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公开(公告)号：CN114722882B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210561341.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开了一种脉冲电场数据的处理方法与系统。所述处理方法包括：获取脉冲电场波形中的多个极大值点；对所述多个极大值点进行拟合，以获取所述脉冲电场波形的包络线；以及根据所述脉冲电场波形的包络线，获取所述脉冲电场波形的特征参数值。本发明可简单且有效地对开关设备等操作所产生的脉冲电场数据进行处理，以准确地获取相应的特征参数值，从而可及时监测二次设备周围的电磁环境的突变情况。
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公开(公告)号：CN114200244A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202210146277.X
申请日：2022-02-17
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
Abstract: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统，属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室，以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统，所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数，所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数，并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验，所述故障模拟系统，配合所述环境模拟系统，用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用，模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号：CN114062740A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111189327.4
申请日：2021-10-12
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC: G01R1/18
Abstract: 本发明实施例提供一种用于多信号单线进入暗室的滤波装置，属于滤波技术领域。所述装置包括：金属外壳；暗室屏蔽体；所述金属外壳与所述暗室屏蔽体围合构成具有密封腔的箱体结构，所述密封腔内封装有金属沙；所述暗室屏蔽体用于接入包覆有金属屏蔽层的单芯导线并容许剥离金属屏蔽层的所述单芯导线穿过所述密封腔后进入暗室，所述单芯导线的金属屏蔽层断面与所述暗室屏蔽体接触，以通过所述暗室屏蔽体、所述金属外壳及所述金属沙构成的导电平面消耗干扰信号。本发明方案既保证了单芯导线上的各种有用信号顺利进入电波暗室，又防止了其它干扰信号进入电波暗室，满足了同一线路上多种信号进入暗室的相关要求。
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公开(公告)号：CN113945773A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110283041.6
申请日：2021-03-16
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明实施例提供一种用于静电测试的监测装置及静电测试系统，属于CDM测试技术领域。所述监测装置包括：采集模块，与用于静电测试的静电泄放弹性针连接，用于在对所述静电泄放弹性针进行测试位置调试的过程中，采集所述静电泄放弹性针与被测试物体的接触压力，并生成对应的压力信号；控制模块，与所述采集模块连接，用于接收所述压力信号，并根据所述压力信号确定所述静电泄放弹性针与所述被测试物体的接触状态，以及生成对应于不同接触状态的不同控制指令；以及告警模块，与所述控制模块连接，用于响应于不同的所述控制指令而进行告警提示。通过该技术方案可以精确定位静电泄放弹性针的测试位置，提高测试的效率性和准确性。
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公开(公告)号：CN113782528A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111330860.8
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法，属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括：基体；第一掺杂区，形成于所述基体，所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区；第二掺杂区，形成于所述基体，所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离，所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反；互连层，具有导电性，与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117008033A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310773437.8
申请日：2023-06-28
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京航空航天大学
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明提供一种磁场探头校准系数确定方法、一种磁场探头校准系数确定装置和一种电子设备，属于磁场检测技术领域。磁场探头校准系数确定方法，包括：确定磁场探头对通电的微带线测量的电压值；确定磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值；基于所有子区域的磁场强度值确定磁场探头对微带线测量的磁场强度平均值；基于电压值和磁场强度平均值，确定磁场探头校准系数。相比现有方法在使用微带线对磁场探头进行校准时，计算磁场强度时只计算了探头环中心位置处的场值。本发明通过计算磁场探头限定的磁场强度检测区域中每个子区域的磁场强度值得到的磁场强度平均值更加准确，进而减小计算得到的磁场探头校准系数的误差。
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公开(公告)号：CN116191048B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN115881778B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310056870.X
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；漂移延伸区，形成于漂移区的上表面，漂移延伸区包括第一延伸层和层叠设置于第一延伸层之上的第二延伸层，第一延伸层与第二延伸层具有不同的导电类型，第一延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于漂移延伸区的两侧；栅极，形成于体区上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够改善晶体管的自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN115863416B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310060867.5
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数，空气介质的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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公开(公告)号：CN115863416A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310060867.5
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/51 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种空气介质场板隔离的LDMOSFET器件及制造方法。LDMOSFET器件包括半导体衬底、漂移区、体区、阱区、源极、漏极以及栅极，还包括：场板以及场板隔离结构，场板隔离结构包括空气介质腔和氧化层，空气介质腔形成于漂移区内，氧化层用于封闭空气介质腔，场板形成于氧化层的表面。本发明采用封闭的空气介质腔作为场板隔离介质层，相对于采用二氧化硅场板隔离介质层，本发明的空气介质腔中的空气与漂移区的硅直接接触，彻底消除SiO₂‑Si的界面态，提高LDMOSFET器件的可靠性；并且，空气的介电常数远小于二氧化硅的介电常数，空气介质的场板隔离结构可以更好的降低表面电场，提高器件的击穿电压。
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