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公开(公告)号：CN119630076A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411563867.8
申请日：2024-11-05
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于光电子器件技术领域，具体为一种基于势垒高度调控的双端紫外光电探测器及制备方法。本发明探测器结构自下而上依次为：衬底，电极，功能层，介质层，透明电极层；基于于金属或半导体/绝缘体介质/透明电极结构，实现紫外光谱选择；通过绝缘介质层将两层半导体或金属层材料分离，以降低器件暗电流，当紫外光照射产生非平衡热电子的能量高于势垒高度时会发生热电子发射，从而形成光电流，以实现光探测。本发明利用隧穿势垒高度调控双端器件光谱响应，避免对宽禁带半导体的依赖，具有丰富的材料选择；两端结构与前期提出的势垒调控的三端紫外光电探测器，结构更加简单，光响应速度更快。
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