公开(公告)号：CN1236424C

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN02120075.0

申请日：2002-05-22

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水丰 ,  大岛弘敬 ,  长坂惠一 ,  濑山喜彦 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/00 ,  G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/08

Abstract: 磁敏电阻器件包括层合膜和应用该层合膜中叠层方向检测电流的机构，其中，该层合膜包括：其磁化方向基本固定的第一铁磁层；其磁化方向随外磁场自由变化的第二铁磁层，该第二铁磁层包括非磁性金属层和两个或多个在叠层方向由非磁性金属层彼此分开的铁磁金属层；使第一和第二铁磁层彼此分开的非磁性中间层。

公开(公告)号：CN1227649C

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN02116113.5

申请日：2002-04-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濑山喜彦 ,  长坂惠一 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/33 ,  G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种磁性传感器具有这样的结构：其中由导电硬磁性材料所形成的用于控制磁畴的硬层与磁性传感器层至少部分地相互直接接触，并且电流在这样的方向上流动，其中至少电流的主要部分的方向垂直于磁性传感器层的表面。通过改变硬层的电阻率而控制在磁性传感器层和硬层中流动的电流。该磁性传感器被用作为例如磁盘装置这样地磁性记录装置中地磁性读取头。

公开(公告)号：CN1685398A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03823246.4

申请日：2003-03-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 近藤玲子 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3906 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/0018

Abstract: 一种将记录媒体的磁信号作为再生信号进行检测的磁致电阻头，包括：第一磁屏蔽；配置在第一磁屏蔽上的第一电极端子；配置在第一电极端子上的磁致电阻膜；以及将第一方向的偏磁场加在配置在磁致电阻膜的两侧的磁致电阻膜上、控制磁致电阻膜的磁畴的磁畴控制膜。磁致电阻头还包括：配置在该磁致电阻膜上的第二电极端子；以及配置在第二电极端子上的第二磁屏蔽；磁信号再生时，使检测电流横切第一及第二电极端子且沿着与磁致电阻膜的面垂直的方向流，以便磁致电阻膜的与媒体相对的端部的电流磁场的方向成为第一方向。

公开(公告)号：CN1639771A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02828592.1

申请日：2002-03-20

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大岛弘敬 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G01R33/093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/313 ,  G11B5/3903 ,  G11B2005/3996

Abstract: 一种电流垂直于平面结构的磁电阻元件，磁电阻薄膜(43)从一个磁头滑块的介质相对表面(28)向后延伸。一个上电极层(46)叠置在磁电阻薄膜的上边界(43b)上。该上电极层(46)包括一个沿着上边界、从在介质相对表面处露出的顶端向后延伸的低阻区(46a)，以及一个沿着上边界、从低阻区的后端向后延伸的高阻区(46b)。该高阻区的电阻率高于低阻区的电阻率。该高阻区用于限制最靠近介质相对表面的读出电流的通路。允许该读出电流集中在最靠近磁电阻薄膜中的介质相对表面的位置。由于靠近介质相对表面的磁化强度趋于充分转动，该电流垂直于平面(CPP)结构的磁电阻元件保持电阻的充分变化。在该CPP结构的磁电阻元件中可保持足够的灵敏度。

公开(公告)号：CN1431651A

公开(公告)日：2003-07-23

申请号：CN03101543.3

申请日：2003-01-10

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 濑山喜彥 ,  長坂惠一 ,  大岛弘敬 ,  清水丰 ,  田中厚志

IPC: G11B5/39

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324

Abstract: 一种电流垂直于平面(CPP)结构的磁阻元件包括旋阀膜。在包含于旋阀膜的非磁性中间层从的导电层之间确定一个边界。磁性金属材料和绝缘材料存在于该边界上。绝缘材料减小读出电流路径的截面面积。相应于在自由磁性层中的磁化的旋转，该CPP结构的磁阻元件实现在电阻中较大变化。采用较小的读出电流来获得电压的较大变化。相应地，CPP结构的磁阻元件大大地有助于记录密度的提高以及减小电能消耗。