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公开(公告)号：CN105070698A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510435559.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法，包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层，在钝化层上设有开口，焊盘的表面于开口处裸露；在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层，在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层，在阻挡层上设置焊锡微凸点；所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部，附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小，附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距，焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积，提高了两者之间的粘附性，避免了分层失效的发生；避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。
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公开(公告)号：CN104900548A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510307304.7
申请日：2015-06-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/64 , H01L21/60 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L21/64 , H01L24/11 , H01L24/14
Abstract: 本发明涉及一种低成本微凸点的制备工艺，其特征是：将钎料和环氧树脂或硅胶等材料充分混合，制备成混合材料，然后直接在制备好的铜焊盘上涂覆。通过加热工艺，钎料会在熔融状态下与环氧树脂或硅胶等材料分离，沉积在铜焊盘上，形成凸点。然后通过化学腐蚀的方法去除环氧树脂或硅胶材料，得到所需要的微凸点。本发明最大的优势在于将钎料与环氧树脂或硅胶材料直接混合，直接涂覆在晶圆级铜焊盘表面，从而避开电镀工艺带来的高成本工序，有效的达到了节约成本的目的。而且，通过钎料与环氧树脂或硅胶的混合工艺，可制备不同成分的微凸点，甚至可添加微量元素形成特定需求的微凸点。微凸点的大小和间距取决于铜焊盘的尺寸和间距。
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公开(公告)号：CN104900547A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510307291.3
申请日：2015-06-05
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L21/50 , H01L23/48 , H01L23/488
Abstract: 本发明涉及一种多元合金成分的微凸点制备工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在晶圆表面电镀Ti/Cu种子层；在Ti/Cu种子层的表面制作设定厚度的铜层；（2）在玻璃晶圆表面涂覆光刻胶，对光刻胶进行开口工艺，得到开口；在开口处对玻璃晶圆进行刻蚀，形成凹槽；去除玻璃晶圆上的光刻胶；（3）将玻璃晶圆与承载片进行临时键合，将玻璃晶圆的背面进行减薄，减薄至凹槽形成玻璃通孔；（4）将具有玻璃通孔的玻璃晶圆放置于铜层上；将钎料填充于玻璃通孔中；移除玻璃晶圆，回流形成凸点；将凸点之间的铜层和Ti/Cu种子层刻蚀掉，形成铜柱凸点。本发明可制备不同成分和温度的凸点，自由度较大，同时避开电镀技术，节约了成本。
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公开(公告)号：CN104201166A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410450356.5
申请日：2014-09-04
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种低成本TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成铜柱凸点结构；利用塑封工艺将铜柱凸点结构进行塑封，利用湿法或干法工艺将铜柱上表面露出来，进行正面RDL层和第一微凸点的制造工艺；将基板材料去除，利用减薄工艺打磨基板背面，直到露处铜柱的下表面为止，做背面RDL层和第二微凸点，完成整个的TSV转接板工艺。该工艺避开了TSV刻蚀、绝缘层沉积、介质层沉积、种子层制备及电镀填充，极大地降低了转接板制造成本。
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公开(公告)号：CN104157618A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410388111.4
申请日：2014-08-07
