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公开(公告)号：CN109226667B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811366759.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于合金制备技术领域，尤其涉及一种电磁冷坩埚复合陶瓷铸型的定向凝固方法，具体步骤为：将合金母锭切割后固定于根据构件形状自制的Y2O3陶瓷铸型内并置于电磁冷坩埚腔体中；铸件下端浸入液态金属冷却液中；将定向凝固装置抽真空后返充氩气；利用电磁感应将合金母锭加热至熔化后在一定温度下以一定速度向下抽拉铸型，当抽拉距离达到要求时，停止抽拉和加热，降温后即得合金定向凝固构件。本发明提供的定向凝固方法在满足构件形状要求的同时，能够降低铸型与合金熔体，尤其是高活性合金熔体的反应，减少铸型造成的污染；还可以缩短过渡区长度，细化合金的柱状晶和片层结构，改善合金显微组织，显著提升合金构件的力学性能。
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公开(公告)号：CN109280809A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811308160.7
申请日：2018-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种细化TiAl合金片层组织的冷坩埚定向凝固方法，属于TiAl合金处理技术领域。所述方法为：制备成分为Ti-47Al-2Nb-2Cr-0.2C的合金铸锭；将该合金铸锭加工成冷坩埚定向凝固实验用圆棒；在多功能冷坩埚电磁约束精确成形定向凝固设备中，将圆棒制备成TiAl金属间化合物定向凝固试样；对TiAl金属间化合物定向凝固试样进行定向凝固实验，测量实验过程中TiAl合金固相中的温度梯度，得出冷却速率；改变定向凝固TiAl合金的冷却速率，制备具有不同片层厚度的定向凝固TiAl合金。本发明通过增加冷坩埚定向凝固过程中的抽拉速率，进而提高定向凝固TiAl合金的冷却速率，细化定向凝固TiAl合金的片层组织，不破坏其定向凝固效果，对提高TiAl合金的室温塑性，实现其工程化应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN104947069B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510394176.4
申请日：2015-07-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法，它涉及一种制备金刚石微米棒阵列膜的方法。本发明的目的是要解决目前金刚石微米棒阵列膜制备工艺复杂，制备成本较高，不能精确控制孔洞长径比的问题，本发明步骤为：硅片模板的制备、涂覆金刚石悬浮液、放置样品、金刚石微米棒阵列膜的生长、硅片模板的剥离，即完成。本发明利用多孔硅片模板代替AAO模板制备金刚石微米棒阵列膜，降低了薄膜的制备成本，简化了制备的工艺过程，通过调整硅片上孔洞的直径以及深度可以制备具有不同长径比的微米棒阵列，从而研究不同微米棒长径比对材料性能的影响。本发明应用于薄膜生长技术领域。
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公开(公告)号：CN107523828A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710787686.7
申请日：2017-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种GaN与金刚石复合散热结构的制备方法，本发明涉及金刚石膜层与GaN连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN器件的散热性能有待提高，GaN在生长过程中易崩碎的问题。制备方法：一、超声清洗GaN晶片；二、在洁净的GaN晶片上镀制Si3N4过渡层；三、继续磁控溅射镀制Si过渡层；四、超声清洗；五、在表面建立辅助形核点；六、置于MPCVD装置中沉积金刚石层。本发明GaN表面的金刚石层的热导率可以达到1260±120W/(mK)，制备Si3N4过渡层不导电，有效保护GaN器件性能，并能保护GaN免受等离子体侵蚀。
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公开(公告)号：CN106835275A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710101532.8
申请日：2017-02-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C30B29/04 , C30B25/025 , C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/186 , C30B33/00 , C30B33/10
Abstract: 一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法，本发明涉及单晶金刚石反蛋白石的制备方法。本发明要解决现有的金刚石反蛋白石结构只能制备出多晶体，从而导致其力学、光学和热学综合性能的下降的问题。方法：一、金刚石晶片预处理；二、SiO2微球预处理；三、SiO2多层微球自组装；四、掩模板处理；五、反蛋白石单晶金刚石生长；六、生长后处理；七、掩模板去除。本发明用于一种采用垂直沉积模板制备单晶金刚石反蛋白石的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104878447B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510304886.3
