公开(公告)号：CN102163658A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110034354.4

申请日：2011-02-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  杭春进

IPC: H01L33/00

Abstract: LED多芯片吸嘴，它涉及一种多芯片吸嘴。它为了解决现有LED芯片贴装用的多芯片吸嘴存在的吸嘴位置固定，当出现吸嘴平面与基板芯片键合平面不平行或多个键合点位置不在同一水平面时，芯片贴放存在较大的精度误差的问题而提出。上端壳体和下端壳体之间留有气腔；多个芯片吸嘴固定设置在下端壳体上；上限位块装设在下端壳体的上端面的上限位槽内；圆锥形壳体的锥底端位于下端壳体的下端面的安装槽内；下限位块装设在圆锥形壳体内部的限位腔内，上限位块和下限位块分别与吸管固定连接；弹簧位于上限位块与下限位块之间，吸管的一端与上端壳体和下端壳体之间气腔连通，吸管的另一端从圆锥形壳体的锥顶处伸出。它具有贴装效率高及精确度高的优点。

公开(公告)号：CN102130110A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010604319.7

申请日：2010-12-24

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  杭春进

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/60 ,  H01L33/54

CPC classification number: H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 多芯片组大功率LED封装结构，属于LED封装技术领域。它解决了多芯片组大功率LED照明模块的散热问题。它由基板、多个封装单元和电路导线组成，基板正面均匀分布多个封装单元，电路导线印刷在基板正面，基板由下层的铜散热基板和上层的绝缘层组成，每个封装单元由反光杯、键合层、LED芯片、荧光粉、硅胶透镜和丝球键合用金丝组成，反光杯开在基板的正面，反光杯的杯底中心处共晶键合LED芯片，LED芯片的上表面涂覆荧光粉，所述反光杯内注有硅胶用来固定LED芯片，反光杯的杯口外侧固定硅胶透镜，LED芯片的正负极分别通过丝球键合用金丝与基板正面的电路导线连接。本发明为一种LED芯片的封装结构。

公开(公告)号：CN101614688B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200910089790.4

申请日：2009-07-24

Applicant: 北京卫星制造厂 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 周双锋 ,  孔令超 ,  刘战捷 ,  王春青

IPC: G01N25/72

Abstract: 一种印制电路板虚焊点的红外检测方法，首先使用脉冲热加载装置对被检测焊点进行热加载，同时使用红外热像系统对热加载过程中被检测焊点的表面温度进行连续采集，得到序列热像图；然后在得到的序列热像图，确定被检测焊点上被热加载装置加热的区域；随后在序列热像图上提取被检测焊点上被热加载装置加热的区域在热加载前后温度场的变化曲线图；最后在温度场变化曲线上根据加载前后温度曲线上升和下降过程中是否出现拐点来判定焊点是否虚焊。本发明方法通过在温度曲线上升和下降过程中寻找拐点即可完成对虚焊点的检测，操作简便，可靠性高，通用性强。

公开(公告)号：CN101614688A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910089790.4

申请日：2009-07-24

Applicant: 北京卫星制造厂 ,  哈尔滨工业大学

Inventor： 周双锋 ,  孔令超 ,  刘战捷 ,  王春青

IPC: G01N25/72

Abstract: 一种印制电路板虚焊点的红外检测方法，首先使用脉冲热加载装置对被检测焊点进行热加载，同时使用红外热像系统对热加载过程中被检测焊点的表面温度进行连续采集，得到序列热像图；然后在得到的序列热像图，确定被检测焊点上被热加载装置加热的区域；随后在序列热像图上提取被检测焊点上被热加载装置加热的区域在热加载前后温度场的变化曲线图；最后在温度场变化曲线上根据加载前后温度曲线上升和下降过程中是否出现拐点来判定焊点是否虚焊。本发明方法通过在温度曲线上升和下降过程中寻找拐点即可完成对虚焊点的检测，操作简便，可靠性高，通用性强。

公开(公告)号：CN101159304A

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200710144640.X

申请日：2007-11-20

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  华之光电子(深圳)有限公司

Inventor： 王春青 ,  孔令超 ,  田艳红 ,  杨罡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/50 ,  B23K1/005 ,  B23K1/20 ,  B23K35/26

Abstract: 单束激光辅助LED芯片与热沉直接钎焊的方法，它涉及LED芯片与热沉的钎焊方法。它解决了传统封装方法中对LED芯片造成热损害，以及键合质量低、定位困难、光学质量差的缺点。步骤为：在热沉上形成预设的焊盘；将激光器发射头固于多头贴片机的一个机头上，另一个机头为真空吸嘴；真空吸嘴吸取LED芯片处于等待状态；激光器发射头对准焊盘，并使之熔化；停止加热，真空吸嘴吸载着的LED芯片行进至该焊盘上并快速下降与热焊盘接触，直至钎料凝固；真空吸嘴卸压复位，吸取下一个LED芯片，重复上述程序。本方法进行键合质量好，成品率高，定位准确，光学质量较好，而且利用激光作为热源具有功率密度高、焊接速度快、热影响区小、控制精确、易于实现自动化的优点。

