公开(公告)号：CN109742135A

公开(公告)日：2019-05-10

申请号：CN201811466155.9

申请日：2018-12-03

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  黄樟伟

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法。一方面由于在碳化硅MOSFET器件的结型场效应管区域的上方内嵌一个肖特基结，即在碳化硅MOSFET器件内嵌一个肖特基二极管，使得碳化硅MOSFET器件存在的开关损耗问题得到解决。另一方面该器件的制造过程中使用的工艺和条件均为Si CMOS工艺兼容的，并且工艺复杂度低，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾。因此，综上所述，本申请可以有效的增大开关速度，减小了开关损耗，为碳化硅MOSFET的生产提供了很好的借鉴和参考。

公开(公告)号：CN106446405B

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201610846024.8

申请日：2016-09-23

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 林信南 ,  张志远

IPC: G06F17/50 ,  G06N3/08

Abstract: 本申请公开了一种集成电路器件神经网络建模样本选择方法及装置，对于平均影响值最大的输入变量，通过将该输入变量的区间不断地均等划分，直到所有划分出的区间的相对误差都小于或等于预设的误差精度时才停止均等划分动作，并输出划分出的长度最小的区间的长度为该输出变量的步长，再根据该输入变量的步长分别计算其他各输入变量步长，最后对于每一个输入变量，根据其变化区间及步长进行取点，以得到每一个输入变量的样本点集合，从而可以实现在给定精度的情况下实现低样本数据量的选择，并且低样本数据量还节约了器件建模所需的测试开销，提高了神经网络的训练速度。

公开(公告)号：CN108987474A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810572026.1

申请日：2018-06-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 一种增强型HEMT及其制备方法，该增强型HEMT包括GaN外延片、分别位于GaN外延片两端的源极和漏极及位于源极和漏极之间的栅极，该栅极包括多个凹型栅槽，该凹型栅槽表面直接沉积有栅极金属层形成肖特基栅极，或依次沉积栅介质层和栅极金属层形成MIS栅极，凹型栅槽的底部位于GaN外延片的势垒层内，其总长度等于预设栅长，保证了足够的栅极控制能力；各凹型栅槽的深度沿远离源电极的方向依次减小，使得沟道中电子耗尽程度依次减弱，保证了沟道中存在足够的电子，这样能够在实现增强型的基础上维持大电流的特性，从而减小了沟道的导通电阻，降低了器件的功耗。

公开(公告)号：CN108987277A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810564945.4

申请日：2018-06-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  胡腾飞 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/778

Abstract: 一种增强型HEMT及其制备方法，该方法包括：准备包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和帽层结构的GaN外延片；在GaN外延片上刻蚀由第一层光罩定义的隔离区和栅极区，形成刻蚀深度深入沟道层的隔离窗口和栅极窗口；依次沉积栅介质层和栅极金属层，使栅介质层和栅极金属层覆盖GaN外延片表面及隔离窗口和栅极窗口的内壁；刻蚀由第二层光罩定义的欧姆接触区，使刻蚀停止在势垒层的表面、内部或底部，形成源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆金属层；刻蚀掉由第三层光罩定义的电极区以外的欧姆金属层和栅极金属层，形成源极、漏极和栅极。由于隔离区和栅极区使用同一层光罩同时进行制备，减少了一层光罩的使用，从而有效降低了加工成本，更适合于进行批量生产。

公开(公告)号：CN108710472A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810394073.1

申请日：2018-04-27

Applicant: 北京大学深圳研究生院 ,  深港产学研基地

Inventor： 李大刚 ,  郑经炜 ,  陈诗雁 ,  林信南

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/061 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/067

