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公开(公告)号：CN102570294B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210009274.8
申请日：2012-01-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/028
Abstract: 一种真空解理大功率半导体激光器腔面氮钝化方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。本发明意义在于在保证半导体激光器输出功率不变的情况下，提高光学灾变阈值，降低激光器退化速率，延长激光器使用寿命。此方法先在真空解理机中把半导体激光器芯片解理成Ba条，此过程通入高纯氮气作为保护气体，使整个解理过程处在高纯氮气的氛围中，减少解理后新鲜腔面悬挂键。解理后，迅速把激光器芯片Bar条放入真空镀膜机，用氮离子进行腔面深度钝化，形成GaN钝化层，再用氢离子去除氮钝化生成无用杂质。在半导体激光器形成GaN钝化层后在前后腔面分别进行增透膜和高反膜镀制。此技术方案可应用于各类大功率半导体激光器制造。
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公开(公告)号：CN114865448B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202210552310.9
申请日：2022-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种兼具减小发散角与散热的垂直腔面发射激光器，属于半导体光电子领域。所述激光器包括：n型电极，GaAs衬底，n型布拉格反射镜，n‑间隔层，量子阱结构，p‑间隔层，p型布拉格反射镜，位于p型布拉格反射镜底部的氧化限制层，隔离层，p型电极，散热机构。本发明设置散热机构，散热机构制备在发光区内，或制备在发光区外，或同时制备在发光区内和发光区外。通过合理设计能够得到器件内部不同的温度差异分布，温差导致材料的折射率差发生变化，得到不同的波导效应，能够得到发散角更小的器件，同时器件的热性能得到明显改善。本发明解决了制备VCSEL过程中，刻蚀上DBR层对器件可靠性造成影响的问题，也解决了大功率VCSEL的散热问题。
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公开(公告)号：CN118399196A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410337216.0
申请日：2024-03-22
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
Abstract: 本发明公开了一种基于补偿型刻蚀结构的氧化孔制备方法，该方法得到的器件台面结构非圆形，而是由多边形构成的补偿型刻蚀台面结构，该器件在N型GaAs衬底上生长出外延结构，器件的外延结构自衬底向上依次包括：N型金属电极、GaAs衬底、N型DBR反射层、有源层、氧化限制层、P型DBR反射层、P型金属电极、圆形沟槽、补偿型刻蚀台面结构。在湿法氧化作用下，基于补偿型刻蚀结构的垂直腔面发射激光器会形成三角形和菱形氧化孔。本发明得到的具有三角形和菱形氧化孔结构垂直腔面发射激光器的对高阶模具有良好的抑制作用，有助于器件频率特性和热特性的改善，进而提高光束质量。
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公开(公告)号：CN112838016B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110058767.X
申请日：2021-01-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种埋入基板的芯片增厚方法，在芯层上进行电互连的通孔加工，利用激光打孔工艺开取与埋入器件尺寸相匹配的槽体；加工金属载板，金属载板的中心点需与埋入器件的中心点重合；在金属板上涂胶，将埋入芯片的正面对准贴在金属载板中心处，拾取贴有芯片的金属载板进行载板与槽体贴合，然后翻转基板，使没有载板的槽面朝上，向槽内注射银浆胶体，到达与基板面平行停止注射，用另一块金属载板贴在槽体上面，对金属载板施加一定的压力，提高槽体上表面的平整度；将埋入好的芯层放入烘箱进行银浆固化，固化完成后取下金属载板。本发明适合有衬底接地和导热需求的功率芯片，埋入芯层的芯片有较高的平整度，对后续进行叠层工艺提供有力的保证。
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公开(公告)号：CN113077044A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110292295.4
申请日：2021-03-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种通用的卷积神经网络无损压缩与加速方法，卷积神经网络模型经过无损压缩器优化，以实现模型在嵌入式设备或移动设备上的部署问题。该无损压缩器由结构化剪枝器与模型重塑器进行级联构成。结构化剪枝器用于实现模型结构上的精简优化，通过某些结构化剪枝方法实现对模型参数、FLOPs、模型储存空间的结构化极大压缩；模型重塑器则是对结构化剪枝器精简优化后的模型根据模型特点进行一定程度上的模型重塑，重塑的时，在已优化的模型上尽可能引入更少的结构注入到优化模型中，保证优化后的模型有较少的计算力、参数量的增加，但却性能够上有明显的提升，从而实现模型性能的明显恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113033764A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010282701.4
