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公开(公告)号：CN1693537A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510068280.0
申请日：2005-05-08
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/513 , C23C16/28
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C14/48 , C23C16/507 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H01J37/32357 , H01J37/32412 , H01J2237/2001 , H01L21/02126 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/2658 , H01L21/31604 , H01L21/318 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/6659 , Y10T29/5313
Abstract: 一种在工件上沉积含硅、氮、氢或氧中的任何元素的涂层的低温工艺，包括将该工件放置在反应室中并面向反应室工艺区，将含硅、氮、氢或氧中的任何元素的工艺气体注入反应室，通过向在反应室外部、形成再进入路径一部分的再进入管的一部分施加约10兆赫大小的高频射频等离子体源功率，在通过工艺区的再进入路径中产生环形射频等离子体流，向工件施加一或几兆赫大小的低频射频等离子体偏压功率，维持工件的温度在大约100℃以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108109897A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810048710.X
申请日：2014-09-09
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/687 , H02K7/14
Abstract: 本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
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公开(公告)号：CN102474973B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201080032374.1
申请日：2010-07-19
Applicant: 应用材料公司
CPC classification number: H01P7/04
Abstract: 本文提供阻抗匹配网络的实施例。在一些实施例中，阻抗匹配网络可包括同轴共振器，该同轴共振器具有内导体与外导体。可提供调节电容器，其用以可改变地控制该同轴共振器的共振频率。该调节电容器可由第一调节电极、第二调节电极与中置电介质来形成，其中该第一调节电极由该内导体的一部分来形成。可提供负载电容器，其用以可改变地将来自该内导体的能量耦合到负载。该负载电容器可由该内导体、可调整负载电极与中置电介质来形成。
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公开(公告)号：CN101242702B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200810000277.9
申请日：2008-01-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 , 塙广二 , 卡提克·雷马斯瓦米 , 道格拉斯·A·小布赫伯格 , 沙希·拉夫 , 凯洛·贝拉 , 劳伦斯·黄 , 沃尔特·R·梅丽 , 马修·L·米勒 , 史蒂文·C·香农 , 安德鲁·阮 , 詹姆斯·P·克鲁兹 , 詹姆斯·卡尔杜齐 , 特洛伊·S·德里克 , 苏比哈什·德什穆赫 , 珍妮弗·Y·孙
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32174 , H01L21/67069 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供了一种等离子体反应器，所述等离子体反应器包括面向工件支撑底座的顶电极和在底座中的底座电极，以及耦接到所述顶电极和所述底座电极中的相同或不同电极的具有不同频率的第一和第二VHF功率源。所述第一和第二VHF功率源分别具有充分高和充分低的频率，以在腔室内分别生成中心高和中心低的等离子分布非均匀性。所述反应器还包括控制器，该控制器程序化以改变第一和第二VHF功率源的相对输出功率电平以：(a)当等离子体离子分布具有显著的边缘高非均匀性时，增加第一VHF功率源的相对输出功率电平；以及(b)当等离子体离子分布具有显著的中心高非均匀性时，增加第二VHF功率源的相对输出功率电平。
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公开(公告)号：CN101355004B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810134627.0
申请日：2008-07-28
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯 , 卡洛·贝拉 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 塙广二 , 安德鲁·源 , 史蒂文·C·香农 , 劳伦斯·黄 , 小林聪 , 特洛伊·S·德特里克 , 詹姆斯·P·克鲁斯
IPC: H01J37/00 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/20 , H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/32697 , H01J37/32834
Abstract: 本发明提供了用电旁路元件减小电歪斜的等离子体反应器。通过设置旁路电流路径来将RF接地返回电流从反应器室的非对称特征绕开。一种旁路电流路径避开了室底板中的泵送端口，并包括从侧壁向接地的基座基部延伸的导电对称格栅。另一种旁路电流路径避开了晶片狭缝阀，并包括导电带的阵列，导电带的阵列将狭缝阀占据的侧壁部分桥接。
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公开(公告)号：CN101189772A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680014183.6
申请日：2006-04-26
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01T23/00
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/6831
Abstract: 用在对工件进行处理的反应器中的升降销组件包括大致平行于升降方向延伸的多个升降销。多个升降销的每个具有用于支撑工件的顶端和底端。升降台面向升降销的底端，并在大致平行于升降方向的方向上移动。小力检测器感测由升降销施加的力，该力足够大以指示所夹持的晶片，并且足够小以避免晶片脱离夹持。大力检测器感测在足以使晶片脱离夹持的范围中由升降销施加的力。
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