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公开(公告)号：CN119876537A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510004279.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明涉及不锈钢领域，具体地，涉及一种降低奥氏体不锈钢磁性的方法、奥氏体不锈钢及其应用。该方法包括：对奥氏体不锈钢进行退火处理；所述退火处理的过程包括：将所述奥氏体不锈钢升温至920‑980℃保温2‑4h后冷却。该方法能够降低奥氏体不锈钢的磁性，进而不会影响电子产品的性能。
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公开(公告)号：CN111934077A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010786785.5
申请日：2020-08-07
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种Ka波段波导接收模块制作工艺，包括以下步骤：S1：射频绝缘子与套筒用217℃焊膏焊接，得到射频绝缘子组件；S2：绝缘子、微波电路板与腔体钎焊，得到组件A；S3：在组件A和电源电路板上焊接元器件，分别得到组件B和电源电路板组件；S4：将组件B和电源电路板组件进行汽相清洗；S5：电源电路板组件、连接器安装以及手工焊接导线，得到组件C；S6：将各裸芯片进行共晶焊接，制作共晶组件；S7：将共晶组件粘接到组件C上；S8：用25μm金丝对共晶组件进行锲形键合；S9：封盖；本发明产品制作工艺流程科学合理，有很强的实操性，适用小批量生产，通过本发明方法制作的产品，经过筛选环境试验产品指标无恶化，可靠性高。
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公开(公告)号：CN107731695B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201711076799.2
申请日：2017-11-06
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: H01L21/52 , H01L21/324
Abstract: 本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第一烧结处理和第二烧结处理；解决了现有的共晶芯片组件的烧结方法时间长，合金焊料易氧化，最终影响共晶芯片组件烧结在腔体上的焊透率、剪切强度以及散热效果的问题。
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公开(公告)号：CN110256096A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910509157.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
IPC: C04B37/00
Abstract: 本发明公开了一种多个陶瓷基板与壳体回流焊接的工艺方法，包括：步骤1、涂覆助焊剂；步骤2、裁剪焊片；步骤3、通过焊接工装将陶瓷基板固定至壳体上；步骤4、设置好回流炉工艺参数并将组件放置在传送带上，进行回流焊接；步骤5、对焊接后的成品进行验证。该工艺方法加热面积大、人为误差小，能够实现多个陶瓷基板一次焊接成型，极大地提高了焊接效率，同时降低了人力和物料成本。
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公开(公告)号：CN110213909A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910565428.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 安徽华东光电技术研究所有限公司
Abstract: 本发明提供一种Ku波段双通道检波模块的制作方法，包括以下步骤：步骤1、将检波电路板烧结到腔体内；步骤2、将器件烧结到腔体内；步骤3、使用汽相清洗机将烧结元器件的Ku波段双通道检波模块腔体进行清洗；步骤4、封盖，完成模块盖板装配。本发明设计合理，方法流程科学，借助微电子组封装工艺技术，进行Ku波段双通道检波模块制作，制作出来的Ku波段双通道检波模块具有体积小、安装灵活、可靠性高、稳定性高、检波范围大的特点，适合大批量生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106658983B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201611203390.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种L波段4瓦高增益宽带功率放大器的制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到Rogers电路板上；步骤2、将装好元器件的Rogers电路板烧结到底板上；步骤3、对装好的组件进行调试、测试、打标。该制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，并且容易掌握。
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公开(公告)号：CN108161264A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711246764.9
申请日：2017-12-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及X波段收发组件的制作方法，公开了一种X波段收发组件的制作方法，该X波段收发组件的制作方法包括：步骤1，将多种不同的芯片共晶到相应的载体上；步骤2，将多个接头、基板和电路板烧结到收发组件壳体上；步骤3，将一般元器件和共晶之后的芯片烧结到电路板上得到部件A；步骤4，对部件A进行金丝键合，并进行测试和调试后进行封盖。该X波段收发组件的制作方法克服了现有技术中的合格率较低的问题，实现了科学、简便的生产此放大器，并使得生产的产品合格率较之前有较大的提高。
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公开(公告)号：CN108112184A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711064670.X
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
IPC: H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，具体包括下述步骤：步骤一：S波段100瓦脉冲功率放大器微波模块电路板元器件烧结；步骤二：S波段100瓦脉冲功率放大器电源模块电路板元器件烧结；步骤三：将微波模块电路板以及元器件烧结装配到腔体上；步骤四：将电源模块电路板以及元器件焊接装配到腔体上；步骤五：对装配完成的组件进行调试、测试、封盖和打标。本发明提供的一种S波段100瓦脉冲功率放大器的制作方法，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较之前有较大的提高，设备投资成本低，对生产员工的素质要求不高，进行基本培训即可上岗，适合小批量生产。
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公开(公告)号：CN107968632A
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201711063872.2
申请日：2017-11-02
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
CPC classification number: H03F1/00 , B08B3/08 , B08B3/10 , B08B2203/007 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/451 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，步骤一：将Rogers电路板烧结到腔体上；步骤二：将阻容器件烧结到电路板上；步骤三：将功放管烧结到腔体上；步骤四：将前级放大器、滤波器、隔离器安装到腔体上；步骤五：烧结电源模块电路板并安装到腔体上；步骤六：调试、测试、封盖。本发明提供的一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，工艺流程科学、简便，生产的产品合格率高，提高了生产效率，节约了生产成本。
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公开(公告)号：CN107612509A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710777762.6
申请日：2017-09-01
Applicant: 安徽华东光电技术研究所
Abstract: 本发明涉及微波模块制作加工工艺的技术领域，公开了一种L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法，该加工方法包括：步骤1，将裸芯片共晶至钼铜载体上进行备用得到A；步骤2，将绝缘子和电路板烧结到壳体上得到B；步骤3，将元器件烧结到电路板上得到C；步骤4，在相应位置金丝键合D；步骤5，逐步进行调试、测试、封盖和打标，得到L波段120瓦小型化高功率放大器。该L波段120瓦小型化高功率放大器的加工方法能够实现输出功率高、增益高、能量转化效率高而且轻量化体积小。
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