公开(公告)号：CN119383990A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410660245.0

申请日：2024-05-27

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H10D12/00 ,  H10D12/01

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其提高半导体装置的饱和电流和导通电压等特性。半导体装置具有作为晶体管进行动作的部分，所述晶体管具有被施加栅极电压的栅极沟槽部、与所述栅极沟槽部相接的发射区、以及与所述栅极沟槽部相接的基区，在周围温度为25℃时所述晶体管从截止状态转变为导通状态的阈值电压比使晶体管导通的第一电压大。

公开(公告)号：CN113544857B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202080016339.4

申请日：2020-09-08

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  百瀬雅之 ,  松井俊之

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体基板，其包含体施主；有源部，其设置于半导体基板；边缘终端构造部，其在半导体基板的上表面，设置在有源部与半导体基板的端边之间，有源部具有包含氢且施主浓度比体施主的浓度高的第一高浓度区，边缘终端构造部具有第二高浓度区，所述第二高浓度区在半导体基板的深度方向上设置在比第一高浓度区更宽的范围，并且包含氢且施主浓度比体施主的浓度高。

公开(公告)号：CN103986359B

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：CN201410050416.4

申请日：2014-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H02M7/487 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M7/537 ,  H02M7/487 ,  H02M2001/342 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种电力转换装置，具备双向开关，该双向开关插入安装于串联连接且被相互关联地进行导通关断驱动来转换直流电压的一对或多对半导体开关元件的串联连接点与电源部之间，将上述半导体开关元件钳位在上述直流电压的中间电位点，该电力转换装置用于防止上述半导体开关元件进行关断动作时上述双向开关损坏。将上述半导体开关元件进行关断动作时在上述双向开关处产生的感应电动势抑制为上述双向开关开始正向恢复时的栅极电压与栅极阈值电压之差以下，从而防止上述双向开关正向恢复时的异常电压上升。

公开(公告)号：CN104145342B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201380008904.2

申请日：2013-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395

Abstract: 在成为n‑漂移区(1a)的半导体基板的一个主面侧，设置有沟道栅MOS结构。在n‑漂移区(1a)的内部，设置有与构成沟道栅MOS结构的p基区(2a)的n‑漂移区(1a)侧接触的n壳区(13)。n壳区(13)具有比n‑漂移区(1a)高的杂质浓度。n壳区(13)中的n型的杂质的有效注入剂量为5.0×1012cm‑2以下。n‑漂移区(1a)具有施加以发射极为正极的反向的额定电压时，使得从另一个主面侧的p集电区(10a)扩展的耗尽层不能到达n壳区(13)和第一沟道(5)的底部中的离p集电区(10a)较近的一方的电阻率。

公开(公告)号：CN102804385B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180013762.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 在n?型偏移区（11）的表面中形成多个栅沟槽（13a,13b）。隔着栅沟槽（13a,13b）内壁上的栅氧化膜（14）而形成栅电极（15）。选择性地形成P?型基极区（12a,12b）从而在相邻的栅沟槽（13a，13b）之间的栅沟槽纵向彼此相邻。在p?型基极区（12a,12b）的表面层中形成n?型发射极区（16a）与栅沟槽（13a）相接触。在p?型基极区（12a）的表面层中也形成浓度比p?型基极区（12a）高的p?型接触区（17），从而与n?型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧相接触。位于n?型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧的边缘部分端接于p?型接触区内（17）。

公开(公告)号：CN103986359A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410050416.4

申请日：2014-02-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H02M7/487 ,  H02M7/5387

CPC classification number: H02M7/537 ,  H02M7/487 ,  H02M2001/342 ,  Y02B70/1491

Abstract: 一种电力转换装置，具备双向开关，该双向开关插入安装于串联连接且被相互关联地进行导通关断驱动来转换直流电压的一对或多对半导体开关元件的串联连接点与电源部之间，将上述半导体开关元件钳位在上述直流电压的中间电位点，该电力转换装置用于防止上述半导体开关元件进行关断动作时上述双向开关损坏。将上述半导体开关元件进行关断动作时在上述双向开关处产生的感应电动势抑制为上述双向开关开始正向恢复时的栅极电压与栅极阈值电压之差以下，从而防止上述双向开关正向恢复时的异常电压上升。

