度。可移动质量块绕平行于该平面延伸的旋转轴是可倾斜的，并且由被布置在旋转轴的相对侧的第一和第二半质量块形成。第一和第二半质量块分别具有第一和第二形心，该第一和第二形心被分别布置在距旋转轴的第一距离b1和第二距离b2处。第一贯穿开口被形成在第一半质量块中，并且连同第一半质量块一起具有在平面中的第一总周长p1。第二贯穿开口被形成在第二半质量块中，并且连同第二半质量块一起具有在平面中的第二总周长p2，其中第一周长p1和第二周长p2满足以下方程：p1×b1＝p2×b2。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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