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公开(公告)号：CN119601521A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411887985.4
申请日：2024-12-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/683 , H01L23/373 , H01L21/04 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种金刚石薄膜的转移方法，包括：在表面光滑的异质衬底上生长金刚石薄膜；利用粘接剂在所述金刚石薄膜的表面粘接临时载体；掀开所述临时载体，以使所述金刚石薄膜跟随所述临时载体脱离所述异质衬底，完成金刚石薄膜的一次转移。本发明采用临时载体与金刚石通过粘接剂粘接，能够精准且完整地将大面积超薄金刚石薄膜从异质衬底上转移出来，从而适用于大面积超薄金刚石薄膜的转移。
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公开(公告)号：CN118516738A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410702870.7
申请日：2024-05-31
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种Ga源自动化补充装置及控制方法，其中Ga源自动化补充装置中的第一导线的第一端与控制器电连接，第一导线的第二端始终浸没在高温熔体中；进液管的第一端与加液装置连通，进液管的第二端浸没在高温熔体内，并且，当高温熔体的液面下降时，进液管的第二端与高温熔体相分离；第二导线的第一端与进液管电连接或进入于进液管内与其内部的Ga液电连接，第二导线的第二端与控制器电连接；第一导线、第二导线、高温熔体、进液管或Ga液以及控制器构成闭合电路，控制器通过闭合电路的电流控制驱动件，驱动件与加液装置连接。上述设计中，利用闭合电路的原理解决GaN晶体生长过程中液相液面下降的问题，确保了GaN晶体质量稳定。
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公开(公告)号：CN118507632A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410565653.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L33/64 , H01L33/00 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开一种小间距LED阵列基座及其制备方法，包括：基板，所述基板的表面形成有按预设间隔呈周期性排列的LED阵列，所述LED阵列包括多个呈阵列排布的LED芯片单元；及热沉材料，所述热沉材料旋涂于所述LED阵列中LED芯片单元之间的间隙中。本发明利用溶液旋涂的方法在mini LED或micro LED阵列中LED芯片单元的间隙中填充金刚石微粉，并在LED芯片单元的四周紧密形成高热导的热沉，其热沉紧靠LED发光区，热传导效果好，实现小间距LED阵列基座较佳的散热效果。
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公开(公告)号：CN118166428A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410288962.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种用于大尺寸氮化镓单晶生长的坩埚装置，包括第一坩埚、及可拆卸式连接于所述第一坩埚内部的籽晶承载件，所述籽晶承载件上设置有衬底。所述籽晶承载件为可拆卸地设置于所述第一坩埚内的第二坩埚、及设置于所述第一坩埚内底部中心的凸台，所述衬底放置于所述凸台的上方；或所述籽晶承载件为设置于所述第一坩埚内底部中心的凹槽、及放置于所述凹槽的载盘，所述衬底放置于所述载盘上。本发明通过籽晶承载件的可拆卸结构设计和尺寸限定，可以实现整个GaN单晶生长过程衬底始终处于坩埚的中轴线上，在实现单晶均匀生长的同时确保单晶生长后容易取出，从而加速晶体材料的生长效率和获得质量较佳的晶体材料。
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公开(公告)号：CN116387346A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310512094.X
申请日：2023-05-08
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L21/205 , H01L21/203 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种具备低导通动态特性的外延材料层及其制备方法、器件，该外延材料层的结构比较薄，不需要传统外延结构的应力释放层及高耐压调控层，通过直接把传统中外延结构缓冲层的结构去除，相当于把这外延结构的起到电子俘获的材料缺陷直接去除,从而实现低导通动态电阻特性，由于氮化镓沟道层本身漏电低，没有缓冲层漏电通道，所以也实现了高耐压，900V‑1200V，高达到1700伏，相比现有技术获得了较高的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119433486A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411606062.7
申请日：2024-11-12
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开一种金刚石薄膜及其制备方法和可重复利用的衬底材料，金刚石薄膜的制备方法包括：选取表面光滑的异质衬底，对异质衬底进行预处理；在异质衬底上生长所需厚度的金刚石薄膜，在金刚石薄膜的形核成膜阶段，工艺气体中通入适量的氮气；通过物理方法将金刚石薄膜从异质衬底上剥离，得到金刚石薄膜和衬底材料；将衬底材料进行表面处理，形成表面光滑的异质衬底，重复使用。本发明金刚石薄膜的制备方法既可以保持金刚石薄膜完整无裂纹，又可以通过简单的物理方法将金刚石薄膜从衬底材料上剥离，获得完整的金刚石薄膜和衬底材料，衬底材料经过简单的清洁、抛光等处理方法后即可重复使用，节约了金刚石薄膜制造过程中的材料成本。
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公开(公告)号：CN118380519A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410565655.7
申请日：2024-05-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种LED全彩显示阵列结构及其制备方法，包括如下步骤：按照预设间隔呈周期性排列的LED阵列，对蓝绿红三种颜色进行阵列设计；制备LED蓝光芯片阵列基片、LED绿光芯片阵列基片和LED红光芯片阵列基片；将LED绿光芯片阵列和LED红光芯片阵列转移到LED蓝光芯片阵列基片，把蓝光、绿光、红光阵列集成在一起，实现了晶圆级转移集成，形成LED全彩显示阵列结构。本发明通过整体布局、阵列错开设计，将晶圆级别的蓝光芯片阵列、绿光芯片阵列以及红光芯片阵列键合在一起，实现三种颜色阵列的集成，最后封装，实现全色显示驱动，解决目前mini LED和Micro LED阵列显示制备难度高、成本高、良率低的现状。
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公开(公告)号：CN117954331A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410353818.5
申请日：2024-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/683 , C23C16/27 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种金刚石复合散热基板的制备方法及金刚石复合散热基板，包括以下步骤：S1、取异质衬底，活化异质衬底抛光面，在异质衬底抛光面旋涂纳米金刚石分散液并甩干；S2、用CVD金刚石生长设备在异质衬底的抛光面上生长多晶金刚石膜；S3、将多晶金刚石膜进行剥离；S4、在导热基片上涂覆纳米浆料，然后将多晶金刚石膜的生长面粘贴在纳米浆料；S5、粘贴有多晶金刚石膜的导热基片进行热压烧结，形成金刚石复合散热基板。上述制备方法中，复合异质衬底的多晶金刚石膜成核面不需要抛光即可达到纳米级粗糙度，方便与器件的结合。其次，使用超薄的多晶金刚石膜与导热基片进行结合，可以在导热效果与制造成本方面获得高的性价比。
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公开(公告)号：CN115881863B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202211655380.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
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公开(公告)号：CN115881863A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211655380.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种三色氮化物发光二极管的制造方法，包括在衬底上进行外延生长功能层和发光层；通过区域选择性刻蚀，形成第一区域、第二区域和第三区域，分别使第一区域、第二区域和第三区域为第一发光层、第二发光层和第三发光层；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积透明导电薄膜层；对第一区域、第二区域和第三区域进行刻蚀形成台面结构；在第一区域、第二区域和第三区域上分别沉积电介质层，电介质层不完全覆盖透明导电薄膜层；分别在第一区域、第二区域和第三区域的未被电介质层覆盖的透明导电薄膜层的表面沉积电极。本发明使一种芯片具有三种不同的发光区域，减少芯片尺寸缩小后的芯片拣选次数，实现更小型的LED显示应用。
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