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公开(公告)号：CN102050426B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910237082.0
申请日：2009-11-10
Applicant: 北京邮电大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明提供一种基于组分变化结构的异质兼容纳米线的外延生长方法，其中纳米线由不同晶格常数的各种材料的沿单一轴向串接而成，所述方法包括如下步骤：a.在衬底上形成金属纳米颗粒；b.以所述金属纳米颗粒作为催化剂，在所述有金属颗粒的位置，生长出第一种材料的纳米线；c.在所述第一种材料纳米线上继续生长出晶格常数逐渐改变的纳米线缓冲段；d.然后生长第二种材料的纳米线。本发明利用组分变化结构的晶格常数变化特性，实现不同晶格常数材料纳米线的单一轴向可控生长。本发明能成功解决晶格失配的纳米线材料间外延生长的问题，为实现新型纳米线光电子器件提供新思路。
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公开(公告)号：CN100355034C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200410088544.4
申请日：2004-11-08
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/302 , C11D7/34 , C09K13/06 , H01L21/02
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合工艺中的表面处理剂以及晶片键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硫化物溶液，其溶质选自硫脲(CS(NH2)2)，硫化氨((NH4)2Sx)或氯化硫(S2Cl2)，溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水，溶液浓度为0.1%～50%；本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的两块晶片在乙醇和丙酮中清洗，除去表面的油渍，将处理过的晶片置于本发明所提供的表面处理剂中水浴中加热后将两块晶片取出用夹具夹紧放入退火炉中进行热处理，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间的高质量键合，并且环保。
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公开(公告)号：CN1531155A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN03120468.6
申请日：2003-03-17
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01S5/10 , H01L21/306 , C23F1/16 , H01L31/18 , H01L33/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。
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公开(公告)号：CN117492207B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311841780.8
申请日：2023-12-29
Applicant: 深圳臻像科技有限公司 , 北京邮电大学
IPC: G02B27/00
Abstract: 本申请涉及裸眼三维静态光场重建领域，为了解决现有技术中由于静态光场颜色显示设备失真而影响色彩表现的技术问题，本申请公开了逆问题优化的静态光场色域重构算法及系统。所述静态光场系统包括色彩光源结构、三维光场显示结构及逆问题色彩校正模块，该逆问题优化方法包括：获取分析静态光场三维重建的颜色偏移数据；构建静态光场的颜色拟合模型；将色域重构问题建模为逆问题；根据所得的优化参数，对计算机输入合成图像进行颜色重构处理，重新映射颜色数值，实现静态光场不受滤光片工艺及光的衍射影响，提升图像的颜色准确度和静态光场三维显示质量。
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公开(公告)号：CN117369158A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311676310.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 深圳臻像科技有限公司 , 北京邮电大学
Abstract: 本发明涉及静态光场显示技术领域，为了解决现有静态光场显示系统结构复杂和色准低的技术问题，本发明公开了一种CMYK编码的高色准静态光场显示系统及编码算法，包括控光模块和加载有多视点图片的多通道光信息的CMYK光信息模块，控光模块控制透射光束的光程差，周期性调控光束相位变化，光束被控光模块周期性调控到不同方向，形成多角度光束；CMYK光信息模块分为CMY色彩通道光信息子模块与K通道光信息子模块。两模块耦合使多角度光束加载其对应的色彩信息与光强信息，携带光信息的光束在空间中交汇形成空间中体像素，堆叠体像素构建三维图像点云，实现高清、平滑视差、高色阶和高色准的静态光场显示系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103840917B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410124188.0
申请日：2014-03-28
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明提出了一种基于网络编码的多路并行传输方案，解决在无线网络中进行多路并行传输时，由于无线网络的不可靠性引起的频繁丢包和多路径的差异性引起的失序问题。引入网络编码，打破传统可靠有序传输中按序接收的限制，关注接收数据包的个数而非顺序。根据丢包率添加冗余数据包，主动补偿传输过程中可能发生的丢包，避免重传。以组为单位进行传输管理，保证拥塞窗口的快速充分增长，增强系统对超时和丢包的容忍度。采用基于网络编码的多路并行传输方案进行无线多媒体数据传输，能够主动预防并适应无线异构网络的动态性和不可靠性，隐藏失序和丢包问题，大大减少重传，有效提高吞吐量，提供高效优质的无线多媒体传输服务。
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公开(公告)号：CN100587908C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001%～20%。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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公开(公告)号：CN101281856A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200710091028.0
申请日：2007-04-05
Applicant: 北京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种晶片键合的硼化物表面处理剂以及键合方法，本发明所提供的表面处理剂是硼化物溶液，所述硼化物溶液含有硼酸根、硼氢根或硼酸根和硼氢根的混合物。溶剂选自硫化碳、四氯化碳、甲醇、乙醇、氨水和水；溶液浓度为0.001％～20％。本发明所提供的晶片键合方法，先将待键合的晶片进行清洗，然后将晶片置于置于本发明所提供的步骤a中制备的表面处理剂中在0℃～100℃的水浴中放置1分钟～1小时将两块晶片面对面贴紧取出夹紧；将夹好的晶片和夹具一起放入退火炉中进行热处理，处理温度为100～300℃，处理时间为0.5～2小时，实现在较低的热处理温度下，半导体晶片间高质量键合，并且工艺过程环保无毒。
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公开(公告)号：CN1170306C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN01120076.6
申请日：2001-07-11
Applicant: 北京邮电大学
IPC: H01L21/306 , G02B6/136
Abstract: 本发明涉及一种具有非平行腔结构的半导体光波与光电子器件的实现方法，其特征在于，在外延层表面形成引导层以及掩膜层，在需要形成的楔形结构顶端的相对位置除去掩膜层，然后置于HF/CrO3系选择性腐蚀液中，实现需要的楔形结构后从腐蚀液中取出，腐蚀液选用HF/CrO3系腐蚀液，通过调节腐蚀液的组分，可以大范围内调节其选择性，进而实现大范围内调节楔形结构的倾角。
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公开(公告)号：CN118096978B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410503092.9
申请日：2024-04-25
Applicant: 深圳臻像科技有限公司 , 北京邮电大学
IPC: G06T15/02 , G06T15/08 , G06T15/20 , G06N3/045 , G06N3/0464 , G06N3/08 , G06V10/44 , G06V10/52 , G06V10/80 , G06V10/82
Abstract: 本发明公开了一种基于任意风格化的3D艺术内容快速生成方法，其根据输入的多张内容图像构建富含高层次语义信息的特征网格辐射场，通过张量分解优化上述辐射场的存储结构，然后对内容特征进行通道和空间维度上的自适应特征增强，之后从输入的艺术风格图像中学习互补的多层次风格信息，在对特征网格通过体渲染得到的特征图上进行风格迁移，最后根据全局质量损失函数和局部细节损失函数联合训练优化解码器及上述组件，最终实现该内容场景任意视角下风格化艺术图像的快速生成。相比现有技术而言，本发明实现了高质量个性化3D艺术内容的快速生成，适用于复杂场景，而且能有效避免出现可影响视觉效果的伪影，较好地满足了应用需求。
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