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公开(公告)号：CN105601264A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201511029341.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/626
CPC classification number: C04B35/2675 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/6261 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B2235/3224 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3298 , C04B2235/612 , C04B2235/77
Abstract: 一种高致密化多铁性(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1-xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1-y)BiFeO3-yBi1-xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。
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公开(公告)号：CN109264678B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201811240967.1
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B21/072
Abstract: 本发明提出一种AlN纳米线的制备方法，包括步骤1、混料：将Ti粉、Al粉和C粉进行混合；步骤2、研磨：在球磨罐中加入研磨球，将步骤1所得原料放入球磨罐中，在球磨罐中倒入酒精直至将原料完全盖住，把球磨罐放入球磨机中固定，湿磨8h~12h；步骤3、烘干：将研磨后的物质在水浴环境下进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤4、过筛：将烘干后的物质进行过筛，以将研磨球与原料进行分离；步骤5、烧结与取料：将步骤4所得的原料在氮气环境下进行烧结，烧结温度达到1300℃或以上时，保持该温度0.5h~4h，通过气相沉积法制备AlN纳米线，当温度下降后，即可取出烧结产物，即AlN纳米线。通过上述制备方法制备的纳米线为AlN单晶，其直径范围在100‑200 nm，长度范围以5‑10μm居多。
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公开(公告)号：CN109179420B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201811240955.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即得到B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带，上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下，使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率，使生产成本显著降低，具有较为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN108546458A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810475858.1
申请日：2018-05-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D121/00 , C09D7/61 , C09D5/33
Abstract: 一种光热转化能力可随环境温度变化的复合涂层及其制备方法，属于建筑涂料制备技术领域。所述的复合涂层由底层涂层和表层涂层组成；所述的底层涂层的原料含有高发射率/高热膨胀率粉体，表层涂层的原料含有低发射率/低热膨胀率粉体。方法如下：准备两份等量的涂料胶体，其中一份加入高发射率/高热膨胀率粉体，另一份加入低发射率/低热膨胀率粉体，分别加入水，即制备得到两种涂料；在墙体上先均匀涂抹底层涂料，形成底层涂层，待底层涂层成膜后，再涂刷表层涂料，形成表层涂层。本发明所采用粉体皆为价廉易得的材料，只需将原材料以适当比例掺混后涂刷及喷涂即可成型，即通过一定形式的技术组合即可实现节能的目的。
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公开(公告)号：CN105218076B
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201510560733.5
申请日：2015-09-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/624
Abstract: 一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法，它涉及单相磁电陶瓷材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法制备纯相SrMnO3陶瓷粉体存在晶化温度高，颗粒分布不均匀，需要高温高压的复杂反应条件和成本高等问题。方法：一、制备溶液A；二、制备溶液B；三、制备SrMnO3溶胶；四、制备干凝胶；五、研磨、煅烧，再随炉自然冷却至室温，得到SrMnO3陶瓷粉体。优点：本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体杂质较少、纯度高；SrMnO3陶瓷粉体的产量为90％～95％；本发明制备的SrMnO3陶瓷粉体与现有技术相比，成本降低了40％～50％。本发明可获得一种利用溶胶凝胶法制备SrMnO3陶瓷粉体的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104529436B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510032959.8
申请日：2015-01-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/475 , C04B35/622
Abstract: 一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备方法，本发明涉及铁电陶瓷领域。本发明要解决现有掺钕的钛酸铋的制备方法存在产物杂质相多，致密度低，铁电性差的问题。制备方法：将次硝酸铋和硝酸钕溶于醋酸中，加入乙二醇溶液后，与加入乙二醇溶液的钛酸四丁酯溶液混合搅拌得Bi3.15Nd0.85Ti3O12溶胶，将溶胶干燥，研磨，焙烧，晶化后得Bi3.15Nd0.85Ti3O12纳米粉体，将纳米粉体填装于高强石墨制成的模具中，在氩气保护气氛下，单向加压，高温烧结制得高致密度的铁电陶瓷。本发明用于一种高致密度Bi4-xNdxTi3O12铁电陶瓷的制备。
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公开(公告)号：CN109179420A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811240955.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 哈尔滨工业大学(威海) , 威海云山科技有限公司
IPC: C01B32/991 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结与取料：将前驱体粉末在保护气体环境下进行烧结，烧结温度达到1400℃时，在保护气体环境下保持该温度0.5h~1.5h，通过气相沉积法制备B4C纳米带，之后当温度下降后，即可取出烧结产物，即B4C纳米带。通过上述制备方法制得的纳米带为具有均匀宽度和厚度的单晶B4C纳米带，上述制备方法能够在简化工艺流程、缩短制备时间的前提下，使B4C纳米带仍保持较高的纯度和转化率，使生产成本显著降低，具有较为广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN105601264B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201511029341.2
申请日：2015-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种高致密化多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷的制备方法，涉及一种复合陶瓷的制备方法。本发明是要解决传统方法制备多铁性(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷致密化低、漏电流大的问题。方法：一、BiFeO3纯相粉体的制备；二、Bi1‑xRxFeO3纯相粉体的制备；三、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷粉体的制备；四、球磨混料；五、将球磨混合后的粉末干燥，研磨，造粒；六、将过筛后的粉体冷等静压处理，排胶；七、(1‑y)BiFeO3‑yBi1‑xRxFeO3复合陶瓷块体的制备；八、将步骤七制备得陶瓷块体进行砂纸打磨，磨碎，造粒，排胶；九、将步骤八得到的排胶后的陶瓷坯体进行二次烧结，即得复合陶瓷。本方法用于复合陶瓷领域。
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公开(公告)号：CN101575734A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200910071891.9
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种掺铒－铌酸锂晶体及制备方法。它是以99.99wt％MgO、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5、99.99wt％LiCO3为基础原料，MgO的掺杂量分别为0～8mol％，Er2O3的掺杂量为1～4mol％，Li/Nb＝0.946～0.65。本发明综合运用抗光损伤元素掺杂与化学计量比生长两种手段，同时实现有源光波导器件基质材料－铌酸锂晶体的Er离子低簇位浓度、强抗光损伤能力，获得明显增强的1.5μm波段光发射性能，推动有源LN光波导器件向实用化阶段迈进。
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公开(公告)号：CN101555625A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910071889.1
申请日：2009-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种重掺抗光损伤元素的Er－LiNbO3晶体。以99.99wt％APE、99.99wt％Er2O3、99.99wt％Nb2O5和99.99wt％LiCO3为基础原料，APE包括ZnO、In2O3和ZrO2，ZnO的掺杂量为6～8mol％，In2O3的掺杂量为1.5～3mol％，ZrO2的掺杂量为4～8mol％，Er2O3的掺杂量为0.5～2mol％，Li/Nb摩尔比＝0.946。本发明同时解决了现有同成分掺铒铌酸锂晶体近红外发光效率低与抗光损伤能力的问题。本发明产品的发光效率最大增加5倍，抗光损伤能力提高三个数量级。本发明将极大推动掺铒铌酸锂晶体发光材料在波导激光器放大器与激光器领域的应用。本发明的方法工艺简单，便于操作。
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