公开(公告)号：CN109889266A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910088926.3

申请日：2019-01-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  渠文宽 ,  黄华茂 ,  姚若河

IPC: H04B10/116 ,  H04B10/516 ,  H04B17/391 ,  H04L1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于高斯近似的可见光通信信道的极化编码方法，包括：S2，根据初始化设置的信噪比求出信道的初始似然值，利用高斯逼近量化算法求出每个子信道的对数似然比 根据每个子信道的对数似然比 得到N个子信道的巴氏参数Z(W)，N为设定的极化码的码长；S3，将N个子信道的巴氏参数进行排序，根据码率从排序后的巴氏参数选择出信息位集合和冻结位集合；从而分析出各个子信道的好坏；巴氏参数越小，代表信道的信道容量越大，这样就可以挑选出更优的信道。S4，将信息位集合结合生成矩阵GN；S5，根据生成的矩阵GN将待传输的源信息 线性映射为编码序列完成可见光通信信道下极化码的编码。

公开(公告)号：CN109742144A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201910080310.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  渠文宽 ,  黄华茂 ,  刘玉荣 ,  姚若河

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。

公开(公告)号：CN109889266B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201910088926.3

申请日：2019-01-30

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  渠文宽 ,  黄华茂 ,  姚若河

IPC: H04B10/116 ,  H04B10/516 ,  H04B17/391 ,  H04L1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于高斯近似的可见光通信信道的极化编码方法，包括：S2，根据初始化设置的信噪比求出信道的初始似然值，利用高斯逼近量化算法求出每个子信道的对数似然比根据每个子信道的对数似然比得到N个子信道的巴氏参数Z(W)，N为设定的极化码的码长；S3，将N个子信道的巴氏参数进行排序，根据码率从排序后的巴氏参数选择出信息位集合和冻结位集合；从而分析出各个子信道的好坏；巴氏参数越小，代表信道的信道容量越大，这样就可以挑选出更优的信道。S4，将信息位集合结合生成矩阵GN；S5，根据生成的矩阵GN将待传输的源信息线性映射为编码序列完成可见光通信信道下极化码的编码。

公开(公告)号：CN109742144B

公开(公告)日：2020-09-22

申请号：CN201910080310.1

申请日：2019-01-28

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 耿魁伟 ,  渠文宽 ,  黄华茂 ,  刘玉荣 ,  姚若河

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种槽栅增强型MISHEMT器件，包括衬底；位于所述衬底上异质外延生长的SiN成核层；位于所述SiN成核层上外延生长的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层上外延生长的AlGaN背势垒层；位于所述AlGaN背势垒层上外延生长的GaN沟道层；位于所述GaN沟道层上外延生长的AlGaN势垒层；位于所述AlGaN势垒层上外延生长的第一AlGaN调制层；位于所述第一AlGaN调制层上外延生长的第二AlGaN调制层；所述第二AlGaN调制层的中部刻蚀有凹栅槽，凹栅槽表面淀积有Al2O3绝缘层，所本发明的器件的有益之处在于击穿电压增大、阈值电压增大和饱和电流密度增大。