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公开(公告)号：CN117556770B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410043869.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型，涉及半导体器件建模技术，针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间；再设置栅极散粒噪声电流源#imgabs0#串接在微带线TLg和微带线TLs之间。优点在于，采用分布参数元件与集总参数元件混合构建，提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化，扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出，简化了参数提取步骤。
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公开(公告)号：CN119995535A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510464818.7
申请日：2025-04-15
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种多耦合宽带射频低噪声放大器，涉及半导体集成电路，针对现有技术中增益难以提高等问题提出本方案。包括依次信号连接的输入匹配网络、第一级放大电路、第二级放大电路、第三电容、第三级放大电路、第四级放大电路以及输出匹配网络；每一级放大电路分别匹配对应的栅极偏置网络以及漏极偏置网络；第一级放大电路以栅源耦合反馈结构形成输入端；第二级放大电路输出端、第三电容以及第三级放大电路输入端共同构成磁电并联耦合结构，以作为级间匹配网络；第三级放大电路以漏源耦合反馈结构形成输出端。优点在于，通过分别在指定的电路模块中使用耦合连接线，扩展放大器的带宽，提升低噪声放大器的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116131779B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310401909.7
申请日：2023-04-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Lange耦合器的射频低噪声放大器涉及5G电路技术，针对现有技术中传统级间匹配方案结构较为复杂，损耗也较高等问题提出本方案。特点在于第一级放大单元和第二级放大单元之间通过Lange耦合器进行耦合连接。优点在于，通过在输入输出匹配电路和级间匹配电路中适当地使用传输线和耦合器，扩展放大器的带宽，提升低噪声放大器的性能。
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公开(公告)号：CN116131779A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310401909.7
申请日：2023-04-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Lange耦合器的射频低噪声放大器涉及5G电路技术，针对现有技术中传统级间匹配方案结构较为复杂，损耗也较高等问题提出本方案。特点在于第一级放大单元和第二级放大单元之间通过Lange耦合器进行耦合连接。优点在于，通过在输入输出匹配电路和级间匹配电路中适当地使用传输线和耦合器，扩展放大器的带宽，提升低噪声放大器的性能。
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公开(公告)号：CN114070208A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210039721.8
申请日：2022-01-14
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化镓工艺的高增益毫米波宽带超低噪声放大器，涉及通信技术领域，解决现有两级共源共栅级联低噪声放大器噪声较大的技术问题，该低噪声放大器包括依次串接的输入匹配电路、共源放大电路、第一级级间匹配电路、第二级共源共栅放大电路、第二级级间匹配电路、第三级共源共栅放大电路、输出匹配电路，信号进入输入匹配电路，经放大后从输出匹配电路输出。本发明在两级共源共栅级联电路的前面再级联了一级共源放大电路，共源放大电路的噪声比共源共栅放大电路更低，有利于改善噪声系数恶化的劣势，使整个低噪声放大器噪声更低，级联共源共栅电路结构能够提供高增益与拓展带宽，使本发明具有低噪声系数、高增益、大带宽的优势。
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公开(公告)号：CN117556770A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202410043869.8
申请日：2024-01-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种新型GaN HEMT晶体管高频噪声等效电路模型，涉及半导体器件建模技术，针对现有技术中临拟合程度较低等问题提出本方案。寄生部分等效电路分别设置微带线串接在本征部分等效电路的源漏栅各连接点与对应极之间；再设置栅极散粒噪声电流源 串接在微带线TLg和微带线TLd之间。优点在于，采用分布参数元件与集总参数元件混合构建，提升了GaN HEMT等效电路模型在毫米波频段的适用性和准确度。所引入的有耗传输线的等效电感电阻值随频率变化，扩展了适用带宽。传输线参数可通过工艺参数或版图结构信息直接得出，简化了参数提取步骤。
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公开(公告)号：CN114598271A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210330145.2
申请日：2022-03-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明提出了一种带有耦合线反馈的单级低噪声放大器，包括输入端IN、单级共源放大电路、输入匹配电路、输出匹配电路、第一去耦电容、第二去耦电容、漏源耦合线以及输出端OUT。其中，单级共源放大电路为MOS晶体管M1；输入匹配电路包括传输线TL1、TL2、TL3和电容C1；输出匹配电路包括传输线TL4、TL5、TL6和电容C2；第一去耦电容为电容器Cd1；第二去耦电容为电容器Cd2；漏源耦合线包括传输线TL8和传输线TL7。输入匹配电路采用短传输线、串联传输线和串联电容构成的T型匹配网络，在实现噪声匹配的基础上最大程度兼顾输入反射系数。整个电路的输入匹配和输出匹配全部采用传输线和电容，避免了采用电感带来的自谐振问题，提高电路的稳定性。
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