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公开(公告)号：CN114335194A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111630619.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/872 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/30 , C23C28/00
Abstract: 本申请公开了一种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构，包括衬底材料层、氮化铝薄膜层、N型氮化镓薄膜层、金属欧姆接触层和金属肖特基接触层；其中所述衬底材料层顶侧设置有氮化铝薄膜层，所述氮化铝薄膜层顶侧设置有N型氮化镓薄膜层，所述N型氮化镓薄膜层右端顶侧设置有金属欧姆接触层，与其对应的所述N型氮化镓薄膜层左端顶侧设置有金属肖特基接触层。该种超薄氮化镓肖特基二极管材料结构设计新颖、结构简单，解决现有氮化镓上材料器件可靠性问题，可以实现高质量高耐压肖特基二极管，可以有效避免传统器件材料的缓冲层及掺杂层，直接通过氮化薄膜铝层把器件功能层与衬底材料层结合在一起，实现低成本，低应力，高均匀性的器件材料。
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公开(公告)号：CN114059159A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111371322.3
申请日：2021-11-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明提供一种金刚石的生长方法，采用凝聚态碳源代替气态碳源，除了提供初始条件外，在金刚石生长过程中不需要再通入工艺气体，只需要激发凝聚态碳源形成适合金刚石生长的等离子体区域；激发态的碳源在预先放置的诱导晶种上沉积并同质外延生长金刚石。该方法拓展碳源取材范围，节约能源，避免工艺气体的浪费，便于金刚石的连续生长。
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公开(公告)号：CN113584580A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110895167.9
申请日：2021-08-05
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B25/02 , C30B25/08 , C30B25/12 , C30B29/04 , C23C16/458 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种金刚石圆片径向生长方法及装置，该包括升降式旋转支架和晶圆夹持单元；升降式旋转支架包括升降杆装置、横架、距离调整组件、旋转驱动组件和至少两组平行设置的旋转轴；而该生长方法通过晶圆夹持单元将多片金刚石圆片同轴夹持成柱状，然后安置在升降式旋转支架，升降式旋转支架带动金刚石圆片转动、升降及间隙控制作用下，金刚石圆片侧面暴露在工艺气体激发后的等离子体中，使得金刚石圆片只沿着侧面径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片，通过晶圆夹持单元保持金刚石圆片的厚度，通过旋转轴的研磨保持金刚石圆片的圆度。
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公开(公告)号：CN106935479A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710142725.8
申请日：2017-03-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01J63/02
CPC classification number: H01J63/02
Abstract: 一种紫外射线光源，包括密封腔体和设在该密封腔体内的发光芯片，密封腔体上设有输出窗口，所述密封腔体内设有电子发射装置、两个电极、反光杯和透镜组，两个电极分别与供电电源的正负极连接使的该两个电极之间形成加速电场，电极设在电子发射装置的出口前方，发光芯片设在反光杯内，透镜组设在反光杯的前方；电子发射装置产生电子束，该电子束穿过电极后与水平方向成倾斜方向射向发光芯片使发光芯片产生紫外灯，该紫外灯经反光杯反射后从透镜组穿过并经输出窗口输出。本发明实现阴极射线紫外光源在光束形状及质量方面可调的目的。
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公开(公告)号：CN119589189A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411875542.3
申请日：2024-12-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜复合导热片及其制备方法，制备方法包括：选取金刚石薄膜，金刚石薄膜具有预定的厚度；对金刚石薄膜进行表面平整处理；在金刚石薄膜表面镀一层金属或者涂敷一层含有金属活性成分的焊料，在金属镀层或者焊料上表面贴放金属材质片，将金属材质片与金刚石薄膜的金属镀层金金键合在一起，或者将金属材质片与金刚石薄膜用焊料加热焊接在一起；利用与金刚石薄膜结合在一起的金属材质片将金刚石薄膜从异质衬底上剥离下来，形成金刚石薄膜复合导热片。本发明既保持金刚石薄膜完整无裂纹，又能一次性将金刚石薄膜从衬底上完整剥离下来，且将金刚石薄膜的光滑度高的一面暴露出来，兼容下一步的贴合工艺等工业应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117954331B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
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公开(公告)号：CN118223000A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410326417.0
申请日：2024-03-21
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜、金刚石薄膜制备工艺及电子器件，制备工艺包括：选取表面抛光的异质衬底；对所述异质衬底进行预处理，使所述异质衬底的表面形成金刚石晶种层；在所述异质衬底上生长金刚石薄膜层，形成第一中间产物；将两片第一中间产物以金刚石薄膜层相对的方式贴合，形成第二中间产物；将所述第二中间产物上位于两个外表面的异质衬底剥离，得到双面光滑的金刚石薄膜层。本发明能够使剥离出来的金刚石的成核面与衬底抛光面的粗糙度趋于一致，有利于尽可能地使金刚石薄膜的粗糙度达到纳米级别，同时金刚石薄膜的制作尺寸不受限制，因而能够在低成本的前提下获得尺寸和表面粗糙度均能满足实际使用需求的金刚石薄膜。
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公开(公告)号：CN117328144B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311149602.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种利用浮力维持HVPE反应炉预反应速率稳定的镓舟反应器，包括用于盛放镓金属的腔室及内置于腔室并依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板；腔室包括进气通道、出气通道和镓源存放区；活动盖板包括顶盖及与顶盖共同形成气路通道的侧壁，侧壁的下方设有基座。本发明盛放镓金属的腔室与活动盖板不连通，因此依靠镓金属浮力漂浮于镓金属液面上方的活动盖板可以随着镓金属消耗随着镓金属液面上下运动。由于活动盖板的重量和位于镓金属内部的底部基座体积固定，因此所受到的浮力固定，使侧壁与顶盖形成的气路通道体积固定，可保证镓金属液面下降但是预反应通道固定，以此实现预反应不随镓金属消耗发生变化。
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公开(公告)号：CN114318307B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202111633018.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/511 , C23C16/50 , C23C16/27 , C23C16/46 , C23C16/458 , C23C16/54
Abstract: 本申请公开了一种微波等离子金刚石生长设备及应用方法，包括微波源，所述微波源通过波导连接有谐振腔，所述谐振腔的内腔中安装有基片台结构；本申请相对于现有的MPCVD金刚石沉积设备，本申请采用多面基片台包围谐振腔的设计，各基片台全方位吸收等离子体能量同时沉积生长金刚石膜，大大提高设备的能效。
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公开(公告)号：CN115910782B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211708231.9
申请日：2022-12-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种常关型高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上依次外延生长功能层、沟道层、异质结层、盖帽层和钝化层；衬底背面通过再生长硅单晶层；在衬底上一个指定区域形成贯穿衬底的通孔及在衬底的正面和背面分别沉积电极和电介质层。本发明通过在硅上外延生长GaN/AlGaN结构形成高电子迁移率晶体管，并在硅衬底背面形成MOS器件，通过级联的方式制备出了常关型高电子迁移率晶体管的方案，可有效避免栅电流衰减和开启电压低的问题。
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