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公开(公告)号：CN117779188A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311802994.4
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: C30B25/18 , C30B25/16 , C30B29/68 , C30B29/40 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，除气时间不少于两小时；S3、对GaSb衬底升温至520℃脱氧，直至GaSb衬底表面形貌点线清晰，保持三分钟；S4、对GaSb衬底降温至440℃，在GaSb衬底上生长厚度为500nm的GaSb缓冲层；S5、对GaSb衬底和GaSb缓冲层降温至420℃，在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格；在GaSb缓冲层上生长InAs/GaSb II类超晶格的过程中，As/In束流比为7～11。本发明优化As/In的束流比，在生长InAs/GaSb II类超晶格时提前打开As阀门，解决了由于缺As导致的InAs/GaSb II类超晶格表面易形成针状“亮点”缺陷的问题。
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公开(公告)号：CN117747693A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311568221.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/0376
Abstract: 本发明提供了一种基于GaSb光子晶体板的多光谱短波红外探测器，包括二类超晶格PBIN探测单元，以及在二类超晶格PBIN探测单元的GaSb盖层上集成的GaSb光子晶体板；GaSb光子晶体板包括多个晶体板单元，并且多个晶体板单元的周期不同、晶格常数不同；每一个晶体板单元开设多个探测孔，多个晶体板单元的探测孔的孔尺寸不同。本发明具有波长选择性、光谱多样性、高分辨率、工作波段广泛的优势。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119322383A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202411441187.9
申请日：2024-10-16
Applicant: 北京信息科技大学 , 广州市南沙区北科光子感知技术研究院
Abstract: 本发明涉及红外探测器技术领域，公开了一种基于多层光学堆栈的红外探测器宽波段增透膜，包括以下具体步骤：步骤一：首先确定增透膜的应用波段，选择增透膜材料MgF2、S i、ZnSe，基底材料为GaSb；步骤二：依据菲涅尔定律和光波的相关理论，研究光波在经过不同界面时反射波和透射波振幅的大小以及反射相位的变化，利用相关公式求出多层膜的反射率特征矩阵，并考虑材料的折射率和吸收系数。通过采用新型多层膜设计，显著提高了红外探测器的透过率和波段响应，这种增透膜不仅适用于短中波红外探测器，还可扩展到其他光电设备，具有广泛的应用前景和市场潜力，通过这种技术，可以在保持成本效益的同时，显著提升器件和设备的性能。
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公开(公告)号：CN119229927A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411276019.9
申请日：2024-09-12
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: G11C13/04 , H10B69/00 , H10N30/074
Abstract: 本发明涉及硅基光子集成技术领域，提供了一种基于光存储介质的波导存储器及其制作方法、存储设备，该基于光存储介质的波导存储器及其制作方法包括：通过对跑道型微环谐振器进行仿真，确认跑道微环谐振腔与总线波导之间的最优耦合间隙和最优耦合长度，制作芯层，根据最优耦合间隙和最优耦合长度在芯层上形成跑道微环谐振腔和总线波导，并利用磁控溅射在总线波导上沉积光存储介质，所述光存储介质在外部激励作用下会改变应激位置的相变状态，以通过光存储介质的不同相态实现信息的存储。本发明还提供了基于该制作方法得到的波导存储器和存储设备。本发明制备方法得到的波导存储器无毒，对人体和环境友好，制作成本低，结构简单，易于大规模制造。
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公开(公告)号：CN118393662A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410282003.2
申请日：2024-03-12
Applicant: 北京信息科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，公开了一种基于硅基锗外延的感算一体硅光神经网络系统，包括单波长可调谐激光器、高Q值硅基微环光频率梳、硅基光分束器、硅锗感算一体阵列、光电探测模块、外围信号检出模块。所述硅锗感算一体阵列，由多个硅锗感光微环排列组成，所述硅锗感光微环包括深度为110nm、宽度为450nm的add‑drop型微环、在部分微环上进行选区外延的深度为200nm的外延锗，所述高Q值硅基微环光频率梳用于分频并提供多路信号加载，所述单波长可调谐激光器用于提供稳定的初始光源、所述光电探测模块用于将光信号转换为电信号。相较于传统硅光神经网络，所提出的网络架构涉及器件少，集成度高，对于实现高集成，全过程的硅光神经网络，具有重大意义。
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公开(公告)号：CN117766632A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311807582.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 北京信息科技大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种长波、甚长波红外探测器的侧壁胶保护刻蚀方法，包括如下方法步骤：S1、取一已形成台面硬掩膜的红外材料；S2、采用电感耦合等离子体法刻蚀红外材料，使红外材料形成台面结构；S3、采用光刻工艺，在台面结构侧壁形成光刻胶；S4、采用干法刻蚀去除台面结构上方的台面硬掩膜；S5、采用去胶工艺去除台面结构侧壁形成的光刻胶，形成带有台面结构的红外材料。本发明通过对台面侧壁旋涂光刻胶来避免去除残余硬掩膜时干法刻蚀对台面侧壁刻蚀的损伤，保护台面侧壁免受刻蚀影响，从而降低由刻蚀损伤形成的表面漏电流，最大限度降低表面漏电流，提升阻抗性能。
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公开(公告)号：CN117747692A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311563565.6
申请日：2023-11-22
Applicant: 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 , 北京信息科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明提供了一种高量子效率的短中波超晶格双色探测器，包括衬底，以及在衬底上外延生长的缓冲层；双色探测器还包括短波通道层和中波通道层，短波通道层和所述中波通道层之间外延生长中间势垒层；其中，短波通道层包括：在缓冲层上外延生长第一M型结构，以及在第一M型结构上外延生长第二M型结构，其中，第一M型结构和第二M型结构为InAs/GaSb/AlSb/GaSb结构。本发明结合了NBN型探测器与M结构探测器的优点，使得探测器具有良好的探测性能，降低器件的暗电流密度以及提高器件的量子效率。
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