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公开(公告)号：CN111872390A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010783898.X
申请日：2020-08-06
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料的方法，本发明涉及一种制备金刚石金属基复合材料的方法。本发明要解决现有选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料过程中，金刚石与基体润湿性差，存在大量的孔隙缺陷，金刚石热蚀的问题。方法：一、制备镀覆后的金刚石粉末；二、混合；三、选区激光熔化成型；四、烧结。本发明用于选区激光熔化工艺制备金刚石金属基复合材料。
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公开(公告)号：CN109742026A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910136716.7
申请日：2019-02-25
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L23/373 , H01L29/778
摘要： 直接生长法制备金刚石辅助散热碳化硅基底GaN-HEMTs的方法，本发明涉及金刚石与碳化硅连接的散热结构的制备方法，它为了解决现有GaN HEMTs的散热性能有待提高的问题。制备金刚石辅助散热碳化硅基底的方法：一、在SiC基片表面刻蚀出孔洞；二、超声清洗SiC基片；三、在SiC晶片的表面建立辅助形核点；四、沉积金刚石层；五、将上表面的金刚石膜层去掉，留下孔洞中金刚石膜层；六、超声清洗；七、在SiC晶片上的孔洞中进行沉积，金刚石沉积填满孔洞。本发明制备金刚石的纯度高，热导率较高，金刚石与SiC结构类似，相容性好，制备的金刚石位于器件下方，有针对性地将热点热量极快导出。
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公开(公告)号：CN104559175B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410824764.2
申请日：2014-12-27
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 本发明公开了一种碳纳米管-凯夫拉纳米纤维复合薄膜的制备方法，以酸处理过的碳纳米管和凯夫拉纳米纤维为原料，首次将这两种力学性能优异的材料有效复合起来，提出真空抽滤辅助层层组装的思路，制备碳纳米管增强凯夫拉纳米纤维复合薄膜。本发明首次将碳纳米管与凯夫拉纳米纤维有效复合，制备得到了碳纳米管增强凯夫拉纳米纤维复合薄膜；该复合薄膜继承了碳纳米管与凯夫拉纤维单体的在热、电和力学方面诸多的优点。本发明采用层层自组装的方法，减少了碳纳米管增在聚合物中分散性差的问题。提出真空抽滤辅助自组装的方法，该方法在具有保持层层组装的优势的基础上，具有简单易行、成本低、制备速度快等特点。
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公开(公告)号：CN105291512A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510829526.5
申请日：2015-11-25
申请人： 哈尔滨工业大学
CPC分类号： B32B17/06 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B2255/00 , B32B2255/26 , C08J7/042 , C08J2339/00 , C08J2475/04 , C08J2477/10
摘要： 一种高强聚氨酯基复合薄膜的制备方法，本发明涉及复合薄膜的制备方法。本发明要解决现有传统的溶剂浇铸法制备聚氨酯基复合材料存在两相混合不均匀，增强剂对聚氨酯基复合材料的力学性能提升效果不明显的问题，且传统层层自组装法制备的材料结构单一，工艺性差，不能调整每种物质的连续沉积层数，并且层与层之间作用力有限，缺少固化技术的问题。方法：一、凯夫拉纳米纤维溶液的制备；二、含有聚氨酯的混合溶液的制备；三、基体表面覆膜；四、堆叠热压法处理复合薄膜。本发明用于高强聚氨酯基复合薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN116285843B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310427359.6
申请日：2023-04-20
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： C09J175/04 , C09J11/04 , C09J5/00
摘要： 一种有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用方法，本发明涉及导热绝缘粘接剂的制备方法和使用方法。本发明要解决现有导热粘接剂无法实现高热导率、良好粘接性能及绝缘特性的同时满足。制备方法：一、有机相磷酸二氢铝的制备方法；二、金刚石导热填料的处理方法；三、与磷酸二氢铝相容的聚氨酯改性方法；四、有机/无机杂化绝缘粘接剂双组分的配制方法。使用方法：将粘接剂涂抹至待粘接材料表面并贴合，除泡处理，然后升温保温。本发明用于有机/无机杂化高导热绝缘双组分粘接剂的制备方法和使用。
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公开(公告)号：CN115816822B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211583882.X
申请日：2022-12-09
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B29C64/124 , B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y10/00 , B33Y50/00 , B33Y50/02
摘要： 一种基于光强控制的DLP3D打印方法及系统，为了解决DLP打印模型因为打印件内部内应力过大而导致打印件固化翘曲的问题，在打印料槽的底端安装液晶板，设定液晶板与离型膜存在距离，得到打印装置并运行，确定DLP打印光强与液晶板控制电压的对应关系、切片灰度信息与液晶板控制电压的对应关系、最佳固化时间；获得3D打印模型的切片集，利用python程序读取第n层切片中打印图案中心点的位置；修改切片中打印图案的灰度值，根据切片灰度信息与电压的对应关系，获得包含多灰度的打印图案；并对液晶板定位使液晶板中的液晶像素点与打印图案中心点的位置信息对应；根据光强与电压的对应关系，获得局部液晶像素点所需的光强，根据最佳固化时间，完成切片打印。
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公开(公告)号：CN115592954B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202211159468.6
申请日：2022-09-22
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B29C64/386 , B29C64/393 , B33Y50/00 , B33Y50/02
摘要： 一种粘结剂喷射3D打印的切片生成方法，为解决由于粘结剂喷射3D打印过程中的打印墨量固定，导致打印小图案后使所述图案变得模糊，打印大图案后在脱脂、烧结过程中会产生气孔缺陷的问题，首先建立3D模型；将3D模型从下至上分为多层，提取并保存每层3D模型的轮廓；得到每层待打印的轮廓并定位；缩放并定位每层已定位的待打印的轮廓，保存缩放后的轮廓；将每层缩放前后的轮廓保存在同一张切片上，且中心点重合，依次对两个轮廓进行灰度处理，得到所有层灰度填充处理后的两个轮廓及其对应的切片，得到局部灰度化切片集；重复上述缩放和灰度填充，得到新局部灰度化切片集，再进行二值化处理，自定义每张切片的信息，得到待打印的切片集。
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公开(公告)号：CN117245238A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311223856.0
申请日：2023-09-21
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： B23K26/60 , B23K26/70 , B23K26/36 , B23K26/362 , B23K26/20 , B23K26/402 , B23K26/324 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06T17/00 , G06F119/08 , G06F119/06 , G06F113/10 , G06F113/26 , G06F113/22
摘要： 金刚石微流道加工方法，涉及电子器件散热领域。解决了目前复杂形状金刚石微流道难以加工的问题。本发明方法先进行3维微流道模型建模，对其分割，形成衬底和微流道加工层，并对微流道加工层进行切换形成N个单层切片，并对切片格式转化及切片合并；形成单层的激光切割路径总矢量图；按激光切割路径总矢量图中的切割路径对N个金刚石片进行激光烧蚀加工；并对激光烧蚀加工后的金刚石片累加键合，完成对金刚石复杂结构微流道的加工。
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公开(公告)号：CN115921895A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211666768.3
申请日：2022-12-23
申请人： 哈尔滨工业大学
摘要： 一种SLM高致密度金刚石金属基复合材料的打印方法，涉及一种3D打印金刚石/金属基复合材料的方法。本发明是要解决目前3D打印金刚石/金属基复合材料的致密度较低的技术问题。本发明步骤三中通过激光第一次打印金刚石/金属基复合材料粉末层形成一个骨架，再利用二次打印其上方的金属层融化对其下层的骨架进行二次致密，从而获得高致密度的打印件。本发明通过原位的金属层二次致密化，获得高致密度的打印件，保证金刚石/金属基复合材料致密度的同时，充分发挥3D打印在复杂结构件成形上的优势。
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公开(公告)号：CN115762898A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211392068.X
申请日：2022-11-08
申请人： 哈尔滨工业大学
IPC分类号： H01B13/00
摘要： 一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法，本发明涉及一种透明电磁屏蔽薄膜的制备方法。解决现有自修复电磁屏蔽材料透明性、电磁屏蔽性、机械稳定性及自修复性能不佳的问题。方法：一、自修复聚氨酯基底的制备；二、银纳米线透明导电薄膜的制备；三、银纳米线‑MXene薄膜的制备；四、透明电磁屏蔽薄膜的后处理。本发明用于具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备。
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