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公开(公告)号：CN114692070B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210254709.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/12
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质，其中方法包括：S1、确定阴极金属板和阳极介质板两板之间的结构模型；S2、将两个电流密度值分别作为泊松轨迹过程的输入，计算单位时间注入的电荷量，以及在计算电子轨迹过程中计算电荷量并沉积到网格上；S3、获得电势分布，根据电场定义通过外推过程进行多项式拟合求解各点的电场；S4、使用割线法得到更新的电流密度，根据电流密度获取下一次泊松轨迹过程的输入电流密度；S5、输出最终的电流密度分布。本发明给出了非平行平板结构的空间电荷限制电流计算方案，在计算电子轨迹过程中迭代求解电子运动轨迹，探究了空间电荷影响下粒子的运动规律，可广泛应用于电子器件领域。
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公开(公告)号：CN114692068B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210256713.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
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公开(公告)号：CN114692070A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210254709.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/12
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质，其中方法包括：S1、确定阴极金属板和阳极介质板两板之间的结构模型；S2、将两个电流密度值分别作为泊松轨迹过程的输入，计算单位时间注入的电荷量，以及在计算电子轨迹过程中计算电荷量并沉积到网格上；S3、获得电势分布，根据电场定义通过外推过程进行多项式拟合求解各点的电场；S4、使用割线法得到更新的电流密度，根据电流密度获取下一次泊松轨迹过程的输入电流密度；S5、输出最终的电流密度分布。本发明给出了非平行平板结构的空间电荷限制电流计算方案，在计算电子轨迹过程中迭代求解电子运动轨迹，探究了空间电荷影响下粒子的运动规律，可广泛应用于电子器件领域。
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公开(公告)号：CN114692068A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210256713.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
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