公开(公告)号：CN115410934B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202210853994.6

申请日：2022-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘威 ,  高阳 ,  温志成 ,  王春青 ,  张鑫月 ,  易庆鸿 ,  冉兴旺

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。

公开(公告)号：CN115410934A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210853994.6

申请日：2022-07-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 刘威 ,  高阳 ,  温志成 ,  王春青 ,  张鑫月 ,  易庆鸿 ,  冉兴旺

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种微米In与纳米Cu@Ag核壳混合材料互连工艺，所述工艺包括如下步骤：步骤一：微米In与纳米Cu@Ag核壳混合焊膏的制备；步骤二：基板的处理；步骤三：焊膏的涂覆/印刷；步骤四：热压/电磁感应烧结。微米In与纳米Cu@Ag核壳能够相互配合，充分利用空间，降低孔隙率，能够大幅度地降低原材料的成本，在产业化大批量生产中发挥巨大优势。本发明可实现低温连接高温服役，不仅降低了互连温度和互连条件，还可有效的减少形成接头中的孔隙和孔洞，可在低温无压条件下将芯片与基板互连，完成半导体器件的连接封装，能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。