公开(公告)号：CN103839862A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410071129.1

申请日：2014-02-28

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 姜峰 ,  于大全

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L2221/68381

Abstract: 本发明公开了一种机械式拆键合工艺方法。本发明要解决的技术问题在于提供一种采用等离子技术进行机械式拆键合工艺的方法，通过清洗装置的改进，提高清洗的效率。为此本发明的技术方案是应用旋转体或者等离子体技术于切割装置中，对临时键合体中的边缘区域胶层进行切割。随后在清洗器件晶圆表面残留的临时键合胶工序时，清洗步骤是通过切割装置附带的一个或者多个喷气或者喷出可以溶解键合胶清洗液的装置来实现的。通过本发明的旋转体或者等离子体技术于切割工序，解决了现有切割方式存在的切割装置使用寿命短的缺点，喷气或清洗液喷出装置的采用提高了切割步骤的速度，有效克服了器件晶圆切割步骤存在的工艺耗时的缺点。

公开(公告)号：CN103824758A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410091123.0

申请日：2014-03-13

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 靖向萌 ,  于大全

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/76829

Abstract: 本发明涉及一种如何减少硅通孔周围区域应力的方法。硅通孔在制备过程中会经历刻蚀、侧壁绝缘、种子层沉积、通孔填充等工艺步骤，产生工艺残余应力，此外，由于铜与周围材料的热膨胀系数差别大，这些都会导致硅通孔的周围区域内出现一定的应力集中现象，这种应力会对硅通孔周围的半导体器件性能和可靠性带来不利影响。针对目前采用的退火的方式减少孔周围应力和应力影响范围的局限性，提出一种通过在硅通孔外围一定区域内加工出一定深度以及特定形状的应力消除结构的解决方案。与现有技术相比，本发明的有益效果在于克服了退火方式消除应力的工艺复杂度，极大减小应力影响区域面积，只需在硅通孔周围一定区域内利用传统刻蚀方式开设特定结构的应力消除结构，就可以显著提高硅通孔的使用寿命以及外围器件的工作稳定性，具有工艺简单可靠、容易实现的优点。

公开(公告)号：CN103728831A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310666846.4

申请日：2013-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐成 ,  于大全 ,  李昭强

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明提供了一种使用硅模具的光阻墙成型方法，其首先制作正面具有凸台阵列的硅模具，凸台之间的网格状凹槽形成模具型腔；将硅模具正面用模压的方法压在带热塑性材料的第一基板上；或者采用压注的方法将硅模具正面和第一基板之间填满热塑性材料；待热塑性材料填满模具型腔后，将硅模具与第一基板分模，在第一基板上形成光阻墙结构，再将第一基板进行清洗，去除第一基板和光阻墙结构上的残留物。所述硅模具可使用湿法刻蚀、干法刻蚀、激光切割或线切割的方法制作。其优点是：使用硅做模具可以大大降低模具制造成本，同时使用刻蚀方法可以方便灵活的制作不同图形的光阻墙结构。相比现有的光刻工艺，使用硅模具对光阻墙材料的要求具有更大的选择性。

公开(公告)号：CN103728830A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310666745.7

申请日：2013-12-10

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 徐成 ,  于大全 ,  李昭强 ,  姜峰

IPC: G03F1/68 ,  H01L27/146 ,  B29C45/00

Abstract: 本发明针对具有规则阵列结构的光阻墙结构提出一种模块化成型方法，将光阻墙结构版图分割为若干个相同的单元结构，首先制作单元结构，每个单元结构上都具有光阻墙的凸台和凹槽，多个单元结构拼接在一起可以获得整体的光阻墙结构图形。最后将拼接整体进行裁切得到所需形状的光阻墙结构。本发明的优点是：1.使用注塑成型方法可提高光阻墙结构的生产效率。2.将复杂的腔体结构剖分为若干相同的单元结构，通过将单元结构进行对准拼贴，可灵活快速的生产复杂结构的腔体结构，降低一体成型的加工成本。

公开(公告)号：CN103700643A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310718949.0

申请日：2013-12-23

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 薛恺 ,  于大全

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种基于TSV工艺的转接板深槽电容及其制造方法，属于半导体封装的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述基于TSV工艺的转接板深槽电容，包括衬底；所述衬底具有第一主面以及与所述第一主面对应的第二主面；所述衬底的掺杂区域内设有电容槽，电容槽的槽底位于所述掺杂区域内；电容槽内设有电容介质体以及电容填充导体，所述电容填充导体通过电容介质体与电容槽的内壁相接触；衬底的第一主面上方设有第一电容连接电极及第二电容连接电极，第一电容连接电极与掺杂区域欧姆接触，第二电容连接电极与电容填充导体电连接。本发明结构紧凑，工艺步骤简便，能在转接板上制造高密度电容，工艺兼容性好，安全可靠。

