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公开(公告)号：CN117038421A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310906582.9
申请日：2023-07-21
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/02 , H01J37/04 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种随引出电极联动的束流屏蔽装置及离子注入机，装置包括：与引出抑制电极和束流屏蔽组件连接的电极连接轴，电极连接轴通过滚珠丝杆与第二带轮组连接，在驱动电机的驱动下，引出抑制电极沿轴向伸缩；凸轮通过偏转组件与电极连接轴连接，第二伺服电机驱动凸轮带动偏转组件转动，电极连接轴带动引出抑制电极旋转；安装平台中心设有通孔，通孔两侧对称设有导轨组，导轨组与套筒座连接，第一带轮组和第二带轮组均设置在套筒座上，导轨组通过滚珠丝杠和第三带轮组与第一伺服电机连接，第一伺服电机驱动带轮组带动滚珠丝杠运行，导轨组带动套筒座实现引出抑制电极水平移动。本发明具有结构紧凑、原理简单、实现了束流的约束和屏蔽等优点。
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公开(公告)号：CN116504613A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310295212.6
申请日：2023-03-23
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种控制半导体晶圆加热温度的方法，包括以下步骤：步骤S1、使用非接触热源，对真空加热腔室内的晶圆进行初次加热，到达第一预定时间t1后，晶圆升温至第一预定温度T1；步骤S2、在真空环境中，将晶圆从初次加热的加热腔室传输至二次加热的加热腔室，到达第二预定时间t2后，晶圆降温至第二预定温度T2；步骤S3、在二次加热的加热腔室内，使用接触或半接触热源对晶圆进行二次加热，到达第三预定时间t3后，晶圆升温并保持在第三预定温度T3，开始对晶圆进行离子注入。本发明具有原理简单、控制精准且加热速度快等优点，解决了半导体高温注入中晶圆加热的控制问题，提高了晶圆高温注入的质量。
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公开(公告)号：CN116053105A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211686072.7
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机用束流监测及响应系统，其包括：电源使能模块，用来控制电源是否激活使用；电压设定及反馈模块，用来对电源电压设值，接收电源电压的反馈值；电流反馈模块，用来接收电源电流反馈值；电流幅值超限判定模块，用来对比电源电流反馈值和预先设置的电流阈值，根据对比结果发出信号；电流幅值超限时长判定模块，用来对比电流幅值超限时长和预先设置的时长阈值，根据对比结果发出信号；Glitch状态输出模块，用来根据电流幅值超限判定模块和电流幅值超限时长的结果判定束流是否输出Glitch信号。本发明具有结构简单、智能化程度高、判定准确性高等优点。
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公开(公告)号：CN115985741A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211686627.8
申请日：2022-12-27
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
Abstract: 本发明公开了一种离子淋浴系统，包括：离子淋浴枪，固定连接于腔体上；供电装置，与离子淋浴枪连接并为离子淋浴枪供电；所述供电装置包括电连接插针、电连接插孔、公水冷接头、母水冷接头；外接电源的正、负极分别连接至电连接插针、电连接插孔，所述电连接插针接入母水冷接头，所述电连接插孔接入公水冷接头；所述公水冷接头、母水冷接头分别与两个导线条连接。本发明具有结构简单、制作简便、稳定性和可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN119958223A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411954500.9
申请日：2024-12-27
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: F25D31/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , F25D23/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆预冷装置，包括：真空腔室、冷却组件、升降组件和靶送气组件，所述真空腔室用于提供晶圆预冷所需的真空环境，所述冷却组件密封贯穿在真空腔室内，以用于承载待冷却的晶圆，且冷却组件与外部冷源连接，以实现晶圆预冷却；所述靶送气组件用于输送惰性气体至真空腔室内；所述升降组件密封贯穿在真空腔室内，以用于带动晶圆在传输机械手与冷却组件之间传送。本发明具有结构紧凑、稳定性高且冷却效果显著等特点，晶圆在传输到靶盘前，通过预冷装置将晶圆冷却到80％的工艺温度，然后传输到靶盘上冷却至工艺温度后掺杂，避免了因晶圆与靶台温差较大，而影响晶圆的离子注入效率和品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118658828A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410731979.3
