空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置

    公开(公告)号:CN114692068A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202210256713.9

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置,其中方法包括:给定双载波射频电场的数学形式;由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式;设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布;导出能量获取的通用表达式,获取第一能量获取表达式;根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式;根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式;结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式;根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度,弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。

    一种柔性压电式的三维触觉传感器阵列及其制备方法

    公开(公告)号:CN109406012A

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201811331536.6

    申请日:2018-11-09

    Abstract: 本发明公开了一种柔性压电式的三维触觉传感器阵列,其结构包括从上至下依次连接的PDMS半球形凸起层、上电极层、纳米结构压电薄膜层、下电极层、印刷电路板柔性基底层;所述纳米结构压电薄膜层为纳米结构ZnO压电薄膜,且位于呈阵列图案化分布的上下电极层之间,形成多个压电敏感单元;所述三维触觉传感器阵列由M×N个相互分离的传感器单元构成,每个传感器单元含一个PDMS半球形凸起和三个压电敏感电容,PDMS半球形凸起将三维接触力传递至三个压电敏感电容,通过三个压电敏感电容产生电荷的大小以测量外界三维接触力。本发明还公开了该柔性压电式的三维触觉传感器的制备方法。本发明具有三维接触力测量、高灵敏度、高柔韧性、动态响应好的优点。

    一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法

    公开(公告)号:CN105428419B

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201510981786.4

    申请日:2015-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极;所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间;所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方;所述源漏极在半导体有源层上,且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本发明可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性,可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值,两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用,使电路得到简化,从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围,能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。

    一种可控测试纳米发电机性能的装置及方法

    公开(公告)号:CN106950498A

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201710245786.7

    申请日:2017-04-14

    Inventor: 耿魁伟 郑祥忠

    CPC classification number: G01R31/34

    Abstract: 本发明公开一种可控测试纳米发电机性能的装置,涉及测试技术领域,包括底座、支架、可调速电动马达、曲柄连杆机构、拍击工具和电测试装置,所述支架安装在底座上,所述可调速电动马达安装在支架上,所述可调速电动马达和拍击工具之间通过曲柄连杆机构连接,所述拍击工具与曲柄连杆机构之间为可拆卸连接,所述拍击工具设置有多个,每个拍击工具的质量不相等。本发明还公开一种可控测试纳米发电机性能的方法。该可控测试纳米发电机性能的装置用以实现在测试纳米发电机输出特性的过程中,可以控制拍击频率和力度的大小并且保持恒定。

    一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片

    公开(公告)号:CN103022070B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201210476298.4

    申请日:2012-11-22

    Abstract: 本发明公开一种具有新型发光单元结构的大尺寸LED芯片,其衬底为长方体,而外延层分割成多个发光单元,发光单元侧壁制备有微结构,微结构呈随机分布或周期分布。对于导电型衬底,所述发光单元为圆柱形、正圆台形或倒圆台形,发光单元以并联的形式组成单个的大功率LED芯片;对于绝缘型衬底的大尺寸LED芯片,所述发光单元台形结构的台基和台面分别为圆柱形、正圆台形或倒圆台形,发光单元以串联或并联的形式组成单个的大功率LED芯片。本发明保持简单的芯片切割工艺,而对芯片内部的发光单元应用塑形技术和侧面粗化技术,并对电极优化设计,增强各发光单元的光提取效率和电注入效率,从而提高大尺寸LED芯片的发光效率。

    一种柔性压电微机械超声换能器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119819566A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202510083822.9

    申请日:2025-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种柔性压电微机械超声换能器及其制备方法和应用。本发明的柔性压电微机械超声换能器包括层叠结构和封装层叠结构的柔性包覆层,层叠结构包括依次层叠设置的柔性基底、胶粘层、第一支撑层、第二支撑层、底电极层、压电层和顶电极层,第一支撑层设置有贯穿空腔结构,第一支撑层和第二支撑层均是由环氧基负性光刻胶制成,压电层的组成包括聚偏氟乙烯‑三氟乙烯和纳米铌酸钾钠陶瓷颗粒。本发明的柔性压电微机械超声换能器具有灵敏度高、拉伸延展性和弯曲性好、谐振频率可以灵活调节、易于阵列化等优点,且其制备方法简单、生产成本低、易于批量生产,适合进行大规模工业化生产和应用。

    一种钴酸铜-层状双氢氧化物复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN118507263A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410386153.8

    申请日:2024-04-01

    Abstract: 本发明公开了一种钴酸铜‑层状双氢氧化物复合材料及其制备方法和应用。本发明的钴酸铜‑层状双氢氧化物复合材料的组成包括柔性多孔导电基底、原位生长在柔性多孔导电基底表面的钴酸铜纳米线和原位生长包覆在钴酸铜纳米线表面的镍钴层状双氢氧化物纳米片。本发明的钴酸铜‑层状双氢氧化物复合材料具有比表面积大、结构稳定、制备简单等优点,不仅在超级电容器应用上具备高电容、良好的倍率性能等优势,而且在电催化领域也展现出优异的电催化性能,用在非酶葡萄糖传感器上具有响应速度快、灵敏度高、线性检测范围宽、抗干扰能力强等优点,是一种优异的双功能材料,适合进行大规模工业化应用。

    一种可拉伸电极及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN118434256A

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202410588439.4

    申请日:2024-05-13

    Abstract: 本发明公开了一种可拉伸电极及其制备方法与应用,涉及柔性电子技术,针对现有技术中机械/电学性能不足的问题提出本方案。可拉伸电极包括层叠设置的弹性聚合层和压电聚合层,所述压电聚合层内嵌有导电网络。制备方法,包括:S1.在基底上制备导电网络的步骤;S2.在所述基底上用压电聚合物灌满导电网络,形成压电聚合层的步骤;S3.在压电聚合层上覆盖弹性聚合层的步骤;S4.将所述基底剥离的步骤。所述一种可拉伸电极应用在压电式压力传感器上。优点在于,既可以改善可拉伸电极的拉伸性、表面粗糙度,也能够有效提高压电器件的输出特性,同时具备容易图形化的特点。

    一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN109307564B

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN201811184757.5

    申请日:2018-10-11

    Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压电材料的集成化柔性触觉传感器,由柔性基底、有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层、纳米压电薄膜层和上电极层构成;所述有机半导体薄膜层、源/漏电极、栅介质层、栅电极层构成有机半导体薄膜晶体管;所述纳米压电薄膜层为四脚针状氧化锌纳米结构压电薄膜层。本发明实现了高灵敏度、高分辨率、高信噪比和抗干扰能力强的集成化柔性触觉传感器,工艺简单、成本低廉并且可大面积阵列化制备,能广泛应用于电子皮肤和仿生机器人等多个领域。

    一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116581143A

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN202310352671.3

    申请日:2023-04-03

    Abstract: 本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用,该增强型HEMT器件利用本征栅极GaN盖帽层与AlGaN背势垒层的极化效应通式对栅金属电极下方的沟道中的2DEG进行调制,由于GaN材料与AlInN材料以及AlGaN材料的极化效应差,会在本征栅极GaN盖帽层与AlInN势垒层界面、GaN沟道层与AlGaN背势垒层界面处产生负的净极化电荷,从而抬高AlInN势垒层与GaN沟道层的能带,抬高了导带底与费米能级之间的距离,进而耗尽沟道中的2DEG,实现增强型器件。

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