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    一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法
    21.
    发明授权
    一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103137546B

    公开(公告)日：2015-06-24

    申请号：CN201110384180.4

    申请日：2011-11-28

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 俞文杰 ,  张波 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8248

    Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi2，通过刻蚀工艺控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物NiSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入NiSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

    一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法
    22.
    发明授权
    一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法 有权

    公开(公告)号：CN103137537B

    公开(公告)日：2015-04-15

    申请号：CN201110383790.2

    申请日：2011-11-28

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 张波 ,  俞文杰 ,  赵清太 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  王曦

    IPC: H01L21/762 ,  H01L29/06

    Abstract: 本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极电路和用于制备CMOS电路的顶层硅厚度。最后通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间的部分区域插入一层金属硅化物CoSi2，代替常规SOI双极晶体管中的集电区重掺杂埋层，未插入CoSi2的区域用以制造MOS器件，从而达到减少双极电路所需的顶层硅厚度、简化工艺等目的。本发明的工艺简单，适用于大规模的工业生产。

    一种制备悬空应变材料的方法
    25.
    发明授权
    一种制备悬空应变材料的方法 失效

    公开(公告)号：CN101958238B

    公开(公告)日：2012-12-26

    申请号：CN201010223192.4

    申请日：2010-07-09

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技股份有限公司

    Inventor： 张苗 ,  张波 ,  王曦 ,  薛忠营 ,  魏星 ,  武爱民

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306

    Abstract: 本发明涉及一种制备悬空应变材料的方法，其特征在于制备的步骤是：a)提供一层具有各向异性腐蚀特性的半导体衬底材料；b)在步骤a所述的半导体材料上外延生长一层晶格常数比衬底材料大的晶体材料，外延的晶体材料层的厚度控制在临界厚度之内；c)接着在衬底材料底部上涂光刻胶，曝光刻蚀出所需的图形；d)对衬底材料进行湿法刻蚀，放入到KOH或TMAH溶液中，刻蚀到外延的晶体材料处自动停止；e)将步骤d所得材料进行退火工艺，使外延晶体材料中应力完全释放；退火温度为300-1000℃；f)退火后在图形上外延淀积晶体层，使晶体层受压应力或张应力；g)腐蚀移除晶体材料，从而制得悬空的应变材料，制备出的悬空材料中不存在应力释放，也即制备出的悬空材料无应力释放。

    绝缘体上锗硅衬底的制备方法
    26.
    发明授权
    绝缘体上锗硅衬底的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN100557767C

    公开(公告)日：2009-11-04

    申请号：CN200810200072.5

    申请日：2008-09-17

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 张苗 ,  张波 ,  王曦

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/265

    Abstract: 一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火，从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子，有利于绝缘埋层的形成。

    绝缘体上锗硅衬底的制备方法
    27.
    发明公开
    绝缘体上锗硅衬底的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN101359591A

    公开(公告)日：2009-02-04

    申请号：CN200810200072.5

    申请日：2008-09-17

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 张苗 ,  张波 ,  王曦

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/265

    Abstract: 一种绝缘体上锗硅衬底的制备方法，包括如下步骤：(a)提供单晶硅衬底；(b)在单晶硅衬底表面生长锗硅层；(c)将起泡离子注入单晶硅衬底中；(d)退火，从而形成气孔层；(e)将氧离子注入至气孔层中；(f)退火，从而形成绝缘埋层。本发明的优点在于，采用起泡离子注入单晶硅衬底中，通过退火在单晶硅衬底与锗硅层之间形成气孔层，并将氧离子注入至气孔层中，退火后在气孔层的位置形成绝缘埋层。由于绝缘埋层均形成于单晶硅衬底而非锗硅层中，因此可以对锗的排出现象起到抑制的作用，并且所述的气孔层可以有效地束缚氧原子，有利于绝缘埋层的形成。

    一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法
    30.
    发明公开
    一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法 有权

    公开(公告)号：CN104752182A

    公开(公告)日：2015-07-01

    申请号：CN201310746120.1

    申请日：2013-12-30

    Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

    Inventor： 张波 ,  侯春雷 ,  狄增峰 ,  张苗 ,  赵清太

    IPC: H01L21/28

    Abstract: 本发明提供一种利用Ti插入层制作NiSiGe材料的方法，至少包括以下步骤：1）提供一Si1-xGex层，于所述Si1-xGex层表面形成Ti金属薄膜，其中，0.05≤x≤0.9；2）于所述Ti掺入层表面形成Ni金属层；3）采用快速退火工艺使所述Ni金属穿过所述Ti金属薄膜与所述Si1-xGex层反应生成NiSi1-xGex层，其中，0.05≤x≤0.9。本发明具有以下有益效果：由于特定温度可以提供Ni与Si1-xGex层反应所需的热激活能，并使只有极少量的Ti与Si1-xGex反应并保持在Si1-xGex层与NiSi1-xGex层的界面处，产生几个原子层的缺陷聚集区，隔断了表层薄膜应力的释放向底层的传递，同时使Ni与Si1-xGex的反应以较缓慢的速度进行。因此，本发明对于保持Si1-xGex的应变起到了一定的作用，可以获得连续、均一、稳定的NiSiGe材料。

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