申请日：2024-06-06
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 一种晶圆夹持机构，包括晶圆压环和多个沿晶圆压环圆周方向分布的晶圆压紧件，晶圆压环上沿圆周方向设置有多个安装弹片和用于避让安装弹片形变的避让部，多个晶圆压紧件一一对应的与多个安装弹片连接。本发明晶圆压紧件与安装弹片相连，在晶圆压环向下运动时，安装弹片带动晶圆压紧件整体向下移动，减少了晶圆压紧件与晶圆之间的滑动摩擦距离，基本上晶圆压紧件与晶圆之间不会存在相对运动，从而可大幅降低在压紧过程中带来的颗粒污染；在安装弹片的作用下，各晶圆压紧件内侧与晶圆相接触的位置有较大的运动空间，因此在晶圆压环变形时，仍然可以通过加大晶圆压环向下运动的距离来使所有的晶圆压紧件与晶圆都接触，为晶圆提供可靠的压紧力。
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公开(公告)号：CN117954298A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311838434.4
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/244 , H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机靶盘温度在线监测系统、监测方法及离子注入机，监测系统包括红外测温单元和一个以上的红外窗口，所述红外窗口位于离子注入机靶盘所在的真空腔室壁上，且与靶盘的测温位置相对应；所述红外测温单元位于真空腔室外侧且正对于红外窗口，所述红外窗口在红外测温单元工作波段具有预设透过率。本发明具有测温精度高、实时性好等优点。
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公开(公告)号：CN117936419A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311838433.X
申请日：2023-12-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆光线加热控制方法、介质及系统，方法包括步骤：预先获取晶圆在不同加热功率下的标准加热曲线，并根据不同加热功率下的标准加热曲线，得到对应加热功率下的线性加热段的标准温升速率；其中通过使用光加热的非接触热源对晶圆进行加热；在进行晶圆加热时，获取晶圆的初始温度、目标温度和加热功率；根据晶圆的加热功率得到其标准加热曲线，再根据标准加热曲线得到线性加热段的标准温升速率，再根据标准温升速率、初始温度和目标温度来得到对应的加热时间，来对晶圆进行相应加热时间的加热。本发明具有操作简便、控制精准等优点。
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公开(公告)号：CN119943631A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411905120.6
申请日：2024-12-23
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/244 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本发明公开了一种离子注入机的束流Glitch恢复方法及系统，方法包括步骤：实时监测束流Glitch；当发生束流Glitch时，立即关断束流，同时记录晶圆注入中断位置，记为第一中断位置，同时晶圆运动到安全位置；监测束流稳定性和均匀性达到指标后，立即启动一次Glitch的反向补打，晶圆进行一次Glitch的反向补打；在进行晶圆一次Glitch反向补打时，晶圆从未注入区域开始补打，当晶圆运动到注入第一中断位置时关断束流，至此，一次Glitch补打注入结束。本发明不仅能够完成一次束流Glitch的补打，还可以实现多次Glitch的补打，为离子注入机产品安全的重要补救方法。
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公开(公告)号：CN119885821A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411728246.0
申请日：2024-11-28
Applicant: 北京烁科中科信电子装备有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F18/214 , G06N3/092 , H01J37/302 , G06F113/08 , G06F119/14 , G06F111/04
Abstract: 本发明公开一种高能离子注入机射频段四极透镜联合调控方法及装置，该方法步骤包括：获取高能离子注入机运动过程中的各类运行参数，分类为强化学习所需的参数并构建为训练数据集；使用训练数据集采用Actor‑Critic架构训练强化学习模型，在训练过程中，根据传输效率调整各个四极透镜的设置电压，并在调整过程中将动作参数及其变化量输入至Actor网络获得状态函数，训练完成后得到使得传输效率最高的强化学习智能体；实时获取被控高能离子注入机的各个四极透镜的回读电流以及传输效率，输入至训练获得的强化学习智能体。本发明具有实现方法简单、成本低、调控效率以及精度高且可迁移性强等优点。
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