-
公开(公告)号：CN116092603A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211618609.6
申请日：2022-12-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F113/26 , G06F119/14
Abstract: 本发明提供了一种复合材料损伤分析方法、装置、设备及存储介质，所述方法包括：将复合材料单胞划分为六面体单元，获取各个六面体单元中节点的坐标信息；获取复合材料的纤维轮廓包络面方程；进而获取各个所述六面体单元的材料属性；根据坐标信息以及材料属性，构建得到复合材料的单胞模型；根据位移载荷信息以及复合材料的参数，获取单胞模型的单元平衡方程，然后获取总体平衡方程，再获取单胞模型的节点位移；根据节点位移，获取仿真计算结果，并根据仿真计算结果更新单胞模型中刚度矩阵和单元本构关系。本发明显著简化了复合材料建模过程，降低的建模难度，且不需要借助商业软件和二次开发，显著提高了复合材料损伤分析的效率。
-
公开(公告)号：CN111863606B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735237.X
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/265 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层；向所述外延层内注入碳离子，以在所述外延层底部形成碳离子注入层；在所述外延层顶部两侧形成基区，并向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过碳离子注入层可形成有效的抗辐射隔离区，并形成碳氧/碳碳络合物及碳化硅结构层等，有助于提升晶体管抗辐射能力。同时，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度梯度的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，减少基区损伤区域，提升晶体管的抗辐射能力，同时又能够保证晶体管本身的性能。
-
公开(公告)号：CN115758816A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211404858.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种面向工艺仿真的边界演变修复方法、装置及存储介质，其中，一种面向工艺仿真的边界演变修复方法包括：对半导体器件进行边界识别；对识别得到的边界进行回路检测；当存在不合理边界回路时，进行边界修复，确定合理边界回路。本发明通过在半导体器件的工艺仿真中引入边界形态检测和修复过程，以消除沟道、遮挡等因素在工艺过程中的影响，防止相应边界深入单体材料内部，以得到工艺仿真产生的正确边界结果，从而得到符合预期的仿真结果，保证工艺仿真结果的准确性与可靠性。
-
公开(公告)号：CN112356534B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202011238152.7
申请日：2020-11-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B32B15/08 , B32B15/20 , B32B27/18 , B32B27/28 , B32B37/02 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08L61/16 , C08K3/38
Abstract: 本发明提供了一种辐射防护复合材料及其制备方法，所述辐射防护复合材料以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，其中，所述中间层的相对两侧均设有所述面层。本发明通过以聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料作为面层，以铝‑含硼纳米复合材料作为中间层，形成具有三层结构的复合材料，聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料能对铝‑含硼纳米复合材料起到较好的防护作用，避免铝‑含硼纳米材料腐蚀，产生二次电子，造成二次辐射，且聚醚醚酮‑含硼纳米复合材料也具有优异的质子、中子和电子等空间带电粒子辐射防护性能，能减少复合材料中铝‑含硼纳米材料的用量，从而减少辐射防护复合材料的质量。
-
公开(公告)号：CN111766499B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202010735771.0
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体材料深能级瞬态谱测试系统及方法，涉及测试技术领域，包括：向被测半导体施加触发信号；获取被测半导体的检测电压和检测电流；根据检测电压和检测电流确定检测电容量；根据检测电流确定瞬态电流量；对检测电容量和瞬态电流量进行数据分析和数据同步，确定同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱。本发明向被测半导体施加触发信号，在测试基于电容变化的深能级瞬态谱的同时，也测试基于电流变化的深能级瞬态谱，不仅提高了测试速度，还可通过同时结合电容变化和电流变化的深能级瞬态谱进行数据对比。除此之外，通过同时获取电压、电流多方面的信息，使测试结果更为可靠准确。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115206447A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210762598.2
