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公开(公告)号：CN114692068B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202210256713.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
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公开(公告)号：CN114666966B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210188354.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 华南理工大学
IPC: H05H15/00
Abstract: 本发明公开了一种基于布洛赫表面波的电子加速系统及方法，其中系统包括：玻璃衬底；光子晶体，淀积于玻璃衬底上，为由两种介电常数不同的的介质材料周期交替构成的多层膜结构；飞秒激光脉冲模块，用于产生飞秒激光脉冲，所述飞秒激光脉冲经过所述玻璃衬底，以预设的入射角射入所述光子晶体的第一表面，并从所述光子晶体的第二表面射出，以在所述第二表面处形成布洛赫表面波作用区域；电子注入装置，用于将电子注入所述布洛赫表面波作用区域，实现对电子进行加速。本发明采用布洛赫表面波对电子进行加速，由于飞秒激光激发的布洛赫表面波具有强的局域增强效应，加速电子可以在该强局域场中获得较高的能量。本发明可广泛应用于电子器件领域。
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公开(公告)号：CN118434256A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410588439.4
申请日：2024-05-13
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种可拉伸电极及其制备方法与应用，涉及柔性电子技术，针对现有技术中机械/电学性能不足的问题提出本方案。可拉伸电极包括层叠设置的弹性聚合层和压电聚合层，所述压电聚合层内嵌有导电网络。制备方法，包括：S1.在基底上制备导电网络的步骤；S2.在所述基底上用压电聚合物灌满导电网络，形成压电聚合层的步骤；S3.在压电聚合层上覆盖弹性聚合层的步骤；S4.将所述基底剥离的步骤。所述一种可拉伸电极应用在压电式压力传感器上。优点在于，既可以改善可拉伸电极的拉伸性、表面粗糙度，也能够有效提高压电器件的输出特性，同时具备容易图形化的特点。
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公开(公告)号：CN116581143A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310352671.3
申请日：2023-04-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种增强型HEMT器件及其制备方法和应用，该增强型HEMT器件利用本征栅极GaN盖帽层与AlGaN背势垒层的极化效应通式对栅金属电极下方的沟道中的2DEG进行调制，由于GaN材料与AlInN材料以及AlGaN材料的极化效应差，会在本征栅极GaN盖帽层与AlInN势垒层界面、GaN沟道层与AlGaN背势垒层界面处产生负的净极化电荷，从而抬高AlInN势垒层与GaN沟道层的能带，抬高了导带底与费米能级之间的距离，进而耗尽沟道中的2DEG，实现增强型器件。
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公开(公告)号：CN116526102A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310488441.X
申请日：2023-04-28
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种扇形微带线阵列结构、电路及设计方法，其中扇形微带线阵列结构包括：主扇形微带线，用于提供两个第一谐振点；两组辅扇形微带线，两组辅扇形微带线的结构相同，且对称地设置在主扇形微带线的两侧，辅扇形微带线用于提供多个第二谐振点；主扇形微带线和辅扇形微带线的弧线均采用类正弦函数的形状设计；两个第一谐振点的频率和多个第二谐振点的频率分别分布在预设的中心频率的两侧；主扇形微带线的角弧度和两组辅扇形微带线的角弧度之和小于180°。本发明通过扇形微带线结构控制其谐振频点，进而构造扇形微带线阵列单元形成多谐振频率点的宽带电路结构，以满足宽带射频偏置电路的设计需求。本发明可广泛应用于射频前端系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113312756A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110513603.1
申请日：2021-05-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法，包括以下步骤：一、给定两个电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值；二、将电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值代入泊松方程，获取对应的阴极边界电场值；三、预测电子电流密度值；四、基于预测的电子电流密度值，得到新的阴极边界电场值，判断新的阴极边界电场值是否满足所要求的阴极边界条件；五、给定新的离子电流密度值，执行步骤一到步骤四，得到两个阳极边界电场值；六、预测离子电流密度值；七、预测阳极边界电场值，判断预测的阳极边界电场值是否满足所要求的阳极边界条件；八、输出最终的电子和离子电流密度。
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公开(公告)号：CN116561970A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310349995.1
申请日：2023-04-03
Applicant: 华南理工大学 , 南京客莱沃智能科技有限公司
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种在场发射下计算纳米空间电荷限制电流的方法，涉及纳米真空二极管的空间电荷限制电流计算方法，针对现有技术中计算仅限于经典模型的问题提出本方案。基于量子效应通过薛定谔方程和泊松方程计算间隙电势，利用自洽的数值计算得到纳米真空二极管的电流密度。其优点在于，利用薛定谔方程和泊松方程以及量子场发射等理论计算纳米真空二极管的电子电流。通过自洽数值计算，解析不同状态下的电子电流密度，适用于多种电流场合。
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公开(公告)号：CN115615930A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211626246.0
申请日：2022-12-17
Applicant: 南京客莱沃智能科技有限公司 , 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了双级吸收增强型光声光谱气体检测方法及装置，具体涉及气体检测领域，用于解决现有检测得到的光声信号值极易受外界因素的干扰，导致现场应用效果不甚理想的问题，包括检测前获取检测指标信息，判断检测指标对光声信号的综合影响程度；确保检测指标符合基本检测要求后，对气体进行分析检测；检测时实时获取气体检测过程中的环境信息，确定各环境影响因素实时浮动值；是通过在进行气体检测前对各种影响因素进行综合分析，评估其对光声信号的影响程度，并在检测时实时监测环境影响因素，当有扰动产生时，及时根据扰动情况进行调整，以保证检测过程中光声信号的稳定，确保气体检测的准确性。
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公开(公告)号：CN113312756B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110513603.1
申请日：2021-05-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种同步确定二极管边界电场与电流密度的方法，包括以下步骤：一、给定两个电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值；二、将电子电流密度初始值以及一个离子电流密度初始值代入泊松方程，获取对应的阴极边界电场值；三、预测电子电流密度值；四、基于预测的电子电流密度值，得到新的阴极边界电场值，判断新的阴极边界电场值是否满足所要求的阴极边界条件；五、给定新的离子电流密度值，执行步骤一到步骤四，得到两个阳极边界电场值；六、预测离子电流密度值；七、预测阳极边界电场值，判断预测的阳极边界电场值是否满足所要求的阳极边界条件；八、输出最终的电子和离子电流密度。
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公开(公告)号：CN114692068A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210256713.9
申请日：2022-03-16
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种空间电荷效应对二次电子倍增影响的计算方法及装置，其中方法包括：给定双载波射频电场的数学形式；由双载波射频电场数学形式导出二次电子的第一速度表达式；设定二次电子的发射速度和角度所服从的分布；导出能量获取的通用表达式，获取第一能量获取表达式；根据第一能量获取表达式获取第二能量获取表达式；根据给出电势分布的泊松方程求解出电势分布表达式；结合电势分布表达式和第二速度表达式获取二次电子飞行时间t的函数表达式；根据函数表达式和第二能量获取表达式获取平均碰撞能量表达式。本发明计算了空间电荷效应对单电介质层二次电子倍增的影响程度，弥补了相关研究的空白。本发明可广泛应用于真空电子器件领域。
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