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公开(公告)号：CN101802967B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200880106539.8
申请日：2008-09-12
申请人： 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC分类号： H01J61/0675 , H01J9/022 , H01J61/72
摘要： 本发明的课题是提供具有高亮度、高效率且长寿命的阴极体。在由含有氧化镧的热传导率高的金属合金形成的圆筒状杯体上，采用能够以低电子温度进行溅射的磁控溅射装置，形成LaB6膜，由此来制造本发明的阴极体。
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公开(公告)号：CN101636521B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200880008619.X
申请日：2008-03-14
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452
摘要： 本发明的目的在于，提供一种在构成为利用旋转磁铁组使靶表面的磁场模式随时间移动的磁控溅射装置中，解决了在等离子点火和消去时被处理基板的不良率增高的问题，比以往降低了被处理基板的不良率的磁控溅射装置。本发明的磁控溅射装置设有等离子遮挡部件，该等离子遮挡部件相对靶在旋转磁铁组的相反侧具有缝隙，该等离子遮挡部件与被处理基板之间的距离比电子的平均自由行程短，或比鞘层厚度短。并且，通过抑制缝隙宽度和长度，使得等离子不能到达被处理基板。由此，可降低被处理基板的不良率。
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公开(公告)号：CN103044063A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210549666.3
申请日：2007-06-13
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C04B38/00 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L21/306 , H05H1/46
CPC分类号： B05B1/18 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板（105）配置在等离子体处理装置的处理室（102）中，为了在处理室（102）中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔（112）中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体（114）。将由多孔质气体流通体（114）的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。
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公开(公告)号：CN101970713B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200980107381.0
申请日：2009-03-02
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
摘要： 本发明提供一种旋转磁铁溅射装置。该旋转磁铁溅射装置具备等离子体遮蔽构件和被接地了的外壁，在等离子体遮蔽构件与外壁之间，具有串联谐振电路及并联谐振电路。串联谐振电路仅在谐振频率下具有非常低的阻抗，并联谐振电路仅在谐振频率下具有非常高的阻抗。通过制成此种结构，基板RF电力与等离子体遮蔽构件之间的阻抗就变得非常高，可以抑制在被处理基板(10)与等离子体遮蔽构件之间的等离子体的产生。另外，由于靶子与地之间设有串联谐振电路，因此仅在被处理基板穿过靶子下方的区域有效地供给RF电力，产生自偏压。
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公开(公告)号：CN101960613A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107659.4
申请日：2009-03-02
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/022425 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/07 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/108 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548
摘要： 本发明的课题在于通过降低接触电阻来改善光电转换元件结构的转换效率。本发明的p i n结构的光电转换元件结构，通过选择p型半导体的电荷带的上限的能级或n型半导体层的电子亲和力、与该半导体接触的金属层的功函数，与使用Al、Ag等作为电极时相比，使接触电阻降低。选择的金属层可以设置在由Al、Ag等形成的电极和半导体之间，也可以与n或p型半导体替换。
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公开(公告)号：CN101641458A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880009416.2
申请日：2008-03-28
申请人： 国立大学法人东北大学 , 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 在旋转磁铁溅射装置中，为了减少因靶的消耗而引起靶表面发生变化，导致成膜率经时变化的情况，对靶的消耗变位量进行测定，根据测定结果，调整旋转磁铁组与靶之间的距离，从而长时间实现均匀的成膜率。作为测定靶的消耗变位量的机构，可以使用超声波传感器，也可以使用激光发送接收装置。
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公开(公告)号：CN110573941B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201880010191.6
申请日：2018-03-27
申请人： 住友大阪水泥股份有限公司 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： G02F1/035
摘要： 在向电极施加高频信号而进行光调制的波导路型光调制元件中，提高电极的设计自由度而能实现进一步的宽带化。光调制元件(10)具备设置于基板(100)的光波导(104等)和控制在该光波导中传播的光波的电极(108等)，使高频信号向该电极传播而进行光调制，其中，所述电极包括：导电层(108a等)，由铜(Cu)或铜合金构成；及保护层(108b等)，由除了铜及铜合金以外的材料构成。
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公开(公告)号：CN112352164A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980043486.8
申请日：2019-08-08
申请人： 国立大学法人东北大学 , OHT株式会社
摘要： 电容检测区域传感器将多个电容传感器元件配置成二维阵列状，呈任意的形状，并与外部电极电容耦合。向外部电极供电具有电位差的检查信号。针对所选择的与外部电极电容耦合的电容传感器元件，在上述检查信号的第一信号时和第二信号时的定时从上述电容传感器元件获取第一传感器输出信号、第二传感器输出信号。生成将所获取到的第一传感器输出信号、第二传感器输出信号取差分而得的差分信号，并基于差分信号的电平来生成以不同的颜色或者不同的灰度表示外部电极的形状的图像。
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公开(公告)号：CN109716532A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780056959.9
申请日：2017-09-04
申请人： 株式会社V技术 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/786
摘要： 本发明提供一种氧化物半导体装置及其制造方法。具备由氧化物半导体构成的活性层区域的氧化物半导体装置中，可提高施加压力时的稳定性。氧化物半导体装置具备由铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)的氧化物半导体构成的活性层区域，该活性层区域中，在以数密度为1×1016～1×1020cm-3的范围内含有选自第4族元素的钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)或第14族元素的碳(C)、硅(Si)、锗(Ge)、锡(Sn)的元素。
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公开(公告)号：CN101903562B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
申请人： 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC分类号： C23C16/511 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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