申请日：2015-06-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法，本发明涉及同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明要解决现有的MWCVD生长系统中籽晶易被气流吹动偏离最佳位置，以及籽晶与金属钼衬底之间导热困难，使用真空钎焊造成籽晶表面质量下降且不易观察的问题。方法：一、清洗；二、选择金箔；三、放置样品；四、原位连接；五、金刚石生长，即完成同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。本发明用于一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法。
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公开(公告)号：CN105760637A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610251984.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5086
Abstract: 一种小型汽轮机转子挠度理论值计算方法，本发明涉及小型汽轮机转子挠度理论值计算方法。本发明是为了解决现有技术中的计算方法准确度低的问题。本发明对汽轮机转子进行三维建模，得到三维转子模型；对三维转子模型进行简化处理，并对简化后的转子标注相应的轴段号和点号；根据三维转子模型的质量分析确定载荷，将任一轴段等效成梁单元，对梁单元进行受力分析，得到转子挠度迭代矩阵；根据汽轮机转子材料属性，确定汽轮机转子基本参数；将汽轮机转子基本参数代入转子挠度迭代矩阵中，计算求解汽轮机转子挠度点集并绘制挠度曲线。本发明应用于汽轮机设计及装配领域。
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公开(公告)号：CN104382292B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410562879.9
申请日：2014-10-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: A43D117/00 , A43D8/00 , A43D11/00
Abstract: 一种用于鞋底后续加工及分类的多功能工作台架，它涉及一种工作台架。现有鞋底在定型后，其后续工序的品质检查、毛边修剪、冷却定型和装箱计数的操作过程需要借助较大占地设备且需多次搬运大量鞋底，不但浪费人力物力，还存在计数量不准确的问题。本发明中所述操作面板的下端面与下层支撑架体固接，操作面板的上端面上固接有上层支撑架体，供给箱体可拆卸连接在下层支撑架体的侧面；多个倾斜面板和多个水平面板固接在多个支撑柱之间，每两个倾斜面板之间均有一个水平面板，每个第二组成工作架体上有多个计数报警装置，多个第二组成工作架体均布在第一组成工作架体周围，每个倾斜面板的另一端设置有一个分类箱体。本发明用于鞋底加工中。
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公开(公告)号：CN105424324A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510956805.8
申请日：2015-12-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01M11/02
CPC classification number: G01M11/02
Abstract: 一种用于对CMOS图像传感器进行非线性参数实时测试的装置，属于CMOS图像传感器测试领域。解决了现有对CMOS图像传感器的非线性参数进行人工测试的方法，导致测试准确度低的问题。FPGA处理板通过步进电机控制器对旋转机构进行位置信息采集及控制，激光器出射的激光经望远镜准直后，入射至反射镜，经反射镜反射后，又经聚焦透镜聚焦后，通过光阑入射至待测CMOS图像传感器，待测CMOS图像传感器将采集的光斑图像通过并行总线送至FPGA处理板；FPGA处理板实对采集的光斑图像进行处理，获得NU值，NU值与设定的阈值进行比较，判定待测CMOS图像传感器是否合格。用于对图像传感器进行检测。
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公开(公告)号：CN103323940B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310206442.7
申请日：2013-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G02B21/36
Abstract: 一种基于双光子显微镜的电动平移装置的二维螺旋扫描方法，涉及一种基于双光子显微镜的电动平移台二维扫描技术，属于电动平移台自动化控制领域。它为了解决传统手动控制平移台扫描位置精确性差的问题。本发明所述的一种基于双光子显微镜的电动平移装置包括电动平移台、控制器、RS232接口、计算机和手动摇杆及显示装置。扫描轨迹为螺旋形。扫描过程中，计算机计算扫描轨迹各边界点坐标值，并通过控制器控制电动平移台移动，控制器不断将电动平移台的实际位置反馈给计算机，实现计算机对电动平移台实际位置的监测，保证电动平移台能够达到预设位置，确保扫描位置的精确性。本发明适用于基于双光子显微镜的电动平移台二维扫描技术领域。
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