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公开(公告)号：CN109004029B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810783099.5
申请日：2018-07-17
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜，第一栅介质层的厚度为5‐15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜，第二栅介质层的厚度为5‐15nm；本发明采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构，减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤，使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷，使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。
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公开(公告)号：CN117317097A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311124327.5
申请日：2023-09-01
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了具有反射镜结构的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述器件基于GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层，在P型GaN层上表面沉积p电极。在刻蚀暴露出的N型GaN层表面，填充有曲面状的封装胶，曲面的内壁上沉积有金属反射层，封装胶与金属反射层构成反射镜结构；并在金属反射层和台面侧壁之间沉积有钝化层。本发明通过金属反射镜能够降低相邻Micro‑LED芯片相互之间的光学串扰，利用金属反射镜与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽P型GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。从而减弱器件边缘部分的SRH复合，提高器件的外量子效率(EQE)。
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公开(公告)号：CN117116962A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311115998.5
申请日：2023-08-31
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开一种微尺寸LED正装阵列芯片及其制备方法。所述正装阵列芯片采用共阴极，阳极单独控制的方式。每个发光单元由GaN基外延层制备而成，从下到上依次设置有衬底、n‑GaN层、绝缘介质层、p电极，绝缘介质层设置有多量子阱层、p‑GaN层。本发明采用选区生长的方式避免了干法刻蚀芯片导致的表面损伤。利用阳极电极与绝缘介质层构成侧壁场板，耗尽p‑GaN层边缘的载流子，降低器件边缘的空穴浓度。从而减弱器件边缘部分的非辐射复合，提高器件的空穴注入效率和外量子效率(EQE)。各个发光单元通过绝缘介质层和阳极电极相互隔离，可防止串扰，提高显示效果。
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公开(公告)号：CN109004029A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810783099.5
申请日：2018-07-17
Applicant: 中山市华南理工大学现代产业技术研究院 , 华南理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO2薄膜，第一栅介质层的厚度为5‐15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜，第二栅介质层的厚度为5‐15nm；本发明采用金属氧化物/SiO2的叠层介质结构，减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤，使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO2介电常数低的缺陷，使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。
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公开(公告)号：CN114692070B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202210254709.9
申请日：2022-03-15
Applicant: 华南理工大学
IPC: G06F17/12
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷限制电流计算方法、装置及存储介质，其中方法包括：S1、确定阴极金属板和阳极介质板两板之间的结构模型；S2、将两个电流密度值分别作为泊松轨迹过程的输入，计算单位时间注入的电荷量，以及在计算电子轨迹过程中计算电荷量并沉积到网格上；S3、获得电势分布，根据电场定义通过外推过程进行多项式拟合求解各点的电场；S4、使用割线法得到更新的电流密度，根据电流密度获取下一次泊松轨迹过程的输入电流密度；S5、输出最终的电流密度分布。本发明给出了非平行平板结构的空间电荷限制电流计算方案，在计算电子轨迹过程中迭代求解电子运动轨迹，探究了空间电荷影响下粒子的运动规律，可广泛应用于电子器件领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315202A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410383321.8
申请日：2024-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种非对称超级电容器及其制备方法和应用。本发明的非对称超级电容器的组成包括正极、电解质溶液和负极，正极的组成包括导电碳纤维布、原位生长在导电碳纤维布表面的CuCo2O4纳米片和原位生长在CuCo2O4纳米片表面的δ‑MnO2纳米线，负极为负载有活性炭、聚偏二氟乙烯和乙炔黑的导电碳纤维布。本发明的非对称超级电容器具有能量密度和功率密度高、电位窗口大、循环稳定性好等优点，且其结构简单、制备方法简单、生产成本低，适合进行大规模工业化应用。
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公开(公告)号：CN116345946A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310364682.3
申请日：2023-04-06
Applicant: 华南理工大学
IPC: H02N1/04
Abstract: 本发明公开了一种摩擦纳米发电机及其制备方法和应用。本发明的摩擦纳米发电机的组成包括第一摩擦单元、第二摩擦单元和柔性支撑骨架，第一摩擦单元的组成包括层叠贴合的第一电极层和第一摩擦层，第二摩擦单元的组成包括层叠贴合的第二电极层和第二摩擦层，第一电极层和第二电极层均固定在柔性支撑骨架上，第一摩擦层和第二摩擦层面对面设置，且两者不直接接触，第一摩擦层为多孔醋酸纤维素膜，第二摩擦层为聚偏二氟乙烯膜。本发明的摩擦纳米发电机具有质量轻、柔韧性好、稳定性高等优点，且其制备方法简单、生产成本低、设备要求低，适合进行大规模生产应用。
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公开(公告)号：CN113114064B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202110284828.4
申请日：2021-03-17
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种摩擦纳米发电机及其制备方法。本发明的摩擦纳米发电机的组成包括第一芳纶纤维层、第一银纳米线层、第二芳纶纤维层和第二银纳米线层；所述第一芳纶纤维层与第一银纳米线层贴合；所述第一银纳米线层和第二芳纶纤维层之间设置有间隙；所述第二芳纶纤维层与第二银纳米线层贴合。本发明的摩擦纳米发电机的制备方法包括以下步骤：1)制备芳纶纤维纸；2)制备芳纶纤维‑银纳米线复合纸；3)将2张芳纶纤维‑银纳米线复合纸组装成摩擦纳米发电机。本发明的摩擦纳米发电机具有质量轻、柔韧性好、耐高温性好、耐老化性好、稳定性高等特点，且制造成本低、制备工艺简单，适合进行大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN114666966A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210188354.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H05H15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于布洛赫表面波的电子加速系统及方法，其中系统包括：玻璃衬底；光子晶体，淀积于玻璃衬底上，为由两种介电常数不同的的介质材料周期交替构成的多层膜结构；飞秒激光脉冲模块，用于产生飞秒激光脉冲，所述飞秒激光脉冲经过所述玻璃衬底，以预设的入射角射入所述光子晶体的第一表面，并从所述光子晶体的第二表面射出，以在所述第二表面处形成布洛赫表面波作用区域；电子注入装置，用于将电子注入所述布洛赫表面波作用区域，实现对电子进行加速。本发明采用布洛赫表面波对电子进行加速，由于飞秒激光激发的布洛赫表面波具有强的局域增强效应，加速电子可以在该强局域场中获得较高的能量。本发明可广泛应用于电子器件领域。
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公开(公告)号：CN109889266A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910088926.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516 , H04B17/391 , H04L1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于高斯近似的可见光通信信道的极化编码方法，包括：S2，根据初始化设置的信噪比求出信道的初始似然值，利用高斯逼近量化算法求出每个子信道的对数似然比 根据每个子信道的对数似然比 得到N个子信道的巴氏参数Z(W)，N为设定的极化码的码长；S3，将N个子信道的巴氏参数进行排序，根据码率从排序后的巴氏参数选择出信息位集合和冻结位集合；从而分析出各个子信道的好坏；巴氏参数越小，代表信道的信道容量越大，这样就可以挑选出更优的信道。S4，将信息位集合结合生成矩阵GN；S5，根据生成的矩阵GN将待传输的源信息 线性映射为编码序列完成可见光通信信道下极化码的编码。
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