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种单晶硅湿氧热氧化工艺的模拟方法，涉及硅工艺的模拟技术技术领域。包括如下步骤：构建表面带有真空层的单晶硅的模型，在恒温条件下，间隔预设反应时间，重复在真空层的随机位置将O2分子和H2O分子以该温度所对应的气体速率向单晶硅表面发射，使单晶硅表面发生氧化反应，退火后，得到氧化试样；氧化试样包括氧化层；获取氧化层的结构参数，重复上述步骤，获取并分析氧化层的结构参数，结构参数至少包括Si‑H键、Si‑O‑H键的数目。本发明从微观角度出发，通过模拟湿氧热氧化工艺的方法掌控和分析氧化层中H的存在形式和电子性质，达到经济高效地预测和优化工艺及相应使用器件的目的。
-
公开(公告)号：CN115188438A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210762547.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种基于原子氧与紫外协同作用下材料剥蚀效应的模拟方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述模拟方法包括：获取原子氧环境影响参数，所述原子氧环境影响参数包括：航天器速率、来流方向以及原子氧密度；建立航天器的三维模型，将所述原子氧环境影响参数输入到所述三维模型，得到航天器表面原子氧通量；根据航天器表面受到原子氧与紫外辐照的协同情况，确定航天器表面材料剥蚀反应系数；通过所述航天器表面原子氧通量和所述航天器表面材料剥蚀反应系数，得到航天器表面材料的剥蚀厚度。本发明的模拟方法步骤简单，易于操作，且模拟准确。
-
公开(公告)号：CN115186567A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210769893.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06T17/00 , G06F119/04
Abstract: 本发明提供一种针对太阳耀斑辐射器件后损伤效应的计算方法，包括：构建飞行器敏感体的结构模型，并对所述结构模型添加球形外壳结构；获得所述太阳质子粒子源的积分能谱或微分能谱，然后将所述积分能谱或所述微分能谱导入求解器，得到所述积分能谱或所述微分能谱辐照所述球形外壳结构后的粒子能谱及累计通量；删除所述球形外壳结构，将所述粒子能谱导入求解器，对所述结构模型进行辐照，得到所述粒子能谱辐照后的所述结构模型的辐射损伤数据；对所述辐射损伤数据进行分析，分析粒子对所述飞行器敏感体的辐射损伤效应。本发明提供的计算方法能够精确模拟在辐射屏蔽层存在条件下太阳耀斑对飞行器敏感体的损伤情况，更加符合真实环境。
-
公开(公告)号：CN115186539A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210770230.0
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C60/00 , G06T17/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种航天器表面原子氧掏蚀效应的显示方法，涉及航天器仿真计算技术领域，所述方法包括：根据坐标系内各方向上的所述多边形网格数量生成结构化网格文件；生成初始裂纹文件；生成掏蚀网格文件；根据所述结构化网格文件的数据、所述初始裂纹文件的数据以及所述掏蚀网格文件的数据，完成航天器表面原子氧掏蚀效应的显示。与现有技术比较，本发明能够直观显示航天器表面原子氧掏蚀效应，达到获得精确预测原子氧与紫外下材料表面掏蚀情况的目的，且本方法步骤简单，易于操作。
-
公开(公告)号：CN115186536A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210759852.3
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F111/10
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件中辐照缺陷演化的模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：利用分子动力学方法对半导体器件进行缺陷演化模拟，并获取所述半导体器件的缺陷愈合率；获取所述半导体器件的初始缺陷浓度，并根据所述初始缺陷浓度和所述缺陷愈合率，获得所述半导体器件的稳态缺陷浓度；将所述半导体器件的稳态缺陷浓度作为输入参数，进行所述半导体器件的性能模拟，获取所述半导体器件的性能与所述缺陷愈合率之间的关系。本发明在使用分子动力学方法获得缺陷愈合率之后，将愈合率作为输入参数进行半导体器件性能模拟，通过半导体器件的性能直观且准确地表征半导体器件辐照的缺陷愈合率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
321
records
(took 0.044 seconds)
