基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法

    公开(公告)号:CN108133113B

    公开(公告)日:2018-11-02

    申请号:CN201810023021.3

    申请日:2018-01-10

    Abstract: 本发明公开了一种基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法,该方法包括以下处理步骤,步骤1:设计功率放大芯片并进行仿真获得该芯片的电气参数;步骤2:根据电路布局获得该芯片的版图及版图的面积参数;步骤3:获得热模型,并且计算获得热流参数;步骤4:进行网格划分,从而获得该芯片内部不同位置的实际温度;步骤5:通过该芯片内部不同位置的实际温度对该芯片的电路及版图进行优化从而降低该芯片的电气误差和芯片内部的实际温度;步骤6:将优化后的芯片重复进行步骤1‑步骤5的处理直到芯片达到指定的电气指标并且工作温度在可靠范围内,则优化结束。本发明通过对功率放大芯片的电路和版图进行优化,可以提高热分析的准确性,降低功率放大芯片的误差,提高芯片的可靠性。

    一种有源天线检测装置及其检测方法

    公开(公告)号:CN107991542B

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201711233216.2

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种有源天线检测装置,其中,包括有源天线、偏置电路、第一比较器、第二比较器和逻辑输出电路,所述的逻辑输出电路,用于接收第一比较器及第二比较器的输出信号得出检测结果并输出,同时输出反馈信号到偏置电路;所述有源天线分别连接第一比较器的输入端、第二比较器的输入端和偏置电路的输入端,所述第一比较器的输出端、第二比较器的输出端均连接逻辑输出电路的输入端,所述逻辑输出电路的输出端连接偏置。本发明的一种有源天线检测装置能够实现对有源天线的状态检测,还不会影响天线性能,并且具有限流功能。本发明还公开了该检测电路的检测方法。

    一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN108538908A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810297761.6

    申请日:2018-04-04

    Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法,包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构;所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层;在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极;薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度;所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触,与栅极为肖特基接触。优点在于,通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态,在栅-漏、栅-源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度,从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。

    一种双模锁相环失锁检测装置及其检测方法

    公开(公告)号:CN108011634A

    公开(公告)日:2018-05-08

    申请号:CN201711233381.8

    申请日:2017-11-30

    CPC classification number: H03L7/183 H03L7/099

    Abstract: 本发明公开了一种双模锁相环失锁检测装置,其中,包括分频时钟信号源、锁相环电路、数字检测模块、模拟检测模块和模式选择模块,所述的分频时钟信号源通过锁相环电路与模拟检测模块连接,所述数字检测模块的信号输入端分别连接一参考时钟信号源和分频时钟信号源,所述的模拟检测模块和数字检测模块均与模式选择模块连接。本发明的一种双模锁相环失锁检测装置能够实现锁相环在模拟和数字方法下的失锁检测,具有检测准确性高的特点。本发明还公开了该检测装置的检测方法。

    一种无源下的变频混频器

    公开(公告)号:CN107863938A

    公开(公告)日:2018-03-30

    申请号:CN201711233164.9

    申请日:2017-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种无源下的变频混频器,其特征在于,包括依次连接的输入跨导模块、开关混频模块和互阻放大器输出模块,所述的输入跨导模块连接一射频信号源,所述的输入跨导模块用于将射频信号转化为射频电流;所述的开关混频模块,用于将射频电流下变频转换为中频电流。所述的互阻放大器输出模块,用于将中频电流在负载电阻上得到中频输出电压。发明的一种无源下的变频混频器具有功耗低、转换增益高、端口隔离度好的特点。

    一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路

    公开(公告)号:CN120074395A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510008822.2

    申请日:2025-01-03

    Abstract: 本发明公开一种应用于功率放大器的可开关自适应动态偏置电路,涉及射频集成技术,针对现有技术中动态调整不方便等问题提出本方案。自适应线性化偏置模块用于根据自适应线性化偏置模块3的静态电流对功率放大器的线性度指标进行动态调整;开关模块用于根据开关电压在对应干路串联电阻上的压降大小控制所述功率放大器的开启或关闭;静态电流调节模块用于根据参考电压在对应干路串联电阻上的压降大小调节静态电路。优点在于:可实现对功率放大器的线性度指标的动态调整,在抑制自热效应与提高线性度等方面得到均衡。仅需调整偏置电路对应开关的电压即可控制应用的整个功率放大器的开关。能够通过调节电阻来实现精确调整静态电流。

    一种无线能量传输系统及其全局控制方法

    公开(公告)号:CN117833493B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410238575.0

    申请日:2024-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种无线能量传输系统及其全局控制方法,涉及新一代信息技术中的电能存储系统,针对现有技术中负载移位键控法失效问题提出本方案。对发射端输出至无线功率传输链路串联谐振腔的电流信号进行采样,根据电流信号峰值变化的速率得到负载移位信息,控制发射端在全功率模式与低功率模式之间切换;在接收端输出信号的电压值到达限值时,对无线功率传输链路并联谐振腔作一定时长的短路,以使通过所述无线功率传输链路反馈负载移位信息至所述发射端。优点在于,可以通过检测发射端电流峰值变化的速率,来判断接收端的等效阻抗信息,不受接收端等效阻抗变化发生时刻的影响,提高了此类无线能量传输系统的稳定性和设计便利性。

    一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型

    公开(公告)号:CN117556770B

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410043869.8

    申请日:2024-01-12

    Abstract: 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型,涉及半导体器件建模技术,针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间;再设置栅极散粒噪声电流源#imgabs0#串接在微带线TLg和微带线TLs之间。优点在于,采用分布参数元件与集总参数元件混合构建,提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化,扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出,简化了参数提取步骤。

    一种应用于开关电容DC-DC转换器的控制方法

    公开(公告)号:CN117856615A

    公开(公告)日:2024-04-09

    申请号:CN202410250875.0

    申请日:2024-03-06

    Abstract: 本发明公开了一种应用于开关电容DC‑DC转换器的控制方法,涉及DC‑DC转换器的控制方法,针对现有技术中动态性能差的问题提出本方案。在中载至重载时,工作在连续调频控制模式;在轻载时,工作在跳脉冲控制模式;模式切换模块监控控制变量以在到达预设条件时切换工作模式。优点在于,实现环路之间更平滑的过渡。该发明解决了系统在低负载条件下瞬态响应速度慢和效率低的问题,能够使系统在宽负载范围内实现高效率和快速瞬态响应。

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