公开(公告)号：CN1444282A

公开(公告)日：2003-09-24

申请号：CN03106095.1

申请日：2003-02-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜籘 ,  李廷凯 ,  张风燕 ,  庄维佛

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/56 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L21/28291 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种多晶存储结构，其包含：被覆盖提供在基质上的多晶存储层，该多晶存储层具有在临近的微晶之间形成间隙的结晶晶粒间界；和至少部分地位于间隙中的第一绝缘材料。

公开(公告)号：CN1437241A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN03104234.1

申请日：2003-02-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 庄维佛 ,  许胜籘

IPC: H01L21/70 ,  H01C7/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1641 ,  Y10S502/525

Abstract: 一种可变电阻器件的制造方法，其包括：制备硅衬底；在衬底上形成硅氧化物层，在硅氧化物层上沉积第一个金属层，其中，第一个金属层的金属选自铂和铱，在第一个金属层上形成钙钛矿金属氧化物薄膜，在钙钛矿金属氧化物薄膜上沉积第二个金属层，其中，第二个金属层的金属选自铂和铱，将在沉积第二个金属层的步骤中得到的结构在约400℃－700℃下退火约5分钟至3小时，然后改变第一个金属层和第二个金属层之间的电阻。

公开(公告)号：CN1435862A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103459.4

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马哲申 ,  道格拉斯·詹姆斯·特威滕 ,  许胜籘

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02694 ,  Y10S438/933

Abstract: 一种制造半导体基质的方法，其包括形成具有相对高的Ge含量的SiGe层的方法，其包括制备硅基质；沉积SiGe层至厚度约100nm－500nm，其中SiGe层的Ge含量以摩尔分数计算等于或者大于22％；以大约1·1016cm－2－5·1016cm－2的剂量和大约20keV－45keV的能量，把H+离子注入到SiGe层；在惰性气氛下，在约650℃－950℃热退火硅基质和SiGe层30秒钟到30分钟，以松弛SiGe层；和在松弛的SiGe层上沉积一层厚度约5nm－30nm的张力—应变的硅层。

公开(公告)号：CN1435841A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03103460.8

申请日：2003-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 潘威 ,  许胜籘

IPC: G11C11/14 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/222 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/15

Abstract: 一种MRAM设备，其包括基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的MTJ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。一种制造用在MRAM结构中的磁轭结构的方法，其包括制备基底；在基底上形成第一个导线；制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；在MTJ堆栈上形成第二个导线；制造环绕第二个导线的第二个磁轭结构；在该结构上沉积氧化物层；和金属化该结构。