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公开(公告)号：CN119028414A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411138958.7
申请日：2024-08-19
Applicant: 北京大学
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体2T0C DRAM非易失性断电测试电路及验证方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明测试电路包括氧化物半导体2T0C DRAM单元、传输门、输入数据缓冲器、电流模式灵敏放大器和自举写入字线驱动器，在氧化物半导体2T0C DRAM单元写入操作后，通过传输门的形式，引入了高阻节点，实现了氧化物半导体2T0C DRAM单元的完全断电及与外部电路的隔离。本发明可以很好地对氧化物半导体2T0C DRAM单元进行非易失性测试与验证，从而拓宽了氧化物半导体2T0C DRAM非易失性的应用范围，对其在后摩尔时代的发展具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119008702A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411121504.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明公开了一种接触优化的氧化物半导体晶体管及其制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明在源、漏金属电极层和氧化物半导体沟道层之间的接触区域原位插入一层氧化物半导体接触层，该氧化物半导体接触层的载流子浓度与氧化物半导体沟道层的载流子浓度不同，在接触界面形成偶极子对。本发明可以在不影响阈值电压和载流子迁移率的前提下降低源漏接触电阻，从而提升开态电流、转移跨导等开态性能，且不会增加工艺难度，可以实现超短沟器件，更有利于实现接触尺寸小于20纳米的高性能器件。
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公开(公告)号：CN119008696A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411049564.4
申请日：2024-08-01
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管及制备方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明氧化物半导体场效应晶体管采用沟槽状的氧化物半导体沟道层，在沟槽内再填充氧化物半导体材料，氧化物半导体填充层材料的氧空位浓度比氧化物半导体沟道层材料的氧空位浓度小；通过采用低载流子浓度的氧化物半导体作为内部填充材料，可以有效提升垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管的阈值调控能力，并避免界面损伤和非必要掺杂的影响，实现可精准调控阈值的垂直沟道氧化物半导体场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN116926677A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210358854.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。
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公开(公告)号：CN114242780A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111571065.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 北京超弦存储器研究院 , 北京大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/24 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氧化铟锡垂直型环栅场效应晶体管及其制备方法。所述场效应晶体管为垂直型环栅结构，包括绝缘衬底，在绝缘衬底上由下至上依次层叠漏电极、大高宽比的氧化铟锡沟道层和源电极，其中氧化铟锡沟道层被高κ栅介质层和栅电极环绕包覆，形成环栅结构。氧化铟锡沟道由环栅包围，栅控能力增强，能更好地抑制短沟道效应，进一步推进工艺节点，并且相比于平面型环栅在栅长及源漏接触面积上的限制更小，其整体工艺热预算在300℃以内，可进行三维堆叠，因此有效提升了集成密度。
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