Abstract: 本发明提供一种用于存储单元内部的磨损均衡管理方法及分布式存储系统，所述磨损均衡管理方法包括以下步骤：步骤S1，接收并判断数据请求的类型，当接收数据记录写入请求时跳转至步骤S2，当接收数据记录访问请求时跳转至步骤S3；步骤S2，根据上一个数据记录的偏移纪录写入当前的数据记录，并在写入当前的数据记录后，保存当前的数据记录的结束位置作为下一个数据纪录的偏移纪录；步骤S3，根据数据记录访问请求读取其所在存储单元的偏移记录，并从偏移量开始读出数据记录中的数据。本发明通过记录存储单元内部的读写情况，使得对该存储单元的连续写操作会优先将整个存储单元的内部写满，能够延长存储单元的循环读写寿命，提高读写性能。

公开(公告)号：CN107634009A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710682055.9

申请日：2017-08-10

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/285 ,  H01L29/51 ,  H01L29/778 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种GaN MOS-HEMT器件及其制备方法，该方法为：在GaN外延片上沉积氮化硅介质层，保护材料表面；刻蚀形成栅极窗口；在氮化硅介质层表面和栅极窗口内沉积多晶硅层；将多晶硅层氧化为SiO2栅介质层；刻蚀形成欧姆接触孔；淀积欧姆金属并形成源漏电极；淀积栅电极金属并形成栅电极；表面保护并打开电极(PAD)窗口。本发明的制备工艺和条件均与Si CMOS工艺兼容，其工艺简单，可操作性强，很好的协调了器件性能和工艺复杂度之间的矛盾，为GaN MOS-HEMT器件的量产提供了可能；本发明的栅介质层采用SiO2薄膜构成，其致密性良好，陷阱电荷少，既可降低GaN器件的栅极泄漏电流，又能使GaN器件具有较好的动态特性，可显著提升器件的性能和稳定性。

公开(公告)号：CN107623031A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710650844.4

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 一种改善MIS-HEMT耐压特性的工艺方法及MIS-HEMT，所述工艺方法包括以下步骤：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；制备栅极窗口；沉积栅介质层和栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；在器件表面制备场板隔离介质层；在场板隔离介质层表面制备场板；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。本发明通过在栅极和漏极之间引入场板，改道沟道中电场分布，降低栅极和漏极之间的峰值电场，从而达到改善和提升MIS-HEMT耐压的目的。

公开(公告)号：CN107623030A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710650735.2

申请日：2017-08-02

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孙辉 ,  刘美华 ,  林信南 ,  陈东敏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层后，再次在第一级栅极窗口内制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域，由此形成具有2层金属场板的帽形栅结构；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。

公开(公告)号：CN104239438B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201410437750.5

申请日：2014-08-29

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 李大刚 ,  汪洋 ,  林信南 ,  朱晓阳

IPC: G06F17/30

Abstract: 本发明提供一种基于分离存储的文件信息存储方法和文件信息存储方法，所述文件信息存储方法包括以下步骤：检测记录步骤，检测文件中是否存在元数据存放地址的记录，否则跳至新建记录步骤，是则在记录有效时访问并读回元数据和抽取数据；更新元数据判断步骤，判断元数据文件中的内容是否发生改变，是则更新元数据文件后跳转至回填文件步骤，否则跳至回填文件步骤；回填文件步骤，回填抽取数据至文件中以恢复原文件内容；以及，新建记录步骤，新建一个分离存储的元数据存放地址的记录，在原文件中分出一段空间以存放该元数据存放地址，并将抽取数据与元数据一同分离存放至元数据文件。本发明将元数据分离存储，由文件维护自己的元数据存放记录。

公开(公告)号：CN104241349A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410488417.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 孟航 ,  李冰华 ,  江兴川 ,  林信南

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/36

Abstract: 本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级接近导带底但不进入导带；P型集电区的掺杂浓度比N型隧道掺杂区的掺杂浓度高。该晶体管通过引入N型隧道掺杂区，实现反向导通，因此在工艺制作上，背面无须刻蚀工艺。在工作中，由于没有普通逆导型IGBT集电极端的N型区域，不存在器件正向导通和反向导通时产生的电流集中问题；也不存在器件正向导通时的电压回跳现象。