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公开(公告)号:CN112621116B
公开(公告)日:2022-07-01
申请号:CN202011418595.4
申请日:2020-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种用于方钴矿热电材料与Cu基电极的低温纳米连接方法,涉及一种用于方钴矿热电材料与电极的连接方法。目的是解决现有的方钴矿与铜电极连接存在元素扩散和装夹难度大的问题。方法:在方钴矿表面镀覆含Co元素的防扩散阻隔层,然后在防扩散阻隔层表面涂纳米银焊膏,再在纳米银焊膏表面放置Cu电极,构成焊接件,进行真空钎焊,即完成。本发明采用膏状纳米银焊膏实现低温连接方钴矿与电极,连接后接头未发生元素扩散,接头接触电阻低。连接速度快,效率高,能够实现器件的大规模制备。本发明适用于方钴矿热电材料与Cu电极的连接。
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公开(公告)号:CN113828906A
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN202111240754.0
申请日:2021-10-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用高熵合金中间层连接方钴矿与电极的扩散焊方法,涉及一种方钴矿与电极的扩散焊方法。为了解决方钴矿与电极的连接和所得器件在服役中存在元素扩散、热膨胀系数不匹配和接触电阻大的问题。方法:方钴矿热电材料和电极预处理,制备FeCoNiCrMo高熵合金铸锭,将高熵合金薄片与置于方钴矿和电极待焊面之间进行扩散焊。本发明采用高熵合金作为方钴矿与电极连接的中间层实现阻隔二者之间元素持续扩散的作用。同时利用高熵合金能够通过改变元素配比来调节其热膨胀系数的特性,实现了高熵合金、方钴矿和电极热膨胀系数的良好匹配,并且所得接头具有低的接触电阻率,接头的热稳定性高。本发明适用于连接方钴矿与电极。
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公开(公告)号:CN111014929B
公开(公告)日:2021-04-20
申请号:CN201911384113.5
申请日:2019-12-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K20/00 , B23K20/24 , B23K103/18
Abstract: 一种用于方钴矿热电材料与电极的快速扩散焊连接方法,涉及一种扩散焊连接方法。目的是解决现有方钴矿热电材料与电极连接时存在Sb元素挥发和元素扩散的问题。方法:取电极并对待焊面进行清理,在电极待焊面表面电镀合金阻隔层,方钴矿热电材料待焊面清理,进行扩散焊。本发明在电极侧通过电镀法制备阻隔层,再与方钴矿热电材料在相对较低的压力和相对较低的温度下实现扩散焊,过程中不存在焊缝元素与方钴矿的元素扩散,能够防止Sb元素挥发和元素扩散的发生。本发明适用于方钴矿热电材料与电极焊接。
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公开(公告)号:CN110315159A
公开(公告)日:2019-10-11
申请号:CN201910657194.5
申请日:2019-07-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种硬质合金钢复合刀具的制造方法,涉及一种复合刀具的制造方法。目的是解决硬质合金钢复合刀具制备时接头残余应力高和硬质合金的硬度降低的问题。方法:向硬质合金待焊面上的转移石墨烯,然后在硬质合金待焊面和钢制刀板待焊面中间放置钎料连接板,然后进行钎焊,钎料连接板由数层BNi2钎料箔片、1层网状碳纳米管片和1层Cu箔片叠放构成。本发明在硬质合金待焊面转移石墨烯,在钎焊时能够抑制硬质合金向钎料中的溶解,避免了硬质合金硬度下降。添加具有低膨胀系数的网状碳纳米管解决了硬质合金侧应力大的问题。本发明适用于制备硬质合金钢复合刀具。
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公开(公告)号:CN110093642A
公开(公告)日:2019-08-06
申请号:CN201910417553.X
申请日:2019-05-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种热电材料和金属材料表面合金化的方法及应用,涉及一种材料表面合金化的方法及应用。为了解决采用电镀方法进行金属材料表面合金化时镀层与基底结合强度低的问题,以及采用热压法进行热电材料表面合金化时反应温度高的问题。方法:对热电材料进行电镀,电镀后进行退火。退火可以使镀层与基底发生冶金结合,使镀层与基底的结合强度提高,结合强度能达到10MPa以上。本发明适用于热电材料和金属材料表面合金化。
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公开(公告)号:CN119876872A
公开(公告)日:2025-04-25
申请号:CN202411973794.X