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L2223/6677 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/1815 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种射频模块封装结构和封装工艺，包括印刷电路板，印刷电路板一面分布芯片，印刷电路板另一面设置焊锡球；在具有电磁辐射的芯片上罩设金属屏蔽罩，金属屏蔽罩和芯片塑封在塑封层中；其特征是：塑封层表面设置螺旋形天线，天线中心位置的塑封层中设置连接天线与印刷电路板的通孔，通孔中填充金属。所述封装工艺，包括以下步骤：（1）印刷电路板上安装芯片；（2）金属屏蔽罩扣在具有电磁辐射的芯片上；（3）将芯片和金属屏蔽罩进行塑封；（4）塑封层的表面刻蚀螺旋形沟槽，在沟槽中心位置的塑封层中刻蚀通孔；（5）沟槽和通孔中填充金属；（6）在印刷电路板另一面植球，得到焊锡球。本发明能够实现紧凑的含天线的射频模块制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104134633A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410387888.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种大功率芯片柔性基板封装结构及封装工艺，包括柔性电路板，在柔性电路板的一面上分布芯片，在柔性电路板的另一面上设置焊锡球；其特征是：在所述每个芯片的周围设置保形金属框，保形金属框的上表面设置金属散热片，金属散热片与芯片之间设置导热层。所述封装工艺，包括以下步骤：（1）在柔性电路板上涂覆第一粘接层；（2）保形金属框通过第一粘接层贴装在柔性电路板上；（3）在保形金属框的空腔内安装芯片；（4）在芯片上表面涂覆导热层；在保形金属框上表面涂覆第二粘接层；（5）在保形金属框上贴装金属散热片；（6）柔性电路板的另一面制作焊锡球。本发明可以增加柔性电路板的局部刚度，便于进行加工，并提升了散热能力。
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公开(公告)号：CN103972217A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410172529.1
申请日：2014-04-26
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/498 , H01L21/02 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24195 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种集成无源电容扇出型晶圆级封装结构及制作方法，包括包括塑封体和芯片；其特征是：在所述塑封体中设置第一金属柱、第二金属柱、第三金属柱和第四金属柱，第一金属柱和第二金属柱位于芯片一侧，第三金属柱和第四金属柱位于芯片另一侧；在所述塑封体的正面设置绝缘层，在绝缘层中布置第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，第一金属层与第一金属柱连接，第二金属层与第二金属柱和第一电极连接，第三金属层与第三金属柱和第二电极连接，第四金属层与第四金属柱连接；在四个金属层上分别设置凸点下金属层，在点下金属层的外表面分别设置焊球。本发明实现了扇出型芯片封装和薄膜集成无源被动器件的集成，提升了电学品质。
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公开(公告)号：CN103441111A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310256978.X
申请日：2013-06-25
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
Abstract: 一种三维封装互连结构及其制作方法，该三维封装互连结构采用以聚合物材料为核心和外围导电层形成导电柱体，对导电柱进行塑封形成垂直互连结构，该发明由于避免了TSV通孔的制作，具有制作简单、成本低廉的优点，且，由于聚合物硬度较低，对凸点起到应力缓冲的作用，降低了焊点开裂和晶圆翘曲等问题。
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公开(公告)号：CN103346097A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310257218.0
申请日：2013-06-25
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/568 , H01L2224/16 , H01L2224/97 , H01L2924/18161 , H01L2224/81
Abstract: 一种基于TSV的三维封装方法和封装结构，该封装方法和封装结构采取对晶圆和芯片进行至少二次塑封工艺，依次覆盖第一塑封层和后续塑封层，其中相邻两层塑封料的热膨胀系数不同，使得两层塑封料的其中一层在塑封时产生的应力与相邻层产生的应力方向不同，两者之间形成应力的抵消，从而减少塑封料对晶圆的作用力，达到降低晶圆的翘曲程度的效果，从而保证无衬底晶圆减薄工艺的顺利实施。
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公开(公告)号：CN105070698B
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201510435559.1
申请日：2015-07-22
Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 本发明涉及一种晶圆级焊锡微凸点及其制作方法，包括形成于IC晶圆上的焊盘和钝化层，在钝化层上设有开口，焊盘的表面于开口处裸露；在所述焊盘上依次设置溅镀的钛层和铜层，在溅镀的铜层表面设置电镀的附着层和阻挡层，在阻挡层上设置焊锡微凸点；所述焊锡微凸点包裹阻挡层的表面以及阻挡层和附着层的侧部，附着层和阻挡层的尺寸较铜层和钛层的尺寸小，附着层和阻挡层的边缘与铜层和钛层的边缘之间存在一定间距，焊锡微凸点包裹该间距处铜层的表面以及溅镀的铜层和钛层的侧部。本发明增加了焊锡微凸点与溅镀铜层的接触面积，提高了两者之间的粘附性，避免了分层失效的发生；避免了现有湿法刻蚀工艺去除溅镀金属层时引起的电镀铜层底切问题。
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