-
公开(公告)号：CN111933706A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010547831.6
申请日：2020-06-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法。本发明的GaN基HEMT传感器包括由下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN渐变层或AlN/GaN超晶格缓冲层、GaN:C高阻层、GaN沟道层、AlN隔离层、非掺杂Al0.24Ga0.76N势垒层和帽层，还包括设置在帽层上的源极、栅极和漏极；所述栅极由导电凝胶制成。本发明的GaN基HEMT传感器中的栅极由导电凝胶制成，和传统的GaN基HEMT传感器相比，灵敏度更高、成本更低、制备工艺更加简单，可以极大地扩展HEMT传感器的应用领域。
-
公开(公告)号：CN108682734A
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201810300074.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/04
Abstract: 本发明公开了一种集成外围电路的氮化镓基传感器及其制备方法，为层叠式的阶梯结构，包括形成台面隔离的电路区和传感器区；所述的电路区和传感器区下部具有共同的衬底、缓冲层和高阻GaN层；所述的传感器区用于将外部压力转化为电信号，所述的电路区用于处理所述电信号。优点在于，通过在传感器区外围直接设计和制造用于信号采集处理的电路区，实现压电传感器的单片集成化，具有高性能、高可靠性、体积小和成本低的优点。此外，本发明所述的产品和方法与常规GaN HEMT的制备工艺高度兼容，实现方法简单可靠，从而保证低成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108682734B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201810300074.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L41/083 , H01L41/18 , H01L41/22 , H01L41/04
Abstract: 本发明公开了一种集成外围电路的氮化镓基传感器及其制备方法，为层叠式的阶梯结构，包括形成台面隔离的电路区和传感器区；所述的电路区和传感器区下部具有共同的衬底、缓冲层和高阻GaN层；所述的传感器区用于将外部压力转化为电信号，所述的电路区用于处理所述电信号。优点在于，通过在传感器区外围直接设计和制造用于信号采集处理的电路区，实现压电传感器的单片集成化，具有高性能、高可靠性、体积小和成本低的优点。此外，本发明所述的产品和方法与常规GaN HEMT的制备工艺高度兼容，实现方法简单可靠，从而保证低成本。
-
公开(公告)号：CN108538908B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201810297761.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触，与栅极为肖特基接触。优点在于，通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态，在栅‑漏、栅‑源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度，从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。
-
公开(公告)号：CN108538908A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810297761.6
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaN HEMT器件及其制备方法，包括衬底以及设置在衬底上的HEMT异质结结构；所述的HEMT异质结结构顶层为薄AlGaN势垒层；在薄AlGaN势垒层上方分别设置漏极、源极和栅极；薄AlGaN势垒层上方在栅极与源极之间、栅极与漏极之间设置介质层用于提高沟道的二维电子气浓度；所述的薄AlGaN势垒层与漏极、源极为欧姆接触，与栅极为肖特基接触。优点在于，通过采用薄AlGaN势垒层使HEMT器件栅极区域的沟道处于耗尽截止状态，在栅-漏、栅-源之间的区域则通过调控介质层作用来提高其沟道的二维电子气浓度，从而实现具有较小导通电阻的增强型器件。
-
公开(公告)号：CN111933706B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202010547831.6
申请日：2020-06-16
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于导电凝胶的GaN基HEMT传感器及其制备方法。本发明的GaN基HEMT传感器包括由下而上依次设置的衬底、AlN成核层、AlGaN渐变层或AlN/GaN超晶格缓冲层、GaN:C高阻层、GaN沟道层、AlN隔离层、非掺杂Al0.24Ga0.76N势垒层和帽层，还包括设置在帽层上的源极、栅极和漏极；所述栅极由导电凝胶制成。本发明的GaN基HEMT传感器中的栅极由导电凝胶制成，和传统的GaN基HEMT传感器相比，灵敏度更高、成本更低、制备工艺更加简单，可以极大地扩展HEMT传感器的应用领域。
-
公开(公告)号：CN108461516A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810301462.5
申请日：2018-04-04
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种单片集成三端电压调控发光器件，属于半导体器件技术领域，包括衬底，还包括：垂直结构的发光二级管和垂直场效应晶体管；所述的发光二级管设有正电极，所述的垂直场效应晶体管设有源电极和栅电极；所述的发光二级管和垂直场效应晶体管在所述衬底的上方并列设置且发光二级管和垂直场效应晶体管之间设有隔断部；所述的发光二极管与垂直场效应晶体管具有提供两者之间电学连接的共同的n型半导体导电层。本发明的一种单片集成三端电压调控发光器件具有体积小、控制精确、兼容性好的特点。本发明还公开了一种单片集成三端电压调控发光器件的制备方法，具有制备过程简单可靠的特点。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.019 seconds)