申请日:2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 一种基于常规柱靶放电的磁控溅射装置改进的阴极靶外置缺口阳极罩及使用方法。它属于表面处理领域。它解决了现在方法存在靶基距小,无法插入阳极而导致等离子体能量的有效调节受到限制的问题。本发明在柱状阴极靶材的外部设置阳极罩,柱状阴极靶材、阳极罩和细长管筒件同轴设置且均可轴向旋转。本发明将放电面从整个圆周固定为具有轴向的截面的部分圆柱的平面,同时,在柱状靶外围包覆阳极罩,阳极罩为侧面开有轴向缺口的圆管,端面呈弧形,单侧开口,增加了靶面到阳极罩的放电间距,从而降低内置柱状靶的放电难度,等离子体能量会受到电场的有效调控;实现靶面和细长管筒件内壁的同步清洗,通过匀速旋转细长管筒件,实现了内壁均匀高效涂层沉积。
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公开(公告)号:CN119776786A
公开(公告)日:2025-04-08
申请号:CN202411973795.4
申请日:2024-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种空心阴极自溅射在细长管筒件内壁快速均匀沉积薄膜的装置。它属于表面处理领域。它解决了常规方法无法在细长管筒件内有效放电,等离子体能量受控调节差和沉积薄膜的均匀性差的问题。装置:包括空心阴极靶材、细长管筒件、阳极杆、空心阴极电源和偏压电源。本发明利用空心阴极的开口方向为沿轴方向,而其阳极可与其同轴置于管内,细长管筒件连接偏压负极,正极连接阳极杆,二者产生的等离子体在阳极与细长管筒件之间偏压电场的作用下,可在细长管筒件内壁进行可控沉积,有效实现对等离子体能量的调节。同时,通过对细长管筒件进行牵引移动,可实现放电区域与细长管筒件内壁不同位置的有效接触,实现细长管筒件内部全位置的涂层均匀有效沉积。
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公开(公告)号:CN118951195A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411333415.0
申请日:2024-09-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种以NiCoFeMo为阻隔层的碲化铋与铜的钎焊连接方法,涉及钎焊连接技术领域。本发明是为了解决碲化铋与铜的热电接头在200℃以上长期服役时,因元素剧烈互扩散最终导致接头断裂及热电器件失效的问题。方法:将钎料置于待焊碲化铋的待焊面与待焊铜的待焊面之间进行装配,得到待焊连接件;将待焊连接件置于加热炉中,加热至300~320℃,并在300~320℃的温度条件下保温5~30min,保温结束后冷却至室温,完成碲化铋与铜的钎焊连接。本发明可获得一种以NiCoFeMo为阻隔层的碲化铋与铜的钎焊连接方法。
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公开(公告)号:CN117295382B
公开(公告)日:2024-06-14
申请号:CN202311241868.6
申请日:2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法,涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法:步骤1、称取:按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁;步骤2、制备方钴矿元素阻隔层:将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式,制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层,所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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公开(公告)号:CN117295382A
公开(公告)日:2023-12-26
申请号:CN202311241868.6
申请日:2023-09-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H10N10/01 , H10N10/80 , C22C33/04 , C22C38/12 , B22F9/04 , B22F3/105 , B22F3/14 , B22F9/08 , C23C14/30 , C23C14/26 , C23C14/18 , C23C14/58
Abstract: 一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法,涉及方钴矿热电材料元素阻隔层制备技术领域。本发明的目的是为了解决现有方钴矿与金属电极连接过程中方钴矿与金属电极之间易发生元素扩散以及焊接接头强度衰减的问题。方法:步骤1、称取:按照方钴矿元素阻隔层中钒和铁的原子百分比分别称取纯钒和纯铁;步骤2、制备方钴矿元素阻隔层:将称取的纯钒和纯铁采用电弧熔炼、粉末冶金或物理气相沉积的方式,制备得到高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层,所述的方钴矿元素阻隔层为P型方钴矿元素阻隔层或N型方钴矿元素阻隔层。本发明可获得一种高热稳定性且膨胀系数可调的方钴矿元素阻隔层的制备方法。
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