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公开(公告)号：CN100578364C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200710110599.4
申请日：2007-06-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03B27/52 , G03F7/70341 , G03F7/70925
Abstract: 本发明公开了一种适用于浸润式微影制程的方法与系统。此方法包括：供应浸润流体给位于影像透镜和欲进行图案化的基材两者之间的空间。在位于此空间的浸润流体中产生电场。其中电场会促使微粒离开基材表面。藉由浸润流体体将微粒从基材表面移除。之后补充空间之中的浸润流体，并在基材表面进行微影曝光制程。本发明还公开了浸润式微影系统。本发明可以在不影响微影扫瞄器运作的前提下，轻易移除基材表面上的微粒。
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公开(公告)号：CN101231479A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710129408.9
申请日：2007-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/7085 , G03F7/70341 , G03F7/707
Abstract: 一种浸润式微影方法、浸润式微影系统及其封闭板的对准方法。该浸润式微影系统的封闭板的对准方法，其中该浸润式微影系统包括具有一封闭板的一基材承载装置，该浸润式微影系统的封闭板的对准方法至少包括：提供一平板承载装置给该封闭板；提供一光侦测器至该平板承载装置的下方；以及进行一侦测步骤，以使用该光侦测器来侦测穿过该封闭板的一辐射线是否对准该平板承载装置，使该封闭板通过该侦测步骤而被对准。本发明还公开了一种浸润式微影方法及浸润式微影系统。本发明改善习知使用传送影像感测器来校正流体封闭板位置的缺点，借以避免与晶圆承载装置或其他材料的碰撞到，并改善浸润式微影的效率。
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公开(公告)号：CN109581819B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN201811094242.6
申请日：2018-09-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明实施例提供一种放射源设备。上述放射源设备包括一腔室、一标靶液滴产生器、一排气模块、一测量装置以及一控制器。标靶液滴产生器配置以提供多个标靶液滴至腔室。排气模块配置以根据一第一气体流量而将对应于上述标靶液滴的碎屑抽出上述腔室。测量装置配置以测量在腔室中碎屑的浓度。控制器耦接于测量装置与排气模块，并配置以根据碎屑的所测量的浓度而调整第一气体流量。
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公开(公告)号：CN115524938A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210939995.2
申请日：2022-08-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外运输盒及释放极紫外罩幕静电的方法，极紫外(EUV)微影系统利用EUV运输盒的基底板自EUV扫描仪内的卡盘卸载EUV倍缩光罩。基底板包含顶表面及自顶表面延伸的支撑销。当倍缩光罩卸载至基底板上时，支撑销将倍缩光罩固持在距基底板的顶表面相对大的距离处。支撑销具有相对低的电阻。大距离及低电阻有助于确保在卸载期间粒子不会自基底板行进至倍缩光罩。
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公开(公告)号：CN110858058B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201810973109.1
申请日：2018-08-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种光刻设备，包括一激发腔、一标的发射器、一主激光发射器、以及一激光真空装置。标的发射器用以朝向激发腔内的一激发区域发射一标的。主激光发射器用以发射一主脉冲激光至激发区域内的标的。激光真空装置用以发射一真空激光至至激发腔内，且以于激发腔内形成一真空通道。激光真空装置发射真空激光之后，标的发射器发射标的通过真空通道进入激发区域。本公开提供的光刻设备可增加主激光发射器击中标的的精准度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109581822B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201811124986.8
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供了极紫外光辐射的光源及其产生方法、极紫外光微影系统。提供了一种用于极紫外光辐射的光源。光源包括目标液滴产生器、激光产生器、测量装置、以及控制器。目标液滴产生器配置成提供目标液滴至源槽。激光产生器配置成根据控制信号，提供第一激光脉冲，以照射源槽中的目标液滴，进而产生作为极紫外光辐射的等离子体。测量装置配置成测量工艺参数，工艺参数包括源槽的温度、目标液滴的液滴位置、以及第一激光脉冲的光束尺寸以及焦点。控制器配置成根据至少两个工艺参数，提供控制信号。
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公开(公告)号：CN109839804A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810966772.9
申请日：2018-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外线辐射源模块，包含一目标液滴产生器，配置于产生复数个目标液滴；一第一激光光源，配置于产生复数个第一激光脉冲，第一激光脉冲加热目标液滴以产生复数个目标云雾团；一第二激光光源，配置于产生复数个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标云雾团以产生一等离子体发射极紫外线辐射；一第三和激光光源及一第四激光光源，分别配置于产生一第一激光光束和一第二激光光束，第一激光光束和一第二激光光束被引导至目标云雾团的一行进路径上，且第一激光光束和一第二激光光束基本上平行；以及一监视器，配置于接收由目标云雾团反射的第一激光光束和一第二激光光束。
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公开(公告)号：CN109799684A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811365850.6
申请日：2018-11-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 提供一种倍缩掩模固持工具，包括外壳，外壳包括上外壳构件以及侧向外壳构件。侧向外壳构件从上外壳构件延伸，且在一下边缘终止。倍缩掩模固持工具还包括定位于外壳中的倍缩掩模吸座，且倍缩掩模吸座配置以固定倍缩掩模。倍缩掩模固持工具亦包括气体输送总成。气体输送总成是定位于外壳内，且配置以供应气体至外壳内。
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公开(公告)号：CN108808427A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810399543.3
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种激光系统，包含：激光源、激光放大器及剩余增益监测器。激光源可操作以提供激光光束。激光放大器包含输入埠及输出埠，且可操作以放大激光光束，激光光束沿主要光束路径从输入埠穿过激光放大器至输出埠。剩余增益监测器可操作以提供探测激光光束，探测激光光束沿探测光束路径从输出埠穿过激光放大器至输入埠，其中剩余增益监测器系根据探测激光光束来计算激光放大器的剩余增益。
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公开(公告)号：CN108803247A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810402860.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种极紫外光源产生方法。一种极紫外光源，其包括配置为用以产生第一预脉冲激光光束、第二预脉冲激光光束、及主脉冲激光光束的激光光源。在一些实施例中，在极紫外光容器内使用第一预脉冲激光光束照射液滴以形成重成形液滴。在一些例子中，液滴包括锡液滴。在多种实施例中，随后通过使用第二预脉冲激光光束照射重成形液滴以形成种子等离子体。随后，且在一些例子中，使用主脉冲激光光束照射种子等离子体以加热种子等离子体，进而产生极紫外光。
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