公开(公告)号：CN102969018B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210033287.9

申请日：2012-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆晓文 ,  谢维哲 ,  郑基廷 ,  邹宗成 ,  张琮永

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C5/063 ,  G11C11/413 ,  Y10T307/445

Abstract: 本发明公开一种具有沿着信号路径的连续负载设备的集成电路中的飞跨导体片段。通过隔离离信号源更远的负载设备的子集，并且通过旁路更接近信号源的子集的飞跨导体将更远子集连接至信号，改善通过沿着导体顺序连接的多个负载设备的信号的传播延迟。该技术可应用于连接至给定字线的随机存取存储器(SRAM)中的位单元的子集、或应用至顺序地连接至选通信号的字线解码器门、以及其他电路，该电路中，可选择为一组的负载设备可以通过到信号源的接近度被分为子集。在具有多级的SRAM布局中，不同金属沉积层承载与旁路较近子集的飞跨导体相对的负载设备之间的导体支路。

公开(公告)号：CN104637517A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410020019.2

申请日：2014-01-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢维哲 ,  林洋绪 ,  陆晓文 ,  郑基廷 ,  张琮永

IPC: G11C7/12

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C7/12

Abstract: 本发明的器件包括连接在位线电压节点和接地节点之间的晶体管开关，以及连接至晶体管开关的栅极节点的升压信号电路，其中，该升压信号电路提供响应于写入使能信号的升压信号。该器件还包括第一延迟元件和与该第一延迟元件串联的第一电容器。第一电容器具有连接至位线电压节点的第一端和通过第一延迟元件连接至栅极节点的第二端。本发明还包括用于SRAM写入辅助的负位线升压方案。