用于测试集成电路的改进探针卡

    公开(公告)号:CN101946182B

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN200880127253.8

    申请日:2008-12-19

    Inventor: A·帕加尼

    Abstract: 一种适合于测试集成在半导体材料晶片的相应的至少一个管芯(145)上的至少一个集成电路的探针卡(105),所述探针卡包括适合于耦合到测试器装置的板(125’)和耦合到所述板的多个探针(225),其中,所述探针卡包括多个可替换基本单元(135’),每个包括用于接触受测试的集成电路(145)的外部可接近端子的至少一个所述探针,所述多个可替换基本单元被布置为对应于包含要测试的集成电路的半导体材料晶片上的至少一个管芯的布置。

    用于硅通孔(TSV)的电气测试的系统和方法

    公开(公告)号:CN108376653B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201810008556.3

    申请日:2018-01-04

    Inventor: A·帕加尼

    Abstract: 一种衬底包括掺杂有相反导电类型的第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层和第二半导体层在PN结处彼此接触以形成结型二极管。由绝缘层侧向包围的导电区域形成的至少一个硅通孔结构完全穿过第一半导体层并且部分穿过第二半导体层延伸,硅通孔结构具有嵌入在第二半导体层中并且与第二半导体层物理接触和电接触的后端。第一电连接件被制作成连接到第一硅通孔结构,并且第二电连接件被制作成连接到第一半导体层。在第一电连接件和第二电连接件处施加并感测测试电流,以检测至少一个硅通孔结构中的缺陷。

    用于监测湿度和/或环境酸度/碱度和/或腐蚀的集成电子设备

    公开(公告)号:CN105102970B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201480018992.9

    申请日:2014-03-28

    Abstract: 描述了一种用于检测与设备周围的环境的湿度和/或水的存在和/或酸度/碱度相关的至少一种参数的集成电子设备1。这类集成电子设备包括:与周围环境的分隔层14,该分隔层14包括绝缘材料的至少一部分14;并且还包括由导电材料制成的第一传导性构件11和第二传导性构件12,第一传导性构件11和第二传导性构件12相对于周围环境被布置在分隔层14内部,并且通过分隔层14与周围环境分隔。设备1还包括测量模块15,该测量模块15具有分别与第一传导性构件11和第二传导性构件12电连接的两个测量端子151、152,该测量模块15被配置为提供第一传导性构件11和第二传导性构件12之间的电势差。设备1还包括被配置为充当电极的电极装置13,该电极装置13相对于第一传导性构件11和第二传导性构件12被布置在分隔层14的外部;该电极装置13被布置以便与第一传导性构件11和第二传导性构件12形成电磁电路,该电磁电路具有基于对具有可变水平的湿度和/或酸度/碱度的环境状况的暴露而可变的电磁电路总阻抗。测量模块15被配置为测量存在于测量端子151、152之间的电磁电路总阻抗,并且基于电磁电路总阻抗来确定至少一种参数。

    压力传感器、压力测量设备、制动系统和测量压力的方法

    公开(公告)号:CN106197776B

    公开(公告)日:2019-11-05

    申请号:CN201510855249.5

    申请日:2015-11-30

    Abstract: 本发明涉及一种压力传感器、压力测量设备、制动系统和测量压力的方法,压力传感器(15)带有双测量刻度,包括:柔性本体(16,34),设计成根据压力(P)而经受偏转;压阻转换器(28,29;94),用于检测偏转;第一聚焦区域(30),设计成在第一操作条件过程中将压力(P)的第一值(PINT1)集中在柔性本体的第一部分(19)中,以便使柔性本体的第一部分发生偏转;以及第二聚焦区域(33),设计成在第二操作条件过程中将所述压力(P)的第二值(PINT2)集中在柔性本体的第二部分(17)中,以便使柔性本体的第一部分二部分()发生偏转。压阻转换器将柔性本体的第一部分的偏转关联至第一压力值(PINT1),并且将柔性本体的第二部分的偏转关联至第二压力值(PINT2)。

    包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法

    公开(公告)号:CN106328646B

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201510824958.7

    申请日:2015-11-24

    Abstract: 本申请涉及包括半导体电阻器和电阻补偿电路的集成电路及相关方法。集成电路可包括半导体衬底以及半导体电阻器。半导体电阻器可包括在半导体衬底中并具有第一导电性类型的阱、在阱中具有L形并具有第二导电性类型的第一电阻性区域、以及与第一电阻性区域相关联的调节元件。集成电路还可包括在半导体衬底上的电阻补偿电路。电阻补偿电路可以被配置为测量第一电阻性区域的初始电阻,并基于测得的初始电阻在调节元件处产生电压,以调节第一电阻性区域的工作电阻。

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