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公开(公告)号：CN103969724A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410220044.5
申请日：2014-05-23
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种衍射光学元件的制作方法，涉及微光学器件的制作。1)在基片上制作金属层；2)涂胶，光刻显影，腐蚀出金属层作为刻蚀掩膜，该金属层直径为微透镜最外层环带外径；3)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第一个环带；4)第二次涂胶，背面曝光光刻，显影，保留光刻胶，侧向腐蚀步骤2)中的金属层，去除光刻胶；5)正面涂胶，背面曝光显影；6)按设计厚度刻蚀基片形成最外层第二个环带；7)重复步骤4)，直到刻蚀出所有环带，得到具有多台阶的微透镜衍射光学元件。从根本上避免了传统套刻方法制作微透镜带来的不可避免的误差，减少了制作过程中的工艺步骤，降低了难度，同时也为制作其他多台阶器件提供了途径。
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公开(公告)号：CN103325894A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310278517.2
申请日：2013-07-04
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种电注入GaN基谐振腔的制作方法，涉及GaN基谐振腔发光器件。在具有蓝宝石基底的GaN基外延片上生长p型电流扩展层ITO，对p型电流扩展层ITO表面依次进行刻蚀，抛光处理和ICP刻蚀，形成n型台面，再制作电流限制层、n型金属接触层、p型金属接触层和顶部介质膜DBR，再与临时基底键合在一起，然后采用激光剥离技术去除蓝宝石基底；对激光剥离后的GaN表面进行研磨抛光，在抛光后的GaN表面上生长底部的介质膜DBR，再与一个永久基底键合在一起，并去除临时基底，完成电注入高性能GaN基谐振腔的制作。采用两个高质量的介质膜DBR和损耗较小的p型电流扩展层ITO，实现高性能GaN基谐振腔。
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公开(公告)号：CN115183202B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210851963.7
申请日：2022-07-20
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种漫反射式激光照明装置，包括激光照明模块、入射激光光源和反射层；激光照明模块设有激光照明模块内环和激光照明模块外环，激光照明模块内环为混有漫反射颗粒的漫反射层，激光照明模块外环为混有漫反射颗粒和荧光粉颗粒的荧光粉层；入射激光光源设于激光照明模块内环底部，反射层设于激光照明模块的顶部；部分激光光束进入激光照明模块内环漫反射改变光束方向后进入激光照明模块外环；部分激光至反射层反射后经漫反射进入激光照明模块外环；激光进入激光照明模块外环，部分激光照射至荧光粉颗粒完成转换，部分激光不能被充分吸收转换，照射至漫反射颗粒再次无规则地改变光束方向，所有光线从激光照明模块外环侧壁射出，最终实现均匀照明。
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公开(公告)号：CN118137289A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410299386.4
申请日：2024-03-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；所述激光器还包括：设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板；所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器、并作为所述氮化镓基垂直腔面发射激光器中一侧的电极，且该平面基板的热导率≥100Wm/K，电导率≥7×106S/m，厚度范围为10‑500μm。本发明引入平面基板后，不仅可避免传统器件因为较薄的自支撑外延层引起的易碎难题，而且可进一步改善器件散热和电流拥堵。具有热导率的平面基板，有助于有源区层中产生的热量通过n型氮化物层传导至平面基板，改善器件的散热效果。同时，由于平面基板为高电导率的平面，可进行垂直电流注入，改善器件电流拥堵效应。
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公开(公告)号：CN115799988A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211661483.0
申请日：2022-12-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化物半导体的垂直腔面发射激光器的制备方法，包括：选用一外延层，该外延层从下到上依次包括衬底、N型氮化物、有源区和P型氮化物；在P型氮化物上表面中部的电流注入孔位置生长金属掩膜层；通过高能粒子均匀地辐照P型氮化物的上表面，使辐照区形成电流限制层；去除金属掩膜层，并在电流注入孔上表面依次生长透明导电层和第一分布布拉格反射镜；在透明导电层和第一分布布拉格反射镜的外表面及电流限制层的上表面生长第一电极，并翻转后转移到支撑基板上；去除衬底，将N型氮化物进行减薄抛光，并在N型氮化物的上表面中部生长第二分布布拉格反射镜，其上表面两侧生长第二电极。本发明工艺简单，散热性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114047654A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111351648.X
申请日：2021-11-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于倏逝波的光波导放大器及其制备方法，光波放大器包括衬底层、波导层和有源层；其中，所述波导层和所述有源层依序层叠设置在衬底层上，且所述有源层将波导层包覆其中，所述波导层的折射率大于衬底层；另外，所述波导层的两端分别用于输入或输出信号光；本方案巧妙性通过将光信号传输过程中在介质界面处产生的倏逝波进行导入有源层，通过对有源层中的有源材料受到倏逝波的激励而产生受激辐射，令有源层发出的光子再传输回波导中，对光波导中传输的光信号提供额外的正反馈增益，补偿光波导的传输损耗，本方案的光波导放大器在有源和无源光波导器件中都可适用，且其还具备制备方式简单，易于片上集成的优点。
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公开(公告)号：CN110120448B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910375275.6
申请日：2019-05-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种基于金属掩膜衬底的氮化物LED制作方法，涉及半导体发光二极管器件。在衬底上形成过渡层；采用单一外延生长技术或各种外延生长技术的组合在过渡层上生长LED外延片；采用沉积技术在上述LED外延片上沉积厚度在10～200nm的ITO，并进行退火；对沉积好ITO的LED外延片，进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备正装LED；或在转移衬底后，采用激光剥离等分离技术将外延片与原衬底分离，再进行光刻、刻蚀、生长电极和封装等工艺，即制备垂直结构LED。可有效改善LED的散热性能，有利于提高LED器件的可靠性。金属具有较好的导热性能，进而实现高可靠性的LED工作，延长LED的寿命。
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公开(公告)号：CN110265864A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910608744.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u-GaN层以及一部分n-GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN108521075B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201810315250.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1‑XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。
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公开(公告)号：CN108923255A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810909141.3
申请日：2018-08-10
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/18308 , C23C14/081 , C23C16/403 , H01S5/187
Abstract: 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器，涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构，从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜；所述电流限制层使用氧化铝材料，氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单，改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果，降低了热效应对激光器的不良影响，增强散热性，提高器件的稳定性并延长其寿命。
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