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公开(公告)号：CN105256372A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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公开(公告)号：CN105063730A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510410911.6
申请日：2015-07-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明公开了一种电镀滚筒，包括筒体和轴承管，该筒体两端装有带齿的边板，轴承管沿筒体的轴线方向设置在筒体内，且该轴承管的两端穿过边板裸露在筒体外，轴承管与边板间为活动装接，筒体侧壁上设有流通孔，所述筒体内设有阳极板和支管，阳极板固定在支管尾端，该支管固定装接在轴承管上，阳极板与阳极线连接，筒体侧壁和边板均与阴极线连接，筒体内壁设有用于放置基板的卡槽机构。本发明能够对基板上的孤立金属线路图形进行直接加厚，提高电镀金属膜层的均匀性，缩短了工序流程，节约成本。
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公开(公告)号：CN104894644A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510365581.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法，包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚，反应釜外围设有加热器，所述坩埚内设有隔板，该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区，生长区底部放置有籽晶，隔板下部设有导通孔，该导通孔使生长区和预生长区相互连通，隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。通过对反应釜的倾斜操作，使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换，使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高，使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。
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公开(公告)号：CN118489444A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410955358.3
申请日：2024-07-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明实施例公开一种基于LED柔性薄膜光照的金线莲培育装置及其制作方法，其中金线莲培育装置包括装置底座、支撑框架、植物种植盒、LED柔性薄膜、智能控制及驱动系统；所述支撑框架固定于所述装置底座上，所述植物种植盒设置于所述装置底座上且位于所述支撑框架的内部，所述LED柔性薄膜覆盖于所述支撑框架上，所述智能控制及驱动系统与所述LED柔性薄膜电连接。本发明方案中，使用LED柔性薄膜的技术特性进行植物生长的光合作用，并且LED柔性薄膜可对金线莲进行360度全方位均匀光照补光，有效提升金线莲的光合作用效率，利用LED柔性薄膜可以实现LED单质光的光质、光周期、光强度和光合光子通量密度的智能控制，从而促进金线莲生长，并有效提高金线莲的产量。
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公开(公告)号：CN112422186B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011250442.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H04B10/116 , H04L27/26 , H04L25/06
Abstract: 本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法，应用于通信领域，解决LED非线性失真的问题，该方法包括：将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据，将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号，该信号经过IFFT变换后加CP循环前缀形成M个第二信号子块，对第二信号子块进行并/串转换后得到M个串行信号数据，对M个串行信号数据进行部分线性压扩变换，得到M个压缩信号，将M个压缩信号进行D/A数模转换，得到M个模拟信号，在M个模拟信号上叠加最优直流偏置信号，得M个单极性信号，将M个单极性信号转换成DCO‑OFDM光信号，通过可见光信道发送给数据接收端，降低可见光通信系统中LED非线性失真的影响，提高系统通信性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105256372B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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公开(公告)号：CN104878451B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN106498499A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610966496.7
申请日：2016-10-28
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/14 , C30B30/02
Abstract: 本发明公开了一种电辅助的氮化物晶体生长装置和方法，包括反应釜和设置在该反应釜内的坩埚，坩埚内填充有反应物溶液，坩埚内底面放置有被反应物溶液浸没的晶种模板，反应釜上设有氮气进口和排气口，还包括电装置，该电装置包括电压源、上电极和下电极，上电极和下电极分别通过导线与电压源连接，上电极延伸至坩埚内且位于反应物溶液的液面上方，下电极设在反应物溶液内。本发明提高了氮化镓单晶晶体质量及生长速率。
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公开(公告)号：CN104878451A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510331552.5
申请日：2015-06-16
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物单晶生长装置，包括反应釜，该反应釜内填充有溶液，反应釜内底部设有晶种模板，所述反应釜内部设置有完全浸没在溶液中的溶液流向引导装置，反应釜底面和侧壁周围均设有加热器，溶液流向引导装置为中空管体，该中空管体底部固定在反应釜底面，该中空管体侧壁下部设有导通孔。本发明有效地克服了传统液相法生长氮化物单晶过程中的不利因素，如存在N空位、结晶不均匀、生长速度慢等问题，提高结晶材料质量。
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公开(公告)号：CN112422186A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011250442.3
申请日：2020-11-10
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H04B10/116 , H04L27/26 , H04L25/06
Abstract: 本申请提供基于可见光通信系统的数据传输方法，应用于通信领域，解决LED非线性失真的问题，该方法包括：将原始数据信号串/并转换得到并行信号数据，将并行信号数据调制处理成具有厄密特共轭Hermitian对称形式的信号，该信号经过IFFT变换后加CP循环前缀形成M个第二信号子块，对第二信号子块进行并/串转换后得到M个串行信号数据，对M个串行信号数据进行部分线性压扩变换，得到M个压缩信号，将M个压缩信号进行D/A数模转换，得到M个模拟信号，在M个模拟信号上叠加最优直流偏置信号，得M个单极性信号，将M个单极性信号转换成DCO‑OFDM光信号，通过可见光信道发送给数据接收端，降低可见光通信系统中LED非线性失真的影响，提高系统通信性能。
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