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公开(公告)号：CN111665898A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010579733.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，涉及新一代信息技术。针对现有技术中温度补偿手段对体积、功率等负面影响的问题提出本方案。利用二极管和第一电阻获得温度感应电阻，同时串接若干HBT管以代替传统电阻，在每一HBT管均引出一路偏置电压，实现多阶正温度系数电压输出。进一步将此电压通过电流镜和正温系数第二电阻转化，为功放芯片提供温漂抑制的偏置电流。有效应对了移动设备对高集成度、高功率输出、高稳定性、低成本的需求。使得其在实现上能以很低的复杂度与较高的可靠性满足移动设备功放芯片在体积、功耗、长期可持续工作等方面的苛刻要求，具有良好的推广价值。
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公开(公告)号：CN108133113A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810023021.3
申请日：2018-01-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/5063 , G06F2217/80 , G06F2217/86
Abstract: 本发明公开了一种基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法，该方法包括以下处理步骤，步骤1：设计功率放大芯片并进行仿真获得该芯片的电气参数；步骤2：根据电路布局获得该芯片的版图及版图的面积参数；步骤3：获得热模型，并且计算获得热流参数；步骤4：进行网格划分，从而获得该芯片内部不同位置的实际温度；步骤5：通过该芯片内部不同位置的实际温度对该芯片的电路及版图进行优化从而降低该芯片的电气误差和芯片内部的实际温度；步骤6：将优化后的芯片重复进行步骤1-步骤5的处理直到芯片达到指定的电气指标并且工作温度在可靠范围内，则优化结束。本发明通过对功率放大芯片的电路和版图进行优化，可以提高热分析的准确性，降低功率放大芯片的误差，提高芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN111665898B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202010579733.0
申请日：2020-06-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功放芯片偏置电路，涉及新一代信息技术。针对现有技术中温度补偿手段对体积、功率等负面影响的问题提出本方案。利用二极管和第一电阻获得温度感应电阻，同时串接若干HBT管以代替传统电阻，在每一HBT管均引出一路偏置电压，实现多阶正温度系数电压输出。进一步将此电压通过电流镜和正温系数第二电阻转化，为功放芯片提供温漂抑制的偏置电流。有效应对了移动设备对高集成度、高功率输出、高稳定性、低成本的需求。使得其在实现上能以很低的复杂度与较高的可靠性满足移动设备功放芯片在体积、功耗、长期可持续工作等方面的苛刻要求，具有良好的推广价值。
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公开(公告)号：CN108133113B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810023021.3
申请日：2018-01-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种基于电热联合建模仿真的功率放大芯片设计优化方法，该方法包括以下处理步骤，步骤1：设计功率放大芯片并进行仿真获得该芯片的电气参数；步骤2：根据电路布局获得该芯片的版图及版图的面积参数；步骤3：获得热模型，并且计算获得热流参数；步骤4：进行网格划分，从而获得该芯片内部不同位置的实际温度；步骤5：通过该芯片内部不同位置的实际温度对该芯片的电路及版图进行优化从而降低该芯片的电气误差和芯片内部的实际温度；步骤6：将优化后的芯片重复进行步骤1‑步骤5的处理直到芯片达到指定的电气指标并且工作温度在可靠范围内，则优化结束。本发明通过对功率放大芯片的电路和版图进行优化，可以提高热分析的准确性，降低功率放大芯片的误差，提高芯片的可靠性。
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