公开(公告)号：CN1440066A

公开(公告)日：2003-09-03

申请号：CN03111157.2

申请日：2003-03-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  李福泉

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: 激光直接钎料凸点制作方法，它涉及芯片级封装、倒装焊的凸点制作工艺的改进。现有的凸点制作技术主要有蒸发、电镀、模板印刷、金属喷射(MJT)等。这些方法都有广泛的应用，但都存在不足，有一定的应用限制。本发明的方法是这样实现的：首先将惰性气体预热器预热，预热温度为150～400℃，然后打开惰性气体源，其流速为1～30LPM，并使惰性气体充满工作室，同时使钎料丝给进机运转并将激光器加热源的脉冲持续时间调为1ms～1s之间，钎料丝给进机的给进速度和激光输入能量，由计算机控制，可根据凸点直径的大小，精确控制钎料液滴的大小及其断开频率。本发明具有效率高、成本低、工艺简单、灵活、精度高及适应性广泛的优点。

公开(公告)号：CN115410934A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210853994.6

申请日：2022-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘威 ,  高阳 ,  温志成 ,  王春青 ,  张鑫月 ,  易庆鸿 ,  冉兴旺

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

公开(公告)号：CN115194145A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210853603.0

申请日：2022-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘威 ,  张鑫月 ,  温志成 ,  王春青 ,  高阳 ,  付树恒 ,  贾天钰

IPC: B22F1/17 ,  C23C18/52 ,  B22F1/05 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料的制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤一、在室温下配制含有络合剂、铟盐和抗氧化剂的碱性镀液，在碱性镀液中，络合剂与铟盐反应生成络合In3+，以防止In3+的直接沉淀；步骤二、硼氢化钠作为还原剂将络合In3+还原成In单质，在微米Cu球上进行化学镀In；步骤三、将步骤二的废液倒掉，用无水乙醇和蒸馏水交替超声清洗镀粉，最后一遍为无水乙醇清洗，过后风冷干燥、过筛，得到Cu@In核壳结构金属粉。该方法制备得到的Cu@In核壳结构的微米颗粒互连材料提高了微米铜的抗氧化性和稳定性，在保证互连材料导电性的前提下大大降低了互连温度和互连条件。

公开(公告)号：CN112103198B

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202010968181.2

申请日：2020-09-15

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王春青 ,  郭龙军 ,  刘威

IPC: H01L21/603 ,  B23K35/362 ,  B23K35/02

Abstract: 一种采用珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏快速制备低温连接高温服役接头的方法，本发明涉及连接材料制备领域。本发明要解决现有制备工艺生产的接头服役温度低及生产效率低的技术问题。方法：制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物；制备珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物焊膏；涂敷在基板上，然后放置待连接电子元器件；烧结。本发明利用了珊瑚状预烧结铜锡纳米金属间化合物的特殊结构，可以减少后续烧结时间，珊瑚状结构的末梢还保留了纳米材料的烧结驱动力，实现低温连接，具有低温连接高温服役、工艺简单、效率高、成本低的优势。本发明制备的低温连接高温服役接头用于大功率电子元器件的封装和组装互连。

公开(公告)号：CN107219123B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201710420121.5

申请日：2017-06-06

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  许继开 ,  戚晓芸 ,  籍晓亮 ,  刘艳南 ,  田艳红 ,  王春青

IPC: G01N3/08

Abstract: 一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置，属于键合强度测量领域。拉伸夹持棒一端与晶片存储槽外侧底面中部固接，晶片存储槽的槽侧壁的顶端设有一个直角横梁，直角横梁水平梁与晶片存储槽的槽侧壁的顶端连接为一体，直角横梁的竖直梁设置在晶片存储槽的槽口内。本发明通过对长方形晶片进行交叉十字键合，利用施加力的大小、施加力的位置、晶片的厚度、晶片的宽度以及晶片的抗拉强度之间存在确定的理论关系，寻找特定的施力位置和施力大小，根据施力大小和断裂位置计算键合强度的大小，若施加的拉力F≥σb·b2，且断裂位置为晶片或键合区域的边缘，则键合强度σ≥σb；若施加的拉力F＜σb·b2，且断裂位置为键合界面处，则键合强度σ＝F/b2。本发明用于测量晶片键合强度。