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公开(公告)号：CN103193616A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310112699.6
申请日：2013-04-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属催化合成技术领域，具体为一种非金属碳催化空气氧化环己烯制备己二酸的方法。本发明方法以环己烯为原料，非金属碳材料为催化剂，分子氧为氧源，一步法催化合成己二酸；本发明采用非金属碳催化环己烯氧化制备己二酸，所用设备及工艺简单，催化剂价廉易得，且催化活性、选择性高，无污染，体系环境友好，是一条绿色工艺路线。
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公开(公告)号：CN101375841A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710045306.9
申请日：2007-08-27
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/047 , A61K31/215 , A61K36/57 , A61P31/12 , A61P1/16
Abstract: 本发明属中药制药领域，涉及胡萝卜烷型倍半萜及其制备方法和在制备抗乙肝病毒药物中的新用途。本发明从五味子属Schisandra植物鹤庆五味子S.wilsoniana中提取胡萝卜烷型倍半萜并证实其抗HBV病毒活性。所述的化合物经与阳性对照拉米呋啶药理试验比较，结果证实具有显著的抗HBV作用，且有效浓度低，细胞毒性较小，本发明所述的胡萝卜烷型倍半萜化合物可作为活性成分制备治疗乙型肝炎的药物。
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公开(公告)号：CN101016538A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200610156508.6
申请日：2006-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属生物工程技术领域，涉及制备重组人源过氧化氢酶的方法。具体而言，本发明提供了一种采用基因工程技术克隆人源过氧化氢酶基因，构建其表达质粒，转化细胞获得高产量人源过氧化氢酶的方法。本发明所制得的人源过氧化氢酶产量高，高活性，生产方法简便，无疾病源污染的问题。本发明亦包括此方法中构建的新的重组质粒及转化细胞。本发明经实验证实，可将表达的重组人源的过氧化氢酶应用于制备抗感染、抗氧化、抗衰老或抗肿瘤药物。
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公开(公告)号：CN1903203A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510028153.8
申请日：2005-07-26
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/505 , A61P1/16 , A61P31/14 , A61P31/16 , A61P31/22
Abstract: 本发明属于化学合成活性化合物领域，具体涉及多取代酰基硫脲嘧啶衍生物在制备抗病毒药物中的用途。本发明根据卫生部药政局1993年7月颁布的“抗病毒新药筛选与临床前用药评估指导原则”中所述方法，测定了通式(I)的取代酰基硫脲嘧啶衍生物对乙肝病毒、流感病毒和疱疹病毒的抗病毒活性，结果表明，多取代酰基硫脲嘧啶衍生物具有高效抗病毒活性。本发明为寻找新型结构的抗病毒药物提供了有意义的资料。
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公开(公告)号：CN119630076A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411563867.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，具体为一种基于势垒高度调控的双端紫外光电探测器及制备方法。本发明探测器结构自下而上依次为：衬底，电极，功能层，介质层，透明电极层；基于于金属或半导体/绝缘体介质/透明电极结构，实现紫外光谱选择；通过绝缘介质层将两层半导体或金属层材料分离，以降低器件暗电流，当紫外光照射产生非平衡热电子的能量高于势垒高度时会发生热电子发射，从而形成光电流，以实现光探测。本发明利用隧穿势垒高度调控双端器件光谱响应，避免对宽禁带半导体的依赖，具有丰富的材料选择；两端结构与前期提出的势垒调控的三端紫外光电探测器，结构更加简单，光响应速度更快。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613061A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310440155.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。
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公开(公告)号：CN116504617A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310440157.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN116314319A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310219230.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
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公开(公告)号：CN116314316A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211027.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
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公开(公告)号：CN116246957A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310223425.8
申请日：2023-03-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/15
Abstract: 本发明提供了一种p型沟道GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构的第一部分和隔离层之间形成空腔，若干层超晶格结构的第一部分包括间隔设置的N个鳍型单元，且位于空腔上方的N个鳍型单元的部分对应形成N个超晶格纳米线，栅金属分别从四周包裹每个超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的pAlGaN层、pGaN层；每层超晶格结构对应形成一导电沟道，本发明利用多个超晶格纳米线提高p型沟道GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属分别从四周完全关断所有导电沟道，提高了p型沟道GaN HEMT器件的栅控能力及开关性能，从而实现提高p型沟道GaN HEMT器件性能的效果。
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