- 专利标题: 一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法
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申请号: CN202211392068.X申请日: 2022-11-08
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公开(公告)号: CN115762898A公开(公告)日: 2023-03-07
- 发明人: 朱嘉琦 , 王卓超 , 曹文鑫 , 孙春强 , 姬栋超 , 宋梓诚 , 杨磊 , 高岗 , 张天宇 , 王永杰
- 申请人: 哈尔滨工业大学
- 申请人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人: 哈尔滨工业大学
- 当前专利权人地址: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
- 代理机构: 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
- 代理商 侯静
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00
摘要:
一种具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备方法,本发明涉及一种透明电磁屏蔽薄膜的制备方法。解决现有自修复电磁屏蔽材料透明性、电磁屏蔽性、机械稳定性及自修复性能不佳的问题。方法:一、自修复聚氨酯基底的制备;二、银纳米线透明导电薄膜的制备;三、银纳米线‑MXene薄膜的制备;四、透明电磁屏蔽薄膜的后处理。本发明用于具有室温自修复能力的银纳米线/MXene复合透明电磁屏蔽薄膜的制备。