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公开(公告)号：CN111423587A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010017271.3
申请日：2020-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及热硬化性含硅化合物、含硅膜形成用组成物以及图案形成方法。本发明的课题是为了提供一种热硬化性含硅化合物，其可使用于能达成互为相反的性能的含硅抗蚀剂下层膜材料，该互为相反的性能为虽具有碱显影液耐性，但却会改善溶解于不含过氧化氢的碱性剥离液的溶解性。该课题的解决方法为一种热硬化性含硅化合物，其特征为：含有下述通式(Sx-1)、(Sx-2)、及(Sx-3)表示的结构单元中的任一种以上。 ，式中，R1为含有可具有取代基的苯基、以及碳数3～10的非芳香环的环这两者的1价有机基团。R2、R3为该R1、或碳数1～30的1价有机基团。
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公开(公告)号：CN110615732A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1-1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN109388027A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810864649.6
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Abstract: 本发明提供一种附有抗蚀剂多层膜的基板，其能够使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地将已因干蚀刻而改性的硅成分残渣湿式去除。所述附有抗蚀剂多层膜的基板具有基板与形成于该基板上的抗蚀剂多层膜，其中，所述抗蚀剂多层膜从所述基板侧开始依次具有：难溶于氨过氧化氢水的有机抗蚀剂下层膜、可溶于氨过氧化氢水的有机膜、含硅抗蚀剂中间膜及抗蚀剂上层膜。
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公开(公告)号：CN112180686B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202010637312.9
申请日：2020-07-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F1/56 , G03F1/76
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用组合物、半导体装置制造用基板、有机膜形成方法、图案形成方法、及聚合物。本发明的课题为提供可形成不仅在钝性气体中的成膜条件仍会固化，耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良，而且升华物少且对基板的成膜性良好的有机膜的聚合物、以及含有该聚合物的有机膜形成用组合物。该课题的解决方法为一种有机膜形成用组合物，含有：具有下述通式(1)表示的部分结构作为重复单元的聚合物及有机溶剂。[化1]#imgabs0#该通式(1)中，AR1、AR2为也可具有取代基的苯环或萘环，W1为具有三键的特定部分结构，且也可组合使用2种以上的W1，W2为至少具有1个以上的芳香环的碳数6～80的2价有机基团。
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公开(公告)号：CN118620392A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410255911.2
申请日：2024-03-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物、及图案形成方法。本发明的课题为提供含有使上层抗蚀剂的感度、LWR、分辨度改善，对图案崩塌防止有贡献的热硬化性含硅材料的抗蚀剂下层膜形成用组成物以及使用该抗蚀剂下层膜形成用组成物的图案形成方法。该课题的解决手段为一种含硅的抗蚀剂下层膜形成用组成物，含有为聚硅氧烷树脂的缩合反应型热硬化性含硅的材料(Sx)，其特征为：该材料具有会和自由基化学物种进行反应的非缩合反应性有机基团，该树脂中含有超过0且为70mol％以下的下述通式(Sx‑4)表示的重复单元或通式(Sx‑5)表示的重复单元中任一者以上，且该有机基团在聚硅氧烷树脂的热硬化反应后仍为未反应的状态而残留。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110615732B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201910539258.1
申请日：2019-06-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 橘诚一郎 , 渡边武 , 新井田惠介 , 长井洋子 , 泽村昂志 , 荻原勤 , 亚历山大·爱德华·赫斯 , 格雷戈里·布雷塔 , 丹尼尔·保罗·桑德斯 , 鲁迪·J·沃伊泰茨基
IPC: C07C43/21 , C07C41/30 , C07C41/16 , C07C49/84 , C07C45/64 , C07C43/23 , C07D213/80 , C07D221/16 , G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种化合物，其能够形成不仅在空气中、而且在惰性气体中的成膜条件下也固化而不产生副产物，耐热性及形成在基板上的图案的嵌入或平坦化特性优异，且基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机下层膜。该化合物为下述通式(1‑1)所示的化合物。[化学式1]式中，AR1、AR2表示芳香环或含有氮原子、硫原子中的1个以上的芳香环，2个AR1、AR1与AR2、2个AR2可连接；AR3为苯环、萘环、噻吩环、吡啶环或二嗪环；A为有机基团，B为阴离子性离去基团，Y为2价有机基团，p为1或2，q为1或2，r为0或1，s为2～4；s＝2时，Z为单键、2价原子或2价有机基团，s＝3或4时，Z为3价或4价的原子或有机基团。
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公开(公告)号：CN109388021B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201810863232.8
申请日：2018-08-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004
Abstract: 本发明提供一种可形成有机膜的有机膜形成用组合物，该有机膜能够通过使用不会对半导体装置基板和图案化工序中所必需的有机抗蚀剂下层膜造成损伤的剥离液、例如半导体制程中通常所使用的被称为SC1的含过氧化氢的氨水溶液，容易地与已因干蚀刻而改性的硅成分残渣一并湿式去除。所述有机膜形成用组合物包含高分子化合物与有机溶剂，该高分子化合物具有由下述通式(1)～(4)表示的重复单元中的任意1种以上，在该有机溶剂中，选自丙二醇酯、酮及内酯中的1种以上的合计占超过全部有机溶剂中的30wt％的量。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109960111B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201811592270.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种过滤性高的有机膜形成用组合物、使用该组合物的有机膜的形成方法、图案形成方法、及形成有该有机膜的半导体装置制造用基板，所述组合物能够形成图案弯曲耐性高、尤其是在比40nm微细且为高高宽的线条图案中不会发生干法蚀刻后的线条的坍塌或起皱的有机膜。所述有机膜形成用组合物含有作为下述式(1)所示的二羟基萘与缩合剂的缩合体的缩合物(A)或该缩合物(A)的衍生物，所述缩合物(A)或缩合物(A)的衍生物中含有的成分元素中的硫成分的含量以质量比计为100ppm以下。[化学式1]
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公开(公告)号：CN114675490A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111588128.0
申请日：2021-12-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , C08G8/20 , C07D311/96
Abstract: 本发明涉及有机膜形成材料、图案形成方法以及化合物及聚合物。本发明的课题为提供有机膜形成材料和适于有机膜形成材料的化合物及聚合物。该课题提供一种有机膜形成材料，其含有：(A)下式(1)表示的化合物及/或具有下式(4)表示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂；该式(1)中，AR1、AR2、AR3、AR4、AR5及AR6为苯环或萘环，R1为下式(2)表示的基团中任一者。n表示1～2的整数，W为碳数2～50的2价有机基团；该式(4)中，AR1、AR2、AR3、AR4、AR5、AR6、R1、n及W和前述相同；R2、R3为氢原子或碳数1～20的有机基团，且R2与R3也可通过在分子内键结来形成环状有机基团。
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