申请日：2020-04-12
Applicant: 北京工业大学 , 中国科学院计算技术研究所
Abstract: 本发明公开了基于高斯分布特征的深层卷积神经网络压缩加速方法，适用于深度神经网络模型的压缩。首先训练好一个原始的卷积神经网络，然后逐层对该网络进行高斯分析，根据分析的结果选择保留还是删除的卷积核，之后进训练，直到模型剪枝完成。本发明在进行压缩剪枝过程中，采用的技术方案是根据分布收敛特征进行剪枝，在压缩的过程中没有引入其他的剪枝约束超参数，因此压缩的过程是自动化搜索的。本发明的压缩结果是直接压缩出更小的模型，没有引入mask对权重进行操作，压缩的结果可以不依赖于相关的加速库而直接产生加速效果，始终让模型的性能保证在原来的基础上，即没有出现任何的精度损失下进行的。
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公开(公告)号：CN106953233A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710350811.8
申请日：2017-05-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/183
Abstract: 一种倒装垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种结构的垂直腔半导体激光器，包括键合到衬底上的P面电极、P型DBR、限制层、有源区、限制层、N型DBR、ZnO透明电极、SiO2和金属电极，实现了小出光孔径的控制。解决了传统垂直腔半导体激光器以氧化物限制难以实现小出光孔径以及同时需要在底面出光面进行双面光刻以形成对应的出光窗口，并在出光窗口上制备增透膜的问题。该发明在ZnO透明电极的作用下进行出光孔径的控制，而且工艺容易实现，操作简单，成为小型化、效率高、可携带和节能环保的新型光源。
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公开(公告)号：CN104104009A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410323169.0
申请日：2014-07-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/02
Abstract: 一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时，半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属电极上制备Au-Sn焊料层。该Au-Sn焊料层有两种结构，一种是Au、Sn分层结构，另一种是Au-Sn合金结构，两种结构中Au、Sn的质量比均为80:20。本发明提高了焊接质量，延长了器件的寿命，对于器件长期高可靠性工作十分有利。
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公开(公告)号：CN102157507B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201110027068.5
申请日：2011-01-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/00 , H05B37/02
Abstract: 本发明涉及一种LED集成模块的封装结构及其制备工艺，其包括红光LED芯片7和蓝光LED芯片8、具有独立电极3、4、5的LED支架1、陶瓷基板6、荧光粉10、硅胶11，红色LED芯片7和蓝色LED芯片8被固定与LED支架1内，在芯片上均匀涂覆荧光粉10和硅胶11。本发明提供的一种色温和显色指数可调的白光LED集成模块，可以在需要不同的色温时和显色指数的环境下，随时调整红光LED芯片的亮度来实现色温和显色指数的改变，不必使用多个独立的不同色温的LED集成模块，从而能简化灯具的设计，而且减少了荧光粉的使用量，减少了控制电源的数量，大幅度降低了成本。
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公开(公告)号：CN102545052A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210060694.9
申请日：2012-03-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01S5/22
Abstract: 一种具有光栅结构的边发射半导体激光器，属于半导体光电子技术领域。包括衬底、N型限制层、N型波导层、多量子阱有源区、P型波导层、P型限制层、P型欧姆接触层构成的半导体激光器外延结构；同时包括了二氧化硅绝缘层、上层P型电极、下层N型电极，其中光栅结构生长在脊形台上，制作过程采用光刻工艺；划片后，将芯片烧结在铜热沉上，封装固定在散热基座上。此结构中脊形台上光栅结构的引入抑制了注入到有源层载流子的侧向扩散，提高有源区载流子分布的均匀性，从而降低半导体激光器的阈值电流。本发明制作工艺简单、成本低、重复性好。
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