公开(公告)号：CN102804385A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201180013762.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397

Abstract: 在n-型偏移区（11）的表面中形成多个栅沟槽（13a,13b）。隔着栅沟槽（13a,13b）内壁上的栅氧化膜（14）而形成栅电极（15）。选择性地形成P-型基极区（12a,12b）从而在相邻的栅沟槽（13a，13b）之间的栅沟槽纵向彼此相邻。在p-型基极区（12a,12b）的表面层中形成n-型发射极区（16a）与栅沟槽（13a）相接触。在p-型基极区（12a）的表面层中也形成浓度比p-型基极区（12a）高的p-型接触区（17），从而与n-型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧相接触。位于n-型发射极区（16a）的栅沟槽（13b）侧的边缘部分端接于p-型接触区内（17）。

公开(公告)号：CN102263124A

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN201110150675.0

申请日：2011-05-26

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉川功 ,  井口研一

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/404

Abstract: 本发明的目的在于提供具有减小的尺寸并展现卓越的阻断电压能力的半导体器件。本发明的半导体器件包括有源区10和隔离区30之间的边缘端接结构20，该边缘端接结构20包括正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部50的边缘端接结构。多个场限制环(FLR)41、51以及多个场板(FP)44、54设置在正向偏压部40的边缘端接结构和反向偏压部的边缘端接结构中。多个FP 44的最靠近反向偏压部50的边缘端接结构的第一正向FP 45形成为朝隔离区30侧延伸。多个FP 54的最靠近正向偏压部40的边缘端接结构的第一反向FP 55形成为朝隔离区10侧延伸。第一反向FP 55在施加正向电压时终止耗尽层从有源区10扩展。第一正向FP 45在施加反向电压时终止耗尽层从隔离区30扩展。

公开(公告)号：CN101499473A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910009837.1

申请日：2009-01-24

Applicant: 株式会社电装 ,  富士电机电子技术株式会社

Inventor： 小山雅纪 ,  冈部好文 ,  浅井诚 ,  藤井岳志 ,  吉川功

IPC: H01L27/082 ,  H01L23/535 ,  H01L29/72 ,  H01L29/40

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管。一种具有IGBT的半导体器件包括：衬底(1)；衬底上的漂移层(2)和基极层(3)；穿透基极层以将基极层分成基极部分(3a－3d)的沟槽(4)；一个基极部分中的发射极区(5)；沟槽中的栅极元件(7a－7c)；发射极电极(15)；以及集电极电极(16)。所述一个基极部分提供沟道层(3a)，另一基极部分提供没有发射极区的浮置层(3b－3d)。栅极元件包括与沟道层相邻的栅电极(7a)和与浮置层相邻的虚设栅电极(7b－7c)。浮置层包括与沟道层相邻的第一浮置层(3b)以及远离沟道层的第二浮置层(3c)。虚设栅电极和第一浮置层与基极层上的第一浮置布线(12)电耦合。虚设栅电极与第二浮置层隔离开。

公开(公告)号：CN101933141A

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200980103495.8

申请日：2009-01-28

Applicant: 富士电机系统株式会社 ,  株式会社电装

Inventor： 百田圣自 ,  阿部和 ,  椎木崇 ,  藤井岳志 ,  吉川功 ,  今川铁太郎 ,  小山雅纪 ,  浅井诚

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L27/0658 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7815 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在主元件(24)的源电极(25)和电流检测元件(21)的电流感应电极(22)之间连接电流检测用的电阻。栅极绝缘膜(36)的绝缘耐压比反向偏压时可流过电流检测元件(21)的最大电流与上述电阻之积大。主元件(24)的p主体区域(32)的扩散深度比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的扩散深度浅，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的曲率比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的曲率小。因此，在外加反向偏压时，主元件(24)的p主体区域(32)的端部的电场变得比电流检测元件(21)的p主体区域(31)的端部的电场高，主元件(24)变得易于在电流检测元件(21)之前发生雪崩击穿。