公开(公告)号：CN103606542A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201310621461.6

申请日：2013-11-30

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 李昭强 ,  于大全 ,  戴风伟 ,  徐成

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了一种穿透硅通孔金属互连结构，在保证器件的可靠性的同时，大大降低了制造成本，其包括TSV孔，所述TSV孔设置在硅基底上，所述TSV孔底、上下端以及内侧均有绝缘层，TSV孔下端为Al焊盘（Alpad），成型下端封闭的TSV孔，其特征在于：所述封闭的TSV孔内和TSV孔上端两侧设置有铜镍锡层，利用铜镍锡层作为RDL（再布线）层，镍锡层在回流过程中会形成镍锡IMC（金属间共化物）达到保护线路的作用。所述铜镍锡层外侧设置有钝化层，TSV孔上端的所述铜镍锡层层上成型焊球（Solderball），本发明同时还提供了一种穿透硅通孔金属互连结构的制造方法。

公开(公告)号：CN103390580A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201310301502.3

申请日：2013-08-20

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 于大全 ,  薛恺 ,  刘海燕

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种微电子加工工艺中的TSV结构的背面露头技术，在利用背面研磨工艺处理对TSV的晶圆衬底背面减薄至距离TSV铜柱底部1-10um范围之后，利用CMP工艺处理晶圆衬底背面，直到TSV铜柱从背面露出，然后对晶圆衬底背面露出的铜柱端面的铜进行化学置换处理，在晶圆衬底背面TSV的铜柱端面形成一层金属保护膜。之后利用刻蚀工艺对衬底材料刻蚀，使得TSV底部露出，并且在晶圆衬底背面制作钝化层。因为在TSV晶圆背面硅刻蚀前就将晶圆背面露出的铜保护起来，从而避免背面硅刻蚀过程中铜与硅直接接触引起的铜沾污，同时又保证了较低的工艺集成方案的复杂度，工艺成本低廉。

公开(公告)号：CN103367221A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310310061.3

申请日：2013-07-23

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 姜峰 ,  于大全

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种晶圆拆键合工艺及系统，该工艺包括以下步骤：S1、采用临时键合胶将器件晶圆与载片晶圆进行键合，形成临时键合体；S2、对临时键合体上的器件晶圆进行背面加工工序；S3、通过厚度测量装置测量得到临时键合胶所在的高度位置；S4、根据临时键合胶所在的高度位置将切割装置移动至临时键合胶的位置，使用切割装置对临时键合体中的边缘区域胶层进行切割；S5、将载片晶圆从临时键合体上移除；S6、清洗器件晶圆表面残留的临时键合胶。本发明解决了现有传统薄器件晶圆拆键合前处理使用化学浸泡耗时长、产率低以及不环保等问题，其临时键合及拆键合工艺简单、产率高且环保，有效地完成了三维封装的互连结构。

公开(公告)号：CN103474395B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310419924.0

申请日：2013-09-13

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 张文奇 ,  顾海洋 ,  宋崇申 ,  于大全 ,  上官东恺

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/7684

Abstract: 本发明提供了一种TSV平坦化方法，包括以下步骤：第一步，采用机械刮平的方式，处理完成TSV电镀的晶圆表面，消除表面凸出或凹坑；第二步，采用湿法腐蚀或电化学抛光的方式，减薄晶圆表面金属层；第三步，化学机械抛光，去除晶圆表面剩余金属层及扩散阻挡层。本发明的优点是：本发明在电镀填充后采用机械刮平的方式处理表面，消除凸出、凹陷等局部平坦化问题，而后再结合电化学抛光和CMP，提供TSV平坦化解决方案，该方案采用三步的方式，可以补偿电镀的部分缺陷，降低对TSV电镀填充步骤的压力，同时也降低了CMP工艺的压力，可以提高成品率，降低总体制造成本。

公开(公告)号：CN103887276B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410136929.7

申请日：2014-04-04

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

Inventor： 李昭强 ,  戴风伟 ,  于大全

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，尤其是一种防止凸点侧向刻蚀的凸点结构及成型方法，属于半导体制造的技术领域。按照本发明提供的技术方案，所述防止凸点侧向刻蚀的凸点结构，包括基底以及位于所述基底上的绝缘层；所述绝缘层上设有金属焊盘，所述金属焊盘的外圈设有介质层，所述介质层覆盖在绝缘层上，并覆盖在金属焊盘的外圈边缘；金属焊盘的正上方设有铜柱，所述铜柱的底端依次通过种子层及粘附层与金属焊盘接触并电连接，且铜柱的底端通过种子层及粘附层支撑在介质层上，铜柱的顶端设有焊料凸点。本发明采用首先对粘附层进行图形化的方法，避免了电镀后去除粘附层容易产生侧向钻蚀的问题，提高了微凸点加工制造的可靠性和良品率。