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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN118507632A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410565653.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/64 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种小间距LED阵列基座及其制备方法，包括：基板，所述基板的表面形成有按预设间隔呈周期性排列的LED阵列，所述LED阵列包括多个呈阵列排布的LED芯片单元；及热沉材料，所述热沉材料旋涂于所述LED阵列中LED芯片单元之间的间隙中。本发明利用溶液旋涂的方法在mini LED或micro LED阵列中LED芯片单元的间隙中填充金刚石微粉，并在LED芯片单元的四周紧密形成高热导的热沉，其热沉紧靠LED发光区，热传导效果好，实现小间距LED阵列基座较佳的散热效果。
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公开(公告)号：CN112968005B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN112064111B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202010830589.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及晶体合成技术领域，尤指一种大直径金刚石片的制备装置及其制备方法，该装置包括包括壳体、直径检测单元、升降式旋转支架和掩膜单元，壳体通过狭缝隔板分成上腔室和下腔室，上腔室内设有微波等离子体；本发明的方法通过升降式旋转支架带动金刚石圆片转动及升降，金刚石圆片一部分穿过狭缝隔板暴露在微波等离子体中，掩膜单元在金刚石圆片上涂布掩膜，抑制金刚石圆片的轴向生长，使得金刚石圆片只沿着径向旋转生长，从而生长出大直径金刚石圆片；并且根据直径检测单元的反馈，随着金刚石圆片直径生长变大，升降式旋转支架逐步降低，维持金刚石圆片的顶部高度不变，以便在微波等离子体下形成稳定的生长环境。
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公开(公告)号：CN112201567A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011023502.8
申请日：2020-09-25
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/04 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及第三代半导体材料制备技术领域，尤指一种用于氮化物材料外延的高导热衬底的制备方法，包括选用基础衬底的材料，并对基础衬底进行预处理；在基础衬底上沉积一层金刚石导热层；对基础衬底背向金刚石导热层的一面进行抛光减薄，最终获得复合层衬底。本发明主要是利用高导热比的金刚石材料与传统氮化物外延衬底结合实现高导热衬底，其中基础衬底起到氮化物成核功能层的作用，金刚石导热层起到导热的作用，能解决第三代氮化物材料及器件散热差的问题，使氮化物材料及器件在工作过程中始终处于较低的结温状态，提高其可靠性及性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111074345A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN202010033316.6
申请日：2020-01-13
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及金刚石制备技术领域，具体涉及一种大颗粒金刚石的制备装置及其制备方法，本发明的大颗粒金刚石的制备装置包括生长腔室、样品托和微波单元，样品托装设于生长腔室内，微波单元与生长腔室连接，还包括工艺气体单元和旋转调节单元，工艺气体单元与生长腔室连通，旋转调节单元与样品托连接，样品托设有用于放置金刚石样品的凹槽，凹槽内侧设为弧面型，本发明通过旋转调节单元调整样品托变速转动，球形金刚石籽晶在旋转调节单元的带动下，在样品托的凹槽内受控滚动，金刚石晶体可以在三维方向均衡生长，从而制备出高质量的大颗粒金刚石；本发明的制备方法，其工艺简单，制备效率高，且制得的大颗粒金刚石质量好，满足工业化的生产制造。
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公开(公告)号：CN107611268A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710807661.9
申请日：2017-09-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种柔性太阳能电池及其制备方法，包括正电极和负电极，所述正电极和负电极设在钙钛矿结构的吸光层内，正电极的外表面涂覆有空穴传输层，负电极的外表面涂覆有电子传输层，正电极的空穴传输层和/或负电极的电子传输层外表面设有多孔骨架层，钙钛矿结构的吸光层外包覆有透明的柔性绝缘层，正电极和负电极的端部分别裸露在透明的柔性绝缘层外，正电极和负电极采用垂直交叉形式编织，或者平行交替方式排布。本发明通过将正电极和负电极都包覆在钙钛矿结构的吸光层内，实现双面吸光发电，还可使用纺织机械或打印机械大批量大面积生产，使其又具有编织物的柔性，可以很好地扩展太阳能电池的应用领域。
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公开(公告)号：CN119433486A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606062.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。
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公开(公告)号：CN118380519A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410565655.7
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种LED全彩显示阵列结构及其制备方法，包括如下步骤：按照预设间隔呈周期性排列的LED阵列，对蓝绿红三种颜色进行阵列设计；制备LED蓝光芯片阵列基片、LED绿光芯片阵列基片和LED红光芯片阵列基片；将LED绿光芯片阵列和LED红光芯片阵列转移到LED蓝光芯片阵列基片，把蓝光、绿光、红光阵列集成在一起，实现了晶圆级转移集成，形成LED全彩显示阵列结构。本发明通过整体布局、阵列错开设计，将晶圆级别的蓝光芯片阵列、绿光芯片阵列以及红光芯片阵列键合在一起，实现三种颜色阵列的集成，最后封装，实现全色显示驱动，解决目前mini LED和Micro LED阵列显示制备难度高、成本高、良率低的现状。
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公开(公告)号：CN118359194A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310062039.5
申请日：2023-01-18
Applicant: 港大科桥有限公司 , 北京大学东莞光电研究院 , 南方科技大学
IPC: C01B32/28 , C23C16/511 , C23C16/27
Abstract: 本发明提供一种规模化调控金刚石微纳米颗粒形状的方法，所述方法包括：对化学气相沉积生长的金刚石微纳米颗粒和/或高压高温生长的金刚石微纳米颗粒进行空气氧化处理。本发明通过空气氧化实现金刚石微纳米颗粒的可控形态转变，并且已经证明，通过调整空气氧化参数，即温度和持续时间，可以实现一系列独特的形状，包括花形、中空结构、表面图案化的金字塔和回旋镖形状。这些不同形状的金刚石微纳米颗粒的规模化生产代表了重大的科学突破，具有很高的商业价值。能够简单、低成本地制备出所需形状的金刚石颗粒将为金刚石在纳米光子学、量子计算、量子光学等实际应用中排除许多障碍。
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