公开(公告)号：CN117650141A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202311764364.2

申请日：2023-12-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴燕庆 ,  史新航 ,  熊雄

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了一种基于二维沟道的堆叠纳米片器件及其制备方法，属于半导体器件领域。所述基于二维沟道的堆叠纳米片器件由两层或更多层以二维纳米片为沟道的全环栅场效应晶体管堆叠组成，其制备方法包括：在衬底上选择性刻蚀凹槽并填充底部牺牲层；在底部牺牲层两侧制备源漏电极；沿源漏电极在牺牲层上外延二维纳米片；在二维纳米上沉积新的牺牲层；重复制备二维纳米片和沉积牺牲层；刻蚀去除牺牲层，在二维纳米片周围沉积栅介质层，并在栅介质层中间填充栅极。本发明通过垂直堆叠结构提高了器件性能和器件密度，原位制备二维纳米片沟道还简化了工艺流程，为二维半导体器件在后摩尔集成电路工艺中的应用提供了一种实施方案。

公开(公告)号：CN116926677A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210358854.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴燕庆 ,  王欣 ,  史新航

IPC: C30B29/46 ,  C30B25/18 ,  C30B25/16

Abstract: 本发明公开了一种在硅基绝缘层上生长大面积高性能空穴导电二硒化钨单晶的方法。该方法是利用熔融盐与钨源反应生成更低熔点更高蒸气压的中间产物，使得硅基底上的氧化硅或高介电常数绝缘层上更易基于化学气相沉积的原理生长二硒化钨单晶，同时通过改变衬底放置方式实现二硒化钨的大面积生长。本发明方法能够有效控制大面积多层二硒化钨单晶的生长，得到硅基兼容的高迁移率的空穴导电二维材料，且操作简单，无需转移，材料质量更高。