公开(公告)号：CN103515365A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201310478518.1

申请日：2013-10-14

Applicant: 国家电网公司 ,  国网智能电网研究院 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 张朋 ,  包海龙 ,  张宇 ,  刘隽 ,  车家杰 ,  韩荣刚 ,  金锐 ,  于坤山

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/13 ,  H01L23/492 ,  H01L25/00 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种大功率压接式IGBT器件。IGBT器件为圆柱体或矩形体，所述IGBT器件包括管壳以及设置在管壳上下两端的两个功率电极，上功率电极为平板结构，下功率电极其中一面分布凸台阵列。器件内部在每个凸台上会设置子模组，子模组分为IGBT子模组和FWD子模组两类。IGBT和FWD子模组均包括功率芯片、多片金属垫片和绝缘框架；功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片两组。子模组中的IGBT芯片和FWD芯片均为厚度100-1000微米的矩形硅片。压接IGBT器件内部无任何焊点。在实际应用时，依靠器件外部施加的数十牛压力实现芯片和上下功率电极的良好连接，提高了器件可靠性，降低了工艺复杂度。

公开(公告)号：CN103035587A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210530554.3

申请日：2012-12-11

Applicant: 国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 张朋 ,  韩荣刚 ,  于坤山 ,  金锐 ,  杨霏

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/49

CPC classification number: H01L2224/46 ,  H01L2224/4805 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种大功率IGBT模块封装结构，所述结构包括底板、覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层、环氧树脂层和双绞软连线；所述底板、凝胶层和环氧树脂层从下到上依次分布，所述覆铜陶瓷基板的上下表面分别与半导体芯片和底板焊接，所述覆铜陶瓷基板和半导体芯片均封装在所述凝胶层内部，所述功率电极穿过环氧树脂层和凝胶层与覆铜陶瓷基板相连，所述控制电极通过环氧树脂层紧固，其通过双绞软连线与覆铜陶瓷基板的焊盘或直接与半导体芯片连接。本发明通过增加环氧树脂层增加了IGBT模块的气密性，同时对控制电极可起到紧固支撑的作用，从而简化了控制电极结构，同时便于覆铜陶瓷基板上半导体芯片的布局设计。

公开(公告)号：CN107305852B

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN201610262775.5

申请日：2016-04-25

Applicant: 华北电力大学 ,  全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  莫申杨 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆盘形金属电极，及相对该圆盘形金属电极的中心轴对称分布的多个凸台，凸台上放置IGBT模块；圆盘形金属电极布置在下端盖上，其上面和侧面分别设置有一个栅极PCB板和一个辅助栅极/发射极端子。与现有技术相比，本发明提供的一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，可以在主回路参数一致的条件下，测量多个并联的IGBT芯片的开关波形，从而综合评价芯片的动静态参数是否一致。

公开(公告)号：CN109979846A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201711460195.8

申请日：2017-12-28

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 王亮 ,  张朋 ,  韩荣刚 ,  张喆 ,  武伟 ,  林仲康 ,  石浩 ,  田丽纷 ,  唐新灵 ,  李现兵

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供了一种压接式IGBT模块单面烧结一致性的方法，该方法包括：从下至上将钼片、焊片和IGBT芯片组装到烧结卡具中、组装限位销压制压片和用连续真空烧结炉烧结构，制得压接式IGBT模块单面烧结连接结构。本发明提供的制备方法用连续式真空烧结炉，能够大规模烧结芯片，极大地缩短了工序时长，效率高，速度快；本发明中提供的烧结方法将待烧结零件与卡具之间的接触关系由面接触转变为点接触，解决了烧结过程中焊料溢出损害卡具以及工件无法取出的问题，改善了烧结过程中焊料的溢出，确保了烧结后工件的高度一致性。

公开(公告)号：CN109426901A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710740904.1

申请日：2017-08-25

Applicant: 中国电力科学研究院 ,  国家电网公司 ,  国网上海市电力公司

Inventor： 尚宇炜 ,  彭晨阳 ,  韦涛 ,  刘伟 ,  张伟 ,  周莉梅 ,  赵明欣 ,  陈海 ,  马丽 ,  崔艳妍 ,  刘苑红 ,  惠慧 ,  田英杰 ,  苏运 ,  张朋

IPC: G06Q10/06 ,  G06Q50/06

CPC classification number: G06Q10/06315 ,  G06Q50/06

Abstract: 本发明涉及一种中长期用电预测方法及装置，所述方法包括：根据历史日的外部因素数据及其对应的用电量数据，获取中长期用电预测的最小二乘支持向量机模型的训练数据和测试数据；利用蝙蝠算法优化中长期用电预测的最小二乘支持向量机模型的参数；利用优化参数后的中长期用电预测的最小二乘支持向量机模型进行中长期用电预测；本发明提供的技术方案，利用最小二乘支持向量机的算法原理，在有限样本数据的情况下，通过蝙蝠算法优化最小二乘支持向量机模型的正规化参数和核函数参数，使得模型具有更好的预测精度和泛化能力，可有效解决目前对于中长期用电预测方法不全面的问题。

公开(公告)号：CN108279333A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711432967.7

申请日：2017-12-26

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  李现兵 ,  张朋 ,  武伟 ,  林仲康 ,  韩荣刚 ,  石浩 ,  张喆 ,  田丽纷 ,  张璧君 ,  王亮

IPC: G01R27/26

Abstract: 本发明公开一种基于IGBT器件的电感提取方法及装置，其中基于IGBT器件的电感提取方法包括如下步骤：获取待测IGBT器件在开通瞬态下的第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值、关断瞬态下的第二电流值和第二电压值以及第二电源电压值；根据第一电流值、第一电压值以及第一电源电压值，计算闭合回路的第一电感值，并根据第二电流值、第二电压值以及第二电源电压值，计算闭合回路的第二电感值；计算第一电感值和第二电感值的平均值得到闭合回路中的第三电感值。本发明通过同时计算待测IGBT器件在开通瞬态下和关断瞬态下的电感值，然后通过计算二者电感值的平均值降低提取闭合回路电感值的误差。

公开(公告)号：CN108063096A

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201711129294.8

申请日：2017-11-15

Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 ,  国网山东省电力公司电力科学研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 王亮 ,  武伟 ,  林仲康 ,  田丽纷 ,  韩荣刚 ,  唐新灵 ,  石浩 ,  张朋 ,  李现兵 ,  张喆

IPC: H01L21/60 ,  H01L29/739 ,  H01L23/488 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L23/3736 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L29/7393 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105

Abstract: 本发明提供的一种半导体功率器件子模组及其生产方法及压接式IGBT模块，所述半导体功率器件子模组的生产方法包括如下步骤：S1.在钼片的镀银面上沉积AgSn薄膜焊膏；S2.将芯片通过卡具贴装在所述AgSn薄膜焊膏表面，形成待烧结结构。本发明提供的半导体功率器件子模组的生产方法，在钼片上首先沉积AgSn，AgSn具有很强导热能力，可以确保整个子模组的传热能力。

公开(公告)号：CN106291309A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610843104.8

申请日：2016-09-22

Applicant: 全球能源互联网研究院 ,  国家电网公司 ,  国网浙江省电力公司 ,  华北电力大学

Inventor： 邓二平 ,  李现兵 ,  张朋 ,  温家良

IPC: G01R31/26

CPC classification number: G01R31/2601

Abstract: 本发明提供了一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法。与现有技术相比，所述测试单元包括集电极、被测芯片子模组、PCB板、固定框架和发射极；集电极和发射极的外部侧壁上分别设置有集电极限位凹槽和发射极限位凹槽，固定框架的内部侧壁上设置有限位凸台；集电极、被测芯片子模组、PCB板和发射极顺次叠放在固定框架内，且限位凸台嵌入在集电极限位凹槽和发射极限位凹槽内。本发明提供的一种功率半导体芯片测试单元及其测试方法，可以限制测试单元内各部件的纵向位移而只存在轴向位移，不仅利于对被测芯片子模组进行随时拆卸和压力加载，还能保证在多次测试过程测试单元内各部件的位置相对固定。

公开(公告)号：CN105552038A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510960406.9

申请日：2015-12-18

Applicant: 华北电力大学 ,  国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC: H01L23/10 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明提供一种大功率压接式IGBT器件，包括管壳和同轴安装在所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上安装有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块，所述下端金属电极的内侧面上垂直安装有将所述下端金属电极的内侧面分隔成四个区域的十字形硅钢片组；所述凸台分布在所述四个区域内；所述十字形硅钢片组外部为绝缘框架。本发明提供的技术方案将大量的凸台进行分割，降低了凸台在通过瞬态电流时，所产生磁场的相互影响，从而实现了局部区域内凸台之间杂散电感的最小化，提高了器件的使用性能。

公开(公告)号：CN105514095A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510959099.2

申请日：2015-12-18

Applicant: 华北电力大学 ,  国网智能电网研究院 ,  国家电网公司

Inventor： 唐新灵 ,  崔翔 ,  赵志斌 ,  张朋 ,  李金元 ,  温家良

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块。本发明提供的压接式IGBT模块整体结构简单紧凑、散热性能更好、驱动回路杂散参数更小，对钼片、芯片、银片厚度一致性以及凸台高度一致性要求更低，提高了器件的使用性能。