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公开(公告)号：CN103383367A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310293548.5
申请日：2013-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 扫描式热传导线温检测工件浅表裂纹的方法，涉及一种缺陷检测方法，尤其涉及一种无损缺陷检测工件浅表裂纹的方法。所述方法步骤如下：在待测试件正面上方分别设置有一激光器和红外热像仪；将一大功率激光束快速在试件正面上扫描出一条直线；在热像仪内设置一条与激光扫描线平行的测量线，同时检测此处的温升曲线，检测最高值，根据最高值判断激光扫描线与测量线之间工件是否有裂纹。本方法应用面广阔，不仅对工件上的浅表裂纹有较高的检出率，在实验数据的支持下，可根据线温低温点的温差来确定裂纹的深浅，由此可绘出裂纹的三维图。本检测方法简便直观，无损，检测过程无需中间介质，对工件无不良影响，检测结果直观准确。
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公开(公告)号：CN103234977A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310140090.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 倒装焊芯片焊点缺陷双热像仪红外测温检测法，涉及一种芯片焊点缺陷的检测方法。针对现有检测技术无法满足生产实际需求的缺陷，本发明按照如下方法检测倒装焊芯片焊点缺陷：在倒装芯片的一侧设置一个热像仪A，在基底一侧设置一个热像仪B和红外激光器，激光光束直径略小于焊盘，将红外激光束对准倒装芯片基底待测焊盘，调整好功率和脉宽参数，对之施以热激励，热像仪A和热像仪B同时实时分别检测激光光点照射基底焊盘处与相应的芯片焊球区的温升过程，同时观察和拍摄温升最高点的热图像，根据温升曲线或热像图判断倒装焊芯片焊点缺陷。本发明的倒装焊芯片焊点虚焊检测法采用逐点检测的方法，具有无损、缺陷高辨识率、判别直观简单的特点。
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公开(公告)号：CN102935535A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210516546.3
申请日：2012-12-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K3/03
Abstract: 一种可提高导线与焊盘焊接效率及可靠性的手工电烙铁头，它涉及手工电烙铁头，本发明是要解决现有电烙铁通过热传导的方式加热导线和焊盘，会延长预热和焊接时间导致电路板受到高温而损坏问题，以及待焊部位温度不均匀导致焊缝内部的微观组织结构存在差异，长时间反应使界面反应剧烈导致焊点的可靠性下降的问题。本发明中的手工电烙铁头，其结构为：电烙铁头端部的中部有一豁口，此豁口长度为3mm~10mm；豁口的右侧部分长于豁口的左侧部分，施焊过程中焊丝于豁口的左侧部分与焊盘平面之间形成的空间处添加。本发明适用于电子器件焊接工程领域。
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公开(公告)号：CN102183542A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110033879.6
申请日：2011-01-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/18
Abstract: 采用红外多点测温热阻法检测电路板焊点可靠性的检测系统，属于印刷电路板的焊点虚焊检测技术领域。它解决了现有检测技术对外观正常，又有电气连接的虚焊焊点无法识别的问题。它将XY旋转载物台设置在系统平台上，光学显微摄像机和红外热像仪位于XY旋转载物台的正上方，红外激光器位于XY旋转载物台的侧上方，载物台驱动控制器的位移信号输出端连接XY旋转载物台的位移信号输入端，红外激光器的控制信号输入端连接激光器控制器的控制信号输出端，光学显微摄像机的图像信号输出端连接计算机的图像信号输入端，红外热像仪的采集信号输出端连接计算机的热像仪信号输入端。本发明用于电路板焊点可靠性的检测。
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公开(公告)号：CN119911963A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510120394.2
申请日：2025-01-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基体材料的可控制备方法、气敏材料的制备方法及应用，属于气敏材料领域。本发明采用溶剂热法、煅烧、化学镀等方法，实现了一种纳米颗粒组装的多孔花状二氧化锡基气敏材料的可控制备。该材料呈现出大小均一、直径约5微米的3D花状结构，该花状结构由2D的片状花瓣构成，而构成片状花瓣的基本单元则是直径约40纳米的SnO2颗粒。其独特的分级多孔形貌结构一方面具有大比表面积，可以提供更多的表面活性位点；另一方面，较多的孔隙有利于气体分子在材料表面的传输与扩散。此外，采用多种增效策略协同增强了SnO2基气敏材料的正丁醇传感性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117505838A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311522363.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互连技术领域，具体方案为：通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料，并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合，最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上，并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构，得到整体器件，将所述整体器件在一定压力下进行连接，得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN116275058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310314039.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B22F7/08 , B23K26/00 , B22F1/107 , B22F1/0545 , B22F1/17
Abstract: 本发明公开了一种微纳米合金接头的多场耦合快速制备方法，所述方法将微纳米金属粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，得到混合焊膏；用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位；用加热平台对基板预热去除部分水和有机物；采用电磁或激光与加热平台耦合、或激光、电磁感应与传统热场三场耦合加热焊接，形成接头。该方法将激光、电磁场与传统的热场耦合，三维立体烧结微纳混合颗粒，实现其瞬态、芯片区域的局部键合，攻克微纳米颗粒键合需要整体加热、键合效率低下的问题。多场耦合快速加热条件下，混合颗粒的原子和缺陷运动、扩散行为、填充行为，能够降低孔隙率，对接头微观组织结构和力学行为产生巨大影响。
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公开(公告)号：CN116008306A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310097703.X
申请日：2023-02-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/956 , G01J5/48
Abstract: 一种电路板焊点缺陷红外热透视方法，属于电路板焊点质量检测技术领域，具体方案包括以下步骤：步骤一、利用红外激光分别照射标准虚焊电路板和合格电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄红外热图；步骤二、利用红外激光照射待测电路板的局部或全部，停止照射后，红外热像仪对准红外激光照射光斑的位置拍摄待测电路板红外热图；以标准虚焊电路板上某一元器件焊点部分最高温度值作为待测电路板红外热图中的温标上限H，以合格电路板上同一个元器件焊点的最低温度值作为待测电路板红外热图中的温标下限L，即得到待测电路板上该元器件的红外热透视图，判断待测电路板上该元器件的焊点是否存在缺陷。
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公开(公告)号：CN115684270A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211362956.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N25/72
Abstract: 一种高密度封装电路板焊点虚焊红外快速筛查系统和筛查方法，属于电路板焊点虚焊检测领域，具体方案如下：所述筛查系统包括红外热像仪和热源；红外热像仪设置在待测电路板的正上方且镜头正对待测电路板，热源位于红外热像仪的旁侧，使用热源加热待测电路板的整体或局部，停止加热的同时，红外热像仪对待测电路拍照得到热像图；待测电路板的热像图中，若某个元器件的整体或者局部的温度比标准合格样板的热像图中相对应的元器件的温度高于设定值，则该元器件存在焊点虚焊或者缺陷。本发明彻底突破了高密度封装电路板元器件焊点虚焊检测这一行业难题，可检测的元器件涵盖了各种现有芯片及阻容器件，同时其高效性有助于将本发明应用于生产线上。
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公开(公告)号：CN103839845A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410113951.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00
CPC classification number: H01L24/27 , B81C3/001 , H01L2224/27
Abstract: 本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。
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