公开(公告)号：CN215069972U

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202120780742.6

申请日：2021-04-16

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 童颜 ,  刘克明 ,  王蕤 ,  潘政薇 ,  刘旭光 ,  姚二现 ,  张大华 ,  董长城

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L23/16

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件封装技术领域的一种半导体模块，采用柔性压接，芯片受力均匀，抗压能力强。包括管壳，所述管壳的一端与模块发射极导电体滑动连接，另一端与模块集电极导电体滑动连接；在所述模块发射极导电体和所述模块集电极导电体之间设有承压限位框，所述承压限位框的一端与所述模块集电极导电体固定连接，所述承压限位框包括多个限位单元，每个所述限位单元内依次设有集电极导电体、芯片、发射极导电体、第一导电体和弹性导电组件，所述集电极导电体上远离芯片的一端抵接在所述模块集电极导电体上，所述弹性导电组件上远离第一导电体的一端抵接在所述模块发射极导电体上。

公开(公告)号：CN214012944U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202023214251.X

申请日：2020-12-28

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 叶枫叶 ,  李宇柱 ,  郑婷婷 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/423

Abstract: 本实用新型公开了半导体器件技术领域的一种IGBT沟槽栅排布结构，旨在解决现有技术中输入电容和米勒电容较小，沟道电流分布不均导致小电流开通过程中发生栅极振荡的技术问题。在衬底的一个表面上依次设置有介质层和发射极金属；在衬底朝向介质层的表面上设置若干个有源沟槽栅和虚拟沟槽栅，且在相邻两个虚拟沟槽栅之间连续设置两个有源沟槽栅；在相邻两个有源沟槽栅之间依次设有P+接触区、P型阱区和N型CS层，P+接触区位于介质层一侧；在有源沟槽栅和虚拟沟槽栅之间依次设有N+发射区、P型阱区和N型CS层，N+发射区位于介质层一侧；每个P+接触区和每个N+发射区分别通过设置在介质层上的与P+接触区和N+发射区一一对应的接触窗口与发射极金属导通。

公开(公告)号：CN216849898U

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202123132365.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司

Inventor： 王蕤 ,  童颜 ,  王豹子 ,  严百强 ,  刘旭光 ,  张大华 ,  骆健 ,  董长城

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L29/739

Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种弹性压接式半导体模块封装结构，包括内部可容置子模组的外框，所述外框的一面可拆卸安装有发射极板且另一面密封有法兰盘，所述法兰盘包括固定连接的阴极法兰盘和阳极法兰盘，所述阳极法兰盘位于阴极法兰盘的外围，远离外框一侧的所述阴极法兰盘的表面设置有承压凸起，所述承压凸起于外侧施加压力时与子模组集电极电气连接。本实用新型通过外框密封设置阳极法兰和阴极法兰，使其满足气密性要求；增加了承压凸起，实现与子模组集电极电气连接，且利于提高散热效率。