公开(公告)号：CN113140542A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202110373397.9

申请日：2021-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈国儒 ,  黄俊贤 ,  刘书豪 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本公开涉及连接结构及其形成方法。一种连接结构，包括：第一电介质层，其设置在衬底和导电特征之上；掺杂电介质层，其设置在第一电介质层之上；第一金属部分，其设置在第一电介质层中并与导电特征接触；以及掺杂金属部分，其设置在第一金属部分之上。第一金属部分和掺杂金属部分包括相同的贵金属材料。掺杂电介质层和掺杂金属部分包括相同的掺杂剂。

公开(公告)号：CN110648918A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910511115.X

申请日：2019-06-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  陈文彦 ,  陈国儒 ,  王立廷 ,  陈亮吟 ,  张惠政 ,  王英郎

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/324

Abstract: 一种半导体结构的制造方法以及一种半导体结构。在此公开的实施例关于使用在纳秒级下进行的布植工艺和熔融退火工艺，以同时达到高表面浓度(表面堆积)掺质轮廓和逆行掺质轮廓。在一实施例中，此方法包含在基底上的主动区中形成源极/漏极结构，源极/漏极结构包含第一区，第一区包含锗，将第一掺质布植至源极/漏极结构的第一区中以在源极/漏极结构的至少第一区中形成非晶区，将第二掺质布植至包含第一掺质的非晶区中，以及加热源极/漏极结构以至少将非晶区液化并转换成结晶区，结晶区包含第一掺质和第二掺质。

公开(公告)号：CN109801877A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201811308190.8

申请日：2018-11-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈佳政 ,  刘书豪 ,  陈国儒 ,  陈亮吟

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置结构的结构和形成方法，包括在半导体基底上形成鳍结构以在鳍结构上形成栅极堆叠。此方法也包括在鳍结构上形成外延结构。此方法还包括在外延结构上形成介电层以及在介电层中形成开口以暴露出外延结构。另外，方法包括在外延结构中形成改质区。改质区的结晶度比外延结构的内部低，且沿着外延结构的整个暴露表面延伸。此方法也包括在外延结构上形成半导体-金属化合物区。全部或部分的改质区被转变为半导体